线性光耦电压（线性光耦电压怎么测）

频道：其他日期：2024-11-02 06:09:54 浏览：51

本文目录一览：

1、功率电路中基于线性光耦HCNR201的电压隔离采样
2、光耦导通的电压是多少?
3、光耦参数有哪些?
4、基于HCRN201线性光耦的高精度电压采集电路
5、线性光耦基本参数
6、光电耦合器中那个二极管几伏电压导通?

功率电路中基于线性光耦HCNR201的电压隔离采样

设计将聚焦于功率变换器直流侧电压的隔离采样，最终输出电压将被接入DSP进行闭环控制。在此背景下，电路拓扑的选择将直接关系到整个系统的稳定性和效率。在设计中，选择运放A1和A2至关重要，例如本文选用的LMV321芯片。此型号具有良好的供电电压范围、最大输出电流、高单位增益带宽与压摆率，足以满足设计需求。

高精度电压采集电路：HCNR201线性光耦的卓越选择在模拟信号处理中，信号隔离是至关重要的一步。传统的光耦合器因其输入输出线性特性不佳和温度敏感性，常在模拟信号隔离中受限。然而，线性光耦的出现为这一难题提供了突破。

本文采用线性光耦HCNR201的方法，实现被测模拟信号与控制系统之间的线性隔离。线性光耦隔离与普通光耦隔离相比，改变了普通光耦的单发单收模式，增加一个用于反馈的光电二极管并且增大了线性区域。两个光电二极管都是同样特性的非线性，可通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性，从而实现信号的线性传递。

线性光耦电压（线性光耦电压怎么测）

光耦导通的电压是多少?

1、光耦的导通电压是0.7v左右。因为光耦的工作部件是一个发光二级管，他的导通电压跟一般的二极管是相同的。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

2、光耦的导通电压是指驱动光耦内部发光二极管正常工作所需要的电压值，也称为前向电压。在具体数值上，光耦导通电压一般在2V到5V左右。但这个数值对不同的光耦或使用条件可能会有所差异，所以必须参考特定光耦的数据手册。同时值得注意的是，这个电压值是驱动发光二极管的，不是决定光电三极管导通的电压。

3、光耦导通压降约在1~5V左右。R3的作用是为了抗干扰。首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲，光耦压降3V，剩余电压27V，对8k电阻，光耦原边电流约3mA，满足其要求。至于22k电阻，要看具体应用。

4、一般就是3V，5V的就行了。正常情况用不会烧毁的，要是电压电流大了可能会爆。

5、光耦导通时，1脚处的电压大约是25V左右。

光耦参数有哪些?

1、光电耦合器参数。电流传输比：50%（最小值）。高隔离电压：5000V（有效值）。符合UL标准。极限参数。正向电流（ICEO）：50mA。峰值正向电流（ICE max）：1A。反向电压：6V。功耗：70mW。集电极发射极电压：35V。发射极集电极电压：6V。集电极电流：50mA。集电极功耗：150mW。总功耗：200mW。主要特点。

2、光耦合器的主要技术参数包括发光二极管的正向压降（VF）、正向电流（IF）、电流传输比（CTR）、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极的反向击穿电压（V（BR）CEO）以及饱和压降（VCE（sat）。在数字信号传输中，上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等也是关键要素。

3、光耦参数主要包括：发光二极管与光敏晶体管的主要参数，如发光强度、波长、响应时间等；以及光耦的电流传输比、隔离电压、封装类型等。解释：发光二极管与光敏晶体管的主要参数：发光强度：描述了光耦在特定条件下能够产生的光线强度。它直接影响到光信号的传输效率。

4、光耦的主要参数包括：发光器件的主要参数。电隔离参数。线性范围参数。接下来进行发光器件的主要参数包括：发光强度、波长范围以及光谱分布等。这些参数决定了光耦的光信号质量和可靠性。

5、光耦的主要参数包括：反向电流IR：在规定反向电压VR下，二极管内部的电流流量。反向击穿电压VBR：当二极管流过的反向电流达到特定值时，集电极与发射极之间的电压降。正向压降VF：在正向电流为规定值时，二极管两端的电压降。正向电流IF：施加正向电压时，二极管允许通过的电流。

基于HCRN201线性光耦的高精度电压采集电路

1、高精度电压采集电路：HCNR201线性光耦的卓越选择在模拟信号处理中，信号隔离是至关重要的一步。传统的光耦合器因其输入输出线性特性不佳和温度敏感性，常在模拟信号隔离中受限。然而，线性光耦的出现为这一难题提供了突破。

线性光耦基本参数

1、线性光耦的基本参数如下：首先，我们来看看线性度的表现。HCNR200具有较高的线性度，达到了0.25%的水平，这意味着它在输入信号变化时，输出信号的非线性误差相对较小。而HCNR201的线性度更低，仅为0.05%，这意味着它的信号处理能力更为精确，适合对线性响应要求较高的应用。

2、光耦的主要参数包括：反向电流IR：在规定反向电压VR下，二极管内部的电流流量。反向击穿电压VBR：当二极管流过的反向电流达到特定值时，集电极与发射极之间的电压降。正向压降VF：在正向电流为规定值时，二极管两端的电压降。正向电流IF：施加正向电压时，二极管允许通过的电流。

3、光电耦合器参数。电流传输比：50%（最小值）。高隔离电压：5000V（有效值）。符合UL标准。极限参数。正向电流（ICEO）：50mA。峰值正向电流（ICE max）：1A。反向电压：6V。功耗：70mW。集电极发射极电压：35V。发射极集电极电压：6V。集电极电流：50mA。集电极功耗：150mW。总功耗：200mW。主要特点。

4、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。

5、采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

6、在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性的型号及参数，选取原则如下：①的电流传输比（CTR）的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR0mA），才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。