mos栅极电压（mos栅极电压在零温度点以下会不会坏）
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平带电压平带电压与阈值电压的关系
综上所述，MOS的阈值电压与平带电压的关系体现在栅极电压需要增加平带电压的部分，以使半导体表面形成反型层。平带电压的组成和控制是制造工艺的关键，需要特别关注Si-SiO2系统中电荷Qf的影响以及Na离子等污染物的控制，以确保阈值电压的稳定性和可重复性。
MOS的阈值电压是指使半导体表面产生反型层（即沟道）时所需要外加的栅极电压。如果存在平带电压，栅压超过平带电压的有效电压使得半导体表面出现空间电荷层（耗尽层），然后再进一步产生反型层；故总的阈值电压中需要增加一个平带电压部分。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
MOSFET的电容特性随栅压变化，从多子积累、平带、耗尽到反型，电容值相应变化。在高频交流信号下，反型层的电子供应受限，电容表现可能与氧化层电容并联。实际MOSFET会受到功函数差、电荷和界面态的影响，导致C-V特性与理想情况有所偏差，这通过调整平带电压和阈值电压的计算公式来体现。
理想MOSFET的特点包括无功函数差、无电荷积累和无界面态，但实际器件存在功函数差、电荷积累和界面态等影响，这些因素会改变MOSFET的C-V特性，如平带电压和阈值电压的计算需要考虑这些因素。
MOS管栅极电压选择技巧
电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。
mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。一般情况下，电阻的额定功率应为 MOSFET 的额定功率的两倍。
选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出2~5倍的电压余量。
7nmMOS栅源电压最大可以到多少
MOS管栅极最高电压：以一个工作于直流线电压为160V（最大可为186V ）电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断，它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来，由Crss和Ciss分压。
mos栅极电压是多少
1、mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
2、电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。
3、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
4、MOS管导通时栅极电压是5伏左右。20伏是极限电压。
5、大部分MOS管指定了最大栅源极间电压（±20V）。MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压（±20V）。如果超过这个限制，器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断，器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极，引起栅极电压超限的问题。
6、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。
nMOS管栅极电压
1、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
2、mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
3、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
