驱动电压和阈值电压（驱动电压和阈值电压的关系）
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推挽驱动mos的驱动电流计算
1、推挽驱动MOS的驱动电流计算，需要依据MOS管的具体参数、工作条件以及推挽电路的设计要求来进行。一般而言，驱动电流应足够大，以确保MOS管能在规定的时间内从截止状态切换到饱和导通状态，同时也要考虑电路的功耗和效率。在计算驱动电流时，首先要考虑的是MOS管的栅极电荷。
2、两个射极跟随器，输出为输入电压减去0.7V b-e压降，输入端的1k电阻压降可忽略。
3、如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（Totem-pole）输出电路。
高电平是什么意思
1、高电平是一种电子信号状态，表示信号电压处于相对较高或正的电压状态。在数字电路中，它通常表示二进制信号中的“1”状态。而在某些电子设备的开关操作中，高电平也表示某个功能的激活状态。在电子技术和通信领域，高电平是一个相对的概念。
2、高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。在逻辑电平中，保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于输入高电压（Vih）时，则认为输入电平为高电平。
3、高电平和低电平是数字电路中的两种基本状态。高电平状态是指电路中的电压或电流处于较高的状态。在数字电路中，高电平通常代表二进制数中的“1”。在逻辑门电路中，高电平可能是电源电压的正极，它代表了电路中的信号为开启或活跃状态。
4、高电平与低电平是指电子信号的不同状态。一般来说，高电平代表较高的电压状态，而低电平则代表较低的电压状态。这两种状态是电路中的基本特征，对于数字电路和模拟电路来说都非常重要。在数字电路中，高电平和低电平通常代表二进制数的1和0，是电路传输和数据处理的基础。
芯片的驱动场效应管要在2.5伏以内为什么?低于电压阀值2伏到3伏能不...
1、点射正常，说明电源无故障。点射也不正常，说明电源有问题。电源正常时，接上控制线，用万用表测量接线板上开关控制引脚，不发光时，正常电压在4伏以上，低于3伏，主板输出就不正常了；发光时，该脚电压应该在2伏以下，高于5伏输出就不正常。
2、譬如需要50mA的电流，则电阻R=1/0.05=20Ω。
3、电源正常时，接上控制线，用万用表测量接线板上开关控制引脚，不发光时，正常电压在4伏以上，低于3伏，主机板输出就不正常了；发光时，该脚电压应该在2伏以下，高于5伏输出就不正常。 ”。 旧机型拔掉主机板连线镭射电源的资料控制线，再开机，如仍有镭射出，镭射电源故障。
4、机箱烫你就改善散热，实测证明，降低电压对于温度没有显著效果，你最好不要轻信江湖流言。
阈值电压为什么受源体的影响
1、漏电流，碳纳米管漏电流算一个硬伤，因为在制备半导体性碳纳米管的同时，会得到一定量的金属性碳纳米管，这些碳纳米管是没有栅控能力，常开的。阈值电压，硅和碳纳米管的阈值电压都主要和栅金属选择有关，谈不上优势。良品率，由于金属性碳纳米管，良品率大概率没硅那么高。
2、影响mosfet阈值电压的因素是栅氧化层厚度氧化层固定电荷衬底掺杂浓度。MOSFET阈值电压是指在MOSFET导通的过程中，栅极和源极之间的电压达到一定值时，MOSFET开始导通的电压。高阶效应是指在微米级别的MOSFET器件中，由于电场、梯度等因素的影响，导致器件的电性能受到影响的现象。
3、第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅（栅氧化层）中的电荷Qss以及电荷的性质。这种电荷通常是由多种原因产生的，其中的一部分带正电，一部分带负电，其净电荷的极性显然会对衬底表面产生电荷感应，从而影响反型层的形成，或者是使器件耗尽，或者是阻碍反型层的形成。Qss通常为可动正电荷。
4、所以nmos传输高电平有阈值损失。（漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。
5、阈值电压影响因素 背栅的掺杂 backgate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越多，它的反转就越难。如果想要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调节。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。
