mos管Rdson和驱动电压（mos管驱动电流一般多少）

频道：其他日期：2024-11-20 00:56:15 浏览：106

本文目录一览：

1、【电子知识点】MOS管重要参数-02
2、用N增强型MOS管作为开关,下面两个图是两种接线方式,为什么会有不一样...
3、为什么MOS管的Rdson值偏大?
4、认识场效应管MOSFET
5、MOS管选型需关注的重要参数

【电子知识点】MOS管重要参数-02

体内二极管参数包括连续最大续流电流（IS）、脉冲最大续流电流（ISM）、正向导通压降（VSD）、反向恢复时间（Trr）、反向恢复充电电量（Qrr）。

在选择MOS管时，需要关注的关键参数是多方面的。首先，确定MOS管的类型，即P型或N型，这对电流流动方向至关重要。接着，VGS（栅极-源极电压）和VDS（漏极-源极电压）的值是决定其工作状态的重要指标，VGS控制着管子的开启和关闭，而VDS则反映了其在工作时的最大电压承载能力。

MOS管的参数如Vds、Rds（on）、ld等，每个都有其特定含义，需根据产品手册理解并考虑在实际应用中的影响。MOS管因其驱动简单、开关速度快和可靠性高等特性，广泛应用于各种电子设备中，成为现代电路设计中不可或缺的一部分。

mos管Rdson和驱动电压（mos管驱动电流一般多少）

用N增强型MOS管作为开关,下面两个图是两种接线方式,为什么会有不一样...

1、正常的。先说右图，因为S极是直接接地，所以控制端即G极，只要给个高电平（VgsVgs（th），那么MOS是导通的，DS两端基本上是没有压差（Rdson很小）。左图，负载是接在S对地，如果这个负载的值很小，比如是0.1R，那么如果给的G电压一直是高电平，MOS就容易烧（流过MOS的电流大）。

2、沟道的作用：连接两个N掺杂区，这样就可以导通了。沟道来自于P掺杂区，因为G极和衬底B之间电场的作用，电子大量聚集在G极这里，所以这一块的P区就变成了N区（所以叫“反型”层）。MOS管有四个极：漏极Drain，源极Source，栅极Gate，衬底Bulk。

3、放在直流输入端是起放大作用的。之所以称为增强型是因为在Vgs=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才能行成感生沟道。转移特性可有公式：Id=Ido（Vgs/Vt-1）^2来画出。它与耗尽型的区别在于它的开启电压Vt为正值。具体的情形你还可以参考《模拟电子技术》，希望能帮到你哈。

4、最好是让MOS管处于饱和和截止状态的时候，具体的要求是。

为什么MOS管的Rdson值偏大?

1、MOS管的Rdson值对其工作效率至关重要，该值在MOS管导通时定义了器件的效率。测试Rdson的方法涉及在栅极施加适当的电压Vgs以使MOS管导通，然后在漏极和源极间施加电压并保持一定的漏电流Ids，通过R=U/I的公式来计算电阻值。

2、揭秘MOS管Rdson偏大的神秘原因：在电子设计中，MOS管的Rdson（漏源导通态电阻）是一项关键参数，它在开启状态下决定着器件的效率。今天，我将深入探讨影响Rdson偏大的因素，希望能为你的理解提供一些启示。

3、选用MOS管的漏源击穿电压太高，那MOS管的温升会变高的，影响该器件工作的可靠性。

认识场效应管MOSFET

从初学者的角度学习新知识时，类比熟悉的知识点是一种高效、快捷的学习方法。MOSFET（场效应管）与三极管有许多相似之处，它们在电路设计中都有广泛的应用。（一） MOSFET与三极管的类型对比 MOSFET也分为N-MOS和P-MOS，类型区分方式与三极管类似。N-MOS的箭头朝内，P-MOS的箭头朝外，帮助记忆。

MOSFET的导通并非仅依赖于简单的电流驱动，与三极管截然不同。要真正利用MOSFET，如电路图3所示，仅靠基础概念是不够的，因为MOSFET需要的是电压而非电流来维持导通，而且驱动电流可能高达安培级，这就要求我们深入了解其工作原理。

技术小科普—MOS管场效应管（MOSFET）详解场效应管，分为结型和绝缘栅型，其中MOS管因其广泛应用而知名。MOS场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，简称MOSFET）是绝缘栅型的一种，根据沟道材料和导电方式，分为N沟道和P沟道，以及耗尽型和增强型。

MOS管全称是MOSFET，意思是金属绝缘栅型场效应管，因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名，且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。与结型管相比，MOS管的输入电阻更大，通过电流能力很强，耐压值也可以做到比较高，可以承受更大的功率。