零偏电压负偏电压(负偏电压大于零偏电压)
本文目录一览:
- 1、如何判断三极管是否正确偏置
- 2、硅光电池零偏饱和电流为什么比负偏时大
- 3、...基级至发射极的PN结为正偏,那他在开关时零偏值而振荡会变成反偏值...
- 4、三极管的开关管问题
- 5、太阳能电池在工作时为什么要处于零偏或负偏
- 6、三极管导通问题!!!急求助,各位帮忙。。
如何判断三极管是否正确偏置
三极管C——E之间的电压不叫偏置。它是C—E之间的电压降。所谓的集电极“正偏、反偏”:以NPN硅管为例来说,导通时基极电位高出发射极0.7V。而基极-集电极之间的集电结等于二极管,基极是正极,集电极是负极。当集电极电位比发射极电位低于0.7V时,对于集电结来说,这是正偏。
正偏即两极间加的电压与PN结的导通方向一致,即饱和状态,就是两个P-N结都处于正偏的导通状态;截止状态,就是两个P-N结都处于反偏的截止状态。正偏、反偏是对于PN结而言的。在开关电路中,三极管工作在饱和导通与截止两种状态。
C、E极间不存在正反向偏置,只有B-E、B-C这两个P-N结才有正反向偏置的问题。两个P-N结都是反向偏置,三极管处于关断状态,这时集电极电流基本为0;发射结正偏,集电结反偏,三极管处于放大状态;两个P-N结都处于正偏,三极管处于饱和导通状态,这时C、E之间电压只有0.3以下(硅管)。
放大状态:此时三极管的发射结处于正向偏置,集电结处于正向偏置。截止状态:此时三极管的发射结处于方向偏置,集电结处于正向偏置。饱和状态:此时三极管的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
纠正你的一个错误,不是发射极,而是发射结,后面那个应该是集电结。所谓正向偏置和反向偏置,其实是针对PN结而言,如果P区的电压比N区高,称为正向偏置,反之N区的电压比P区高,则称为反向偏置。
一般是以三极管基极输入的偏置电流为判断依据的,PNP型三极管为负偏,NPN型三极管为正大偏。
硅光电池零偏饱和电流为什么比负偏时大
1、零偏时,流经PN结的电流I即为反向光电流;而负偏时,由于反向饱和电流的抵消作用,使得零偏电流大于负偏电流。
2、在检测光照或光强的时候,这个二极管在电路中是反接的,处于截止状态的,有光照的时候,会产生电流,在没有光照时候,近乎可以认为是没有电流的。因此,在零偏的时候,理论上,该电池是在工作的,但实际你没有办法检测电流(负载是无限大的),实际工作时候,需要在负偏状态下进行的。
3、硅光电池负载为零时,短路电流在相当大的范围由与光照度成线性关系;而开路电压与光照度的关系,显非线性。因此,由实验知,负载电阻愈小,光电流与照度之间线性关系愈好。且线性范围宽。光功率计中的内部电路,须达到在待测量光照度的范围内,其等效电阻大小达到规定小的要求。
...基级至发射极的PN结为正偏,那他在开关时零偏值而振荡会变成反偏值...
1、当外加的反向电压高到一定程度时, p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,此为PN结 原理,其它可以自己推敲推敲。
2、正的偏压相当于P侧相对于N测有个高电位,与内建电势相反(阻止扩散)。那么扩散运动增强,漂移减弱。P侧的多子空穴会大量通过结区到达N侧,N侧的多子电子也在电场作用下大量地漂移到P侧。这样空间电荷区变短,内建电势下降。流过大电流,PN结处于低阻导通状态。
3、第二种接法其实不太准确,正规的来说,没有什么基极负,发射极正的说法。只有发射结正偏(对于PNP管来讲,发射结的方向从发射极指向基极,要PN结正偏,也就是要发射极的电压至少高于基极电压0.7V,PN结正向导通。)或者发射结反偏(发射极电压小于基极电压),还有一种零偏(两个电压相等)。
三极管的开关管问题
三极管PNP可能为锗管,其开启门限电压表很低,0.1-0.2V就会进入放大区 ,另外测量电压的电压表灵敏度低也会影响实验过程∴表现为只要基极电压低于发射极时,管子就会导通,基极大于等于发射极电压时管子截止。
不对,NPN基极有电流后,c e 间加+电压才能导通。如果想让CE间像导线一样,这样的状态称为饱和状态,也是开关状态,。CE间导通时 ICE电流在一定范围内。
三极管选择“开关三极管”,以提高开关转换速度;电路设计,要保证三极管工作在“饱和/截止”状态,不得工作在放大区;也不要使三极管处于深度过饱和,否则也影响截止转换速度;至于截止,不一定需要“负电压”偏置,输入为零时就截止了,否则也影响导通转换速度。
太阳能电池在工作时为什么要处于零偏或负偏
1、该电池在工作时要处于零偏或负偏的原因是反向偏置状态。在光电池的工作中,处于零偏或负偏的原因是为了保证PN结处于正常的反向偏置状态,从而保证光生载流子的产生和分离。施加正向偏置,那么PN结会变为导体,电子和空穴会重组,无法形成有效的电流。
2、负偏的电场可以收集产生的光生载流子。零偏,其实也是反偏,因为靠的是内建电场(也是负偏的)来收集光生载流子的。正偏,正、负光生载流子(之前分开的电子-空穴对)会在正偏电场的(压迫)作用下相遇而湮灭。
3、因为要靠负偏的电场来收集产生的光载流子。零偏时靠的是内秉电场(也是负偏的)来收集。如果正偏的话,电场会把光载流子送到一起湮合了,就成了发光二极管了。
三极管导通问题!!!急求助,各位帮忙。。
电路中你用的是PNP型的三极管,而且在这个电路中,三极管用来当做开关使用,所以决定了三极管只能工作在饱和导通和截止状态。不管是NPN还是PNP型三极管,其饱和导通的条件是集电结(C和B之间的PN结)正偏或零偏,发射结(E和B之间的PN结)正偏。
三极管的导通和截止是由三极管的基极(b)和发射极(e)的电压决定的。当Ube等于0.7V时三极管导通,产生电流Ic和Ie,他们的大小为Ic=β*Ib,Ie=Ic+Ib。当Ube小于0.7V时三极管截止,电流Ic和Ie都为0。三极管的主要参数为:耐压Uce,最大电流Ic,放大倍数β,最大耗散功率Pw,特征频率f等。
这个电阻应该影响的基极电流的大小,如果电阻太大,电流就很小,当大到一定时时,使得i(b)几乎为零,此时三极管处于截止状态,故会影响晶体管的导通。
若负载接在三极管集电极:三极管导通后,集电极电压接近“地”(约0.3V);三极管截止后,集电极电压为Vcc 。若负载接在三极管发射极:三极管导通后,发射极电压接近Vcc;三极管截止后,发射极电压为“地”。
三极管导通压降0.7V,这种说法很不严谨。一般的硅三极管,发射结(BE)的导通压降是0.7V,而其他CE,BC之间未必是这个数值。你研究导通条件,要抓住核心,三极管有两个PN结,一个发射结,一个集电结,不过是NPN还是PNP,你就抓住:(1)放大:发射结正偏,集电结反偏。