饱和电压和正向电压（饱和电压和正向电压的区别）

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三极管的工作状态

三极管工作状态主要有三种。截至状态。当三极管发射结发生反偏，集电结发生反偏时，三极管的工作状态就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。放大状态。当当三极管发射结发生正偏，集电结发生反偏，就会导致三极管出现放大状态。

三极管是电子电路中的重要元件，其工作状态可分为三种：截止状态、放大状态和饱和状态。具体内容如下：截止状态：当三极管基极没有电流时，无论集电极和发射极之间施加何种电压，基极到发射极的PN结都不会导通，三极管处于截止状态。此时，集电极和发射极之间的电压基本保持不变。

三极管的三种工作状态分别为截止状态、放大状态、饱和状态。三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。截止状态下，三极管各电极的电流几乎为0，集电极和发射极互不相通。

三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的三极管的三种状态也叫三个工作区域 即：截止区、放大区和饱和区：（1）、截止区：当三极管 b 极无电流时三极管工作在截止状态，c到e之间阻值无穷大，c到e之间无电流通过。

三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。

截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。

功率有两大基本要素,饱和压降是什么

功率有两大基本要素，饱和压降是指半导体在加反向电压时，流过电阻元件的电流达到某一最大值后，其继续增加时反向电流不再急剧变化时的正向电压，这个数值对于同一种材料制作的晶体三极管来说是一个定值，与所加的电压无关。

压降就是：两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。工程中，其实饱和和放大的边界远没有那么清楚，是一个很模糊的概念，对于小功率管而言，基本上UCE=1V开始，就逐步进入饱和区了，UCE越小，饱和程度越深。

三极管的状态有?

1、三极管工作状态主要有三种。截至状态。当三极管发射结发生反偏，集电结发生反偏时，三极管的工作状态就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。放大状态。当当三极管发射结发生正偏，集电结发生反偏，就会导致三极管出现放大状态。

2、三极管是电子电路中的重要元件，其工作状态可分为三种：截止状态、放大状态和饱和状态。具体内容如下：截止状态：当三极管基极没有电流时，无论集电极和发射极之间施加何种电压，基极到发射极的PN结都不会导通，三极管处于截止状态。此时，集电极和发射极之间的电压基本保持不变。

3、三极管的三种工作状态分别为截止状态、放大状态、饱和状态。三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。截止状态下，三极管各电极的电流几乎为0，集电极和发射极互不相通。

4、三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的三极管的三种状态也叫三个工作区域 即：截止区、放大区和饱和区：（1）、截止区：当三极管 b 极无电流时三极管工作在截止状态，c到e之间阻值无穷大，c到e之间无电流通过。

5、半导体三极管有三种工作状态：放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。当发射极和集电极的电压超过一定数值后，Ic=βIb，晶体管具有电流放大作用，处于放大区，发射极处于正向偏置，集电极处于反向偏置。当Ib=0时，Ic=0。

积分电路正向饱和电压怎么测

首先测量运放输出电压的正向饱和电压值。其次测量运放的负向饱和电压值。最后即可测试积分电路正向饱和电压。

取 Vi=-1V，断开开关 K1，用示波器观察 Vo 变化。 Vo 由基准线开始上升，最终到达最高点。 测量饱和输出电压及有效积分时间。 饱和输出电压为：15V，有效积分时间为：25s。

积分饱和现象是指采用带有积分环节的运算放大器，它的输出与输入和积分时间常数有关，就算输入信号较小，经积分，输出也会越来越大，当输出接近运放的供电电压就不能再增长了。控制器是指按照预定顺序改变主电路或控制电路的接线和改变电路中电阻值来控制电动机的启动、调速、制动和反向的主令装置。

反相输入端的“虚短”特性使得积分电流ic与输入电压ui和输入电阻Ri的比值直接相关，形成了一种稳定的积分过程。只有当电路接近饱和，电容电压接近电源电压时，这种恒定性才会被打破。总的来说，运放构成的积分电路提供了一种电流控制机制，对于理解电路动态行为和设计精密电子系统具有重要意义。

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igbt反向二极管的正向特性

正向导通特性：当正向电压施加在IGBT模块上，反向二极管的正向特性使得电流可以从P区流向N区，实现正向导通，正向导通时，反向二极管的压降较低，几乎可以忽略不计。

虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

igbt的特性 igbt的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。

在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。

高中物理波粒二象性:正向电压增大,光电流也会增大吗?饱和光电流呢?

1、首先饱和光电流是光电效应中光电流的最大值，不会再随电压的改变而增大，但入射光强的增加会导致它增大（因为光强增大，单位时间内通过金属表面的光子数就增多，与电子碰撞的频率增大，溢出的光电子增多，最大光电流也就是饱和光电流增大。）。

2、当加在光电管两端的正向电压增大时，光电流一般是增大的（未达到饱和值前），达到饱和值后就不变了。（入射光强度不变时）光电流的饱和值与光强度成正比。

3、爱因斯坦光电效应方程还解释了截止电压与光强无关的现象，即金属越活跃，逸出功越小，越容易发生光电效应。此外，光电子的初动能介于0与hν-W之间，且频率相同的光，光较强时，包含的光子数较多，产生的光电子较多，饱和光电流也较大。

4、提高光电子的动能，光电流会随之增大。当入射光强度增大时，根据光子假设，入射光的强度决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，于是，光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，电流也随之增大。