晶体管门限电压（晶体管电流控制电压）
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交越失真是什么意思?
交越失真是一种非线性失真。在电子学中，交越失真特指一种非线性失真的现象。为了更深入地了解这一现象，可以从以下几个方面进行详细说明：基本定义 交越失真发生在信号处理过程中，当信号的幅度变化导致放大器或其他处理设备的操作点处于其线性范围的边界时，信号波形就会发生变形。
交越失真是一种在交流信号过零时输出波形严重失真的现象，主要发生在乙类（B类）推挽放大器中。这类放大器利用两颗晶体管分别在信号的正负半周工作，但由于晶体管的输入特性曲线存在死区电压，当输入信号小于这个电压时，晶体管无法导通，导致输出信号失真。
交越失真（intermodulation distortion）是一种在信号的频谱中产生的非线性失真，其原因是当两个或多个不同频率的信号同时存在于电路中时，它们的交叉调制产生了新的频谱成分。这些新频谱成分可能会影响原始信号的可识别性和质量。
电子学名词，是指放大电路中，输出信号并非输入信号的完全、真实的放大，而是多多少少走了样，这种走样即是失真。引起失真有多种，此为失真的一种形式。失真通常出现在通过零值处。
交越失真，是指在分析电路时把三极管的导通电压看作零，当输入电压较低时，因三极管截止而产生的失真。这种失真通常出现在通过零值处。与一般放大电路相同，消除交越失真的方法是设置合适的静态工作点，使得三极管在静态时微导通。
什么是门限电压
1、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。
2、我们将比较器的输出电压从一个电平跳变到另一个电平时对应的输入电压的值，被称为门限电压。或阈值电压，简称为：阈值，用符号UTH表示。
3、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。
4、门限电压，即分界电压，大于这个门限电压的值逻辑为1，小于这个门限电压的逻辑为0。门限电压设置过高或者过低都会导致数据失真，如下图图2所示：设置过高，逻辑1的宽度变窄；设置过低，逻辑0变窄。
晶体管发射结门限电压是固定的吗
1、这个问题我也是从别处看来的，说是“不是固定的，但在一定范围内，可以认为是固定的”。
2、截止区就是三极管不工作，无输入信号或者输入信号低于门限电压0.7V，相应的则无输出信号。导通状态就是三极管正常工作，输入信号大于或等于门限电压，输出回路被打开可供电流通过。
3、而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
互补电路产生交越失真的原因是输入信号小于晶体管
交越失真产生的原因：分析电路时把三极管的导通电压看作零，当输入电压较低时，因三极管截止而产生的失真。交越失真产生的克服方法：避开死区电压区，使每一晶体管处于微导通状态，一旦加入输入信号，使其马上进入线性工作区。
失真通常出现在通过零值处。与一般放大电路相同，克服交越失真的措施是：避开死区电压区，使每一晶体管处于微导通状态，一旦加入输入信号，使其马上进入线性工作区。
这种失真通常发生在过零值处。与一般的放大电路一样，消除交越失真的方法是设置适当的静态工作点，使晶体管处于静态微传导状态。由于晶体管的阈值电压不为零，如普通的硅三极管，NPN型只能在0.7V及以上开启，因此在0～0.7之间存在死区，不能完全模拟输入信号波形。
我们克服交越失真的措施是：避开死区电压区，使每一晶体管处于微导通状态，一旦加入输入信号，使其马上进入线性工作区 可以给互补管一个静态偏置。
非线性失真产生的主要原因来自两个方面，晶体管等特性的非线性和静态工作位置设置的不合适或输入信号过大。放大器件工作在非线性区时会产生四种非线性失真：饱和失真、截止失真、交越失真和不对称失真。
