栅极电压漏极电压（栅极电压控制漏极电流）
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N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏
N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。
MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
截止状态： 当NMOS管的栅极电压低于阈值电压时，NMOS管处于截止状态。在此状态下，栅极和漏极之间的通道断开，导致漏极和源极之间没有电流流动。线性放大区： 当NMOS管的栅极电压高于阈值电压，但漏极-源极电压较低，使得栅极电压和漏极-源极电压之和小于饱和电压时，NMOS管处于线性放大区。
MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。此时，如果栅极电压与漏极电压相同，则MOS管的通道电流达到最大值，也就是处于饱和状态。
栅极：栅极是MOS管的控制端，通过施加电压来控制MOS管的导通与截止。当在栅极施加一定电压后，栅极与硅衬底之间的绝缘层中会产生一个电场，这个电场会吸引或排斥半导体中的载流子，从而在源极和漏极之间形成或阻断导电通道。
什么是栅源电压?
栅源电压是指场效应管的栅极（G）与源极（S）之间的电压。场效应管是类似于电子管性能的一种半导体器件，是电压控制型的器件，输入阻抗很高，栅源电压影响输出电流的变化，场效应晶体管的英文简称为FET，中文简称为场效应管或者单极型晶体管。
栅源电压：栅极和源极两端的电压。栅极（Gate——G，也叫做门极），源极（Source——S）， 漏极（Drain——D）将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。
栅源电压是指MOS管栅极和源极之间的电压差，当栅源电压加倍时，MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。
不是。栅源电压是通过外部电路施加在栅极和源极之间的电压，它的变化可以控制晶体管或场效应管的电导率，输入电压是指直接施加在电路的输入端口上的电压，而不是晶体管或场效应管中的栅源电压。
其次，在导通过程中，栅源电压（VGS）的作用至关重要。VGS是确保MOSFET完全导通的最低电压。在设计过程中，不能使用比达到RDS（on）额定值的最低VGS还要低的电压来使MOSFET完全导通，否则可能导致器件不能正常工作。
mos管栅极和漏极可以是相同电压吗?
MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。此时，如果栅极电压与漏极电压相同，则MOS管的通道电流达到最大值，也就是处于饱和状态。
对MOS管的工作产生的影响不同。栅源电压是指MOS管栅极和源极之间的电压差，当栅源电压加倍时，MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。
G极是栅极，S是源极，D是漏极导通时是Vs=Vd，而不是，Vg=Vs。是可以继续导通的。
MOS管在一定状态下（如饱和区或线性区）适当连接后，可以作为电路中的电阻元件使用，利用其直流电阻与交流电阻。MOS二极管通过将MOS晶体管的栅极与漏极短接构成，形成一个二端器件，如图所示。
