温度影响阈值电压（温度升高阈值电压降低）
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1、查看温度对NMOS管阈值电压的影响并说明温度和阈值电压的关系?
关系就是这个在使用的时候他们的影响可能是治疗温度的升高会变化。
要实现预期的阈值电压，必须精确控制Si-SiO2系统中的电荷Qf，这需要对工艺流程有深入理解。Na离子等污染物的存在可能会对Si-SiO2系统中的电荷Qf产生不利影响，从而影响阈值电压。因此，在制造过程中必须采取措施来控制或消除这些污染物，以确保阈值电压的稳定性。
首先，温度对CoolSiC MOSFET的导通特性影响显著。漏极-源极导通电阻RDS（on）随温度上升而增加，阈值电压VGS（th）则随温度下降。图1展示了不同温度下的输出特性，以及与DMOS元件的对比，SiC MOSFET的正温度系数特性有助于并联使用。
功率MOSFET的直流特性
功率MOSFET的直流特性深受温度影响。以N沟道MOSFET为例，其关键参数如击穿电压BV、导通电阻Rdson、阈值电压Vth、反偏漏电流Ids和体二极管正向导通电压Vsd，均表现出显著的温度依赖性。BV，即漏源间体二极管在雪崩击穿时的电压，工业测试通常设定在栅极电压为0，漏源电流1mA或250uA时。
与双极型晶体管相比，VDMOSFET具有更高的开关速度和更低的开关损耗，更高的输入阻抗和更小的驱动功率，以及更好的频率特性。其线性跨导特性也非常好。特别值得一提的是，VDMOSFET具有负的温度系数，避免了双极型晶体管的二次击穿问题，并且具有较大的安全工作区域。
其转移特性和输出特性如图2所示。漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导GfsMOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。
功率MOSFET的电特性参数理解是电源设计的关键。首先，VDMOSFET，特别是Planar型，因其在电源电路中的重要角色而备受关注。其工作原理基于栅极控制，当栅极有电压时，漏极电流通过沟道，而无电压则器件断开，承受输入电压。内部PN结构影响电参数，如10A， 600V的P10NK60ZFP为例进行讲解。
该器件属于耗尽型n沟道的功率MOSFET，其源极和漏极之间有一n型导电沟道，改变栅极对源极的电压，可以控制通过沟道的电流大小。耗尽型器件在其栅极电压为零时也存在沟道，而增强型器件一定要施加栅极电压才有沟道出现。与n沟道器件对应，还有p沟道的功率MOSFET。图3为图2所示SIPMOS的输出特性。
阈值电压为什么是负温
1、阈值电压是负温则是温度升高。根据查询相关公开信息：阈值电压具有负温度系数，这意味着随着温度升高，阈值电压将降低，负温度系数会影响开关延时时间。
2、Rdson，导通电阻与温度上升相关，由于高温下电子空穴迁移率减小，导致功率损耗增加。阈值电压Vth，决定着最小的栅极偏置电压，与氧化层厚度、载流子浓度和栅氧电荷紧密相连，温度上升会使其降低。反偏漏电流Ids在高温下急剧增加，这对于热特性分析极为重要。
3、如果栅源电压加得较大（比阈值电压大得多），则因为迁移率随着温度的上升而下降，将使得电流有所降低——负温度系数；相反，如果栅源电压加得较小（与阈值电压差不多），则因为阈值电压随着温度的上升而下降，将使得电流有所升高——正温度系数。只有在一定温度范围内，电流随温度变化不大。
什么是阈值电压
1、阈值电压是指电路中的某一特定电压点，当电压超过或低于这个值时，电路的行为会发生显著变化。阈值电压是电子设备中非常重要的一个参数。在电子器件如晶体管、集成电路等中，阈值电压定义了器件从一种工作状态切换到另一种工作状态所需的最低或最高电压。
2、阈值电压 （ ）：通常将传输特性曲线中输出 电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为 阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于 空穴浓度的状态。
3、阈值电压是电子器件工作特性中的关键转折点，它标志了输入电压变化时，输出电流发生显著变化的点。在场发射器件中，当电流达到10mA时对应的电压被称为阈值电压。
4、阈值电压，这个概念在电子器件的描述中至关重要。它是输入电压与输出电流变化转折点的代表性值，具体表现为当输入电压改变时，输出电流会出现显著变化。例如，在讨论场发射器件时，电流达到10mA时的对应电压即为阈值电压。栅极材料的特性对阈值电压有直接影响。
5、阈值电压，简单来说，是一种电学概念，它就像是一个电学系统中的转折点。在电路中，当电压达到特定的阈值时，元件的行为会发生显著变化，这个变化可能是电流的突然增加，如在三极管中。
