igbt反向电压（igbt反偏）
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一般IGBT反向击穿电压为多少伏
一般都在600V以上，具体视规格，电压超过、电流能控制住一般不会马上“击穿”，这是晶体管的电击穿（是导通，可以恢复），但是，由于电流升高导致所谓“热击穿”就是永久性击穿了。
一般常用的IGBT耐压有1700V和1200V的，这个值应该跟IGBT的续流二极管的反向击穿电压相关。IGBT的型号中均有标识，例如英飞凌IGBT：FF300R170KE3中的170就代表1700V的意思。
因为 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。
电网igbt反偏例行
1、igbt工作原理和作用是：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
2、IGBT工作原理：IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
3、当VCE下降，Cgc的增加会导致VGE电压尖峰，FRD可能会加剧IC峰值。理想齐纳二极管的作用则在于提供平滑的电压曲线。图12和图13揭示了感性开关时间和能量损耗的关键时刻，IGBT发射极内部的电感影响着驱动电压和开关速率，封装类型的不同决定了电感值的差异。
一般IGBT反向击穿电压为多少伏?
一般都在600V以上，具体视规格，电压超过、电流能控制住一般不会马上“击穿”，这是晶体管的电击穿（是导通，可以恢复），但是，由于电流升高导致所谓“热击穿”就是永久性击穿了。
一般常用的IGBT耐压有1700V和1200V的，这个值应该跟IGBT的续流二极管的反向击穿电压相关。IGBT的型号中均有标识，例如英飞凌IGBT：FF300R170KE3中的170就代表1700V的意思。
因为 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。
它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
th）时，IGBT开始导通，Ic与UGE基本是线性关系。加于栅射之间的最佳工作电压UGE可取15 V左右。UGE（th）是IGBT实现电导调制（即P+区向N-区注入少数载流子）导通的最低栅射电压，它随温度升高而略有下降，温度每升高1℃，其值下降5mV左右。
