锗二极管的导通电压（续流二极管的作用）

频道：其他日期：2024-10-08 04:03:20 浏览：109

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1、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。

2、二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。

3、二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

1、二极管导通条件是：给予正向电压，并且大于二极管的导通电压。二极管外加正向电压。外加反向电压无法导通的。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。

2、二极管导通条件：直流电压给定，且大于二极管导通电压！0.7V是硅管的正向导通电压（锗管约为0.3V），导通后二极管两端的电压基本保持不变。二极管加外部直流电压（外部反向电压不能导通）增加的直流电压必须大于二极管的死区电压。

3、条件：1》正向导通。2》正向电压大于0.7V（硅管）。

4、正极到负极的电压大于0.7V，普通的二极管就可以导通，发光二极管一般要2V--3V才能导通。

二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压！0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。

题目中的二极管是导通的。先假设二极管是截止的，以0端为参考点，二极管的阳极（正极）电压10V，阴极（负端）8V，阳极电压高于阴极电压，假设不成立，所以二极管是导通的。理想二极管导通后两端电压为0，所以A点电位是8V，输出电压为8V。

二极管导通条件：直流电压给定，且大于二极管导通电压！0.7V是硅管的正向导通电压（锗管约为0.3V），导通后二极管两端的电压基本保持不变。二极管加外部直流电压（外部反向电压不能导通）增加的直流电压必须大于二极管的死区电压。

意思是，二极管的通电电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。检测小功率晶体二极管：（a）观察外壳上的符号标记。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

1、在比较锗二极管与硅二极管的特性时，首先要注意的是它们的正向导通电压差异。锗二极管的正向导通电压在0.1V左右，这意味着它在较低的电压下就能开始导通，相比之下，硅二极管则需要0.5V以上的电压才能启动。这个特性表明，锗管的导通阈值较低，而硅管的则较高。

2、锗二极管是一种半导体二极管，其基础材料是锗元素。以下是各种锗二极管的详细解释：普通锗二极管：这是最基本的锗二极管类型，用于基本的电路整流、开关和稳压等功能。它具有正向导通、反向截止的特性，能够实现电流的单向流动。

3、二极管按材料分类可分为锗管和硅管两大类。两者性能的区别在于：锗管正向压降比硅管小，锗管反向漏电流比硅管大，锗管PN结可以承受的温度比硅管低。（2）按用途分类二极管按用途分可以分为普通二极管和特殊二极管。

4、就是开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大；开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快；以上两点也可以总结为，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

锗二极管的导通电压（续流二极管的作用）