mosfet尖峰电压（开关mos电压尖峰消除）
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MOSFET下桥故障
1、可能有以下问题后桥钢板过硬。后桥变形。减速器总成间隙过大。润滑油太脏，杂质太多，导致早期磨损。悬挂部分没有紧固好，导致晃动间隙过大。
2、尖峰电压超出功率。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率，MOSFET的下桥漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩故障破坏。
3、High-Side MOSFET的意思是：桥式电路中上桥MOS管 全桥推挽电路中，有四个mos管，左端和右端，左端有上面的是高端high side，下面的是low side。
MOSFET管的漏极电压的尖峰问题
在MOSFET的漏极和源极上并联一个电容（无电阻，仅电容），调整电容值，直到尖峰谐振频率降低到原来的二分之一。
尖峰电压超出功率。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率，MOSFET的下桥漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩故障破坏。
其中，漏极/源极击穿电压（BVDdss）是一个关键参数，它指示了MOSFET在正常工作条件下的耐压能力。例如，当Vgs=0V，Id=250uA时，BVDdss的最小值为650V。但值得注意的是，当温度达到150℃时，BVDdss的值会增加到700V。
或说漏源电压变化率）解释：mosfet受结构及工作原理的限制，漏源极间的电压变化率（尤其上升率）不可以任意快，而是有一个极限值dv/dt。
教你看懂MOSFET数据表
理解MOSFET数据表中的无钳位电感开关（UIS）额定值至关重要，它反映了器件在雪崩条件下的性能。工程师应避免使用FET的重复雪崩，特别关注那些在25°C至125°C温度范围内UIS能力弱、超过30%降级的器件，它们更容易因故障而受损。
以东微OSG65R380x的数据手册为例，其中的绝对最大额定值部分，如Vds、Vgs、Id等参数，为理解MOSFET提供了基础信息。这些参数不仅告知了MOSFET的工作范围，还为实际应用提供了指导。其中，漏极/源极击穿电压（BVDdss）是一个关键参数，它指示了MOSFET在正常工作条件下的耐压能力。
导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS（ON） 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 C，当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS（ON）时会变大是很重要的。
MOSFET在雪崩条件下的功率函数（雪崩电压*雪崩电流）可以具有不同形式。本文分享了一个特定的雪崩功率函数，它是功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础。在“非钳位电感开关”和“非钳位电感负载”下指定雪崩额定值，“UIS”和“UIL”分别表示“非钳位电感开关”和“非钳位电感负载”。
MOSFET 的安全工作区域 （SOA），对于理解其在极端条件下的功率承受能力至关重要。SOA 图像通常包含在雷卯电子LEIDITECH MOSFET的数据表中，展示了器件在不同工作状态下的功率限制。SOA 图中的关键参数包括 RDS（on） 限制，它由灰色线表示，反映了器件在最大可容忍结温下的导通电阻上限。
