漏电流电压（漏电流电压降测试）
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测量绝缘材料的泄漏电流为什么用直流电压而不用交流
因为交流电压作用下不仅有漏导损耗，还有极化损耗。而直流电压作用下只有漏导损耗，没有极化损耗，更加准确。泄漏电流随电源频率升高而增加。例如：用可控硅供电，其谐波分量使泄漏电流增大。
在测量绝缘材料的泄漏电流时，使用直流电压而非交流电压的原因在于，交流电压作用下，绝缘材料会产生两种损耗：漏导损耗和极化损耗。而直流电压作用下，绝缘材料的损耗主要仅为漏导损耗，这使得泄漏电流的测量更加准确。
因为直流电压作用下的介质损失仅有漏导损失，而交流作用下的介质损失不仅有漏导损失还有极化损失。所以在直流电压下，更容易测量出泄漏电流。
设备会有电容量存在，不可避免，所以用交流本身正常时就会有电流产生。只有用直流才能得到真正的漏电流。
电缆电容量大，进行交流耐压试验需要容量大的试验变压器，现场不具备这样的试验条件。（2）交流耐压试验有可能在纸绝缘电缆空隙中产生游离放电而损害电缆，电压数值相同时，交流电压对电缆绝缘的损害较直流电压严重得多。
用直流电测量直接读取泄漏电流的数值就能够代表绝缘性能。如果用交流电测量，即使绝缘良好也会测到电流，因为两互相绝缘的导体之间的分布电容是不可避免的，还要花精力去判断哪部分电流是由电容效应产生的，徒增测量麻烦。
漏电流的计算公式是什么
漏电流I=kUC，其中k漏电流常数，U为电容两端电压，C为电容值，单位为μa（v·μf）。电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。
漏电流的计算公式为：I = E / R。其中，E代表电压，单位为伏特；R代表绝缘电阻值或总阻抗，单位为欧姆。通过这一公式，我们可以计算出电路中存在的漏电流大小。漏电流是指电气设备外壳或线路外皮上出现的不正常电流。这个电流流向设备的金属部分，并从大地返回电源，因此也称为对地电流。
电解电容的漏电流计算公式为：I=K系数*C容量*U电压。这个计算公式只适合电解电容吗？还是其他所有形式的电容都适合！比如Y电容，BOX电容等等！谢谢！... 电解电容的漏电流计算公式为：I=K系数*C容量*U电压。
交流电， 电源电压为U， 频率为f ，电缆电阻为R， 电缆电容为C ，则： 漏电电流 I=U/{R+（1/2πfC）} 即 ：频率越高 漏电流越大。
漏电流的计算公式是 I = k * U * C，其中 I 表示漏电流，k 是漏电流常数，U 是电容两端的电压，C 是电容的值，单位为 μA （v·μF）。电容器在加上直流电压时，由于介质的非完美绝缘性，会存在微小的漏电流，过大的漏电流可能导致电容器过热损坏。
如何测量二极管漏电流,该漏电流与反向电压的关系式是什么,二极管漏电流...
首先，漏电流的大小是由反向饱和电流和施加的反向电压共同决定的。理想情况下，两者相等，但现实中的二极管，PN结内部可能存在其他泄漏路径，如表面污垢等，这使得实际漏电流往往大于饱和电流。
在电路工作过程中，可以通过万用表测量二极管的反向电压。反向电流，准确来说是反向漏电流，实际上非常小，仅在几uA的量级。万用表无法直接测量反向电流，因此需要采用其他方法。二极管所承受的反向电压通常是由电池两端的电压决定的。若电路图中未明确给出，可能需要利用叠加原理进行计算。
漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流。发光二极管通常都工作在正向导通状态下，漏电流指标没有多大意义。主要是对于整流管二极管、开关管二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管等元件，漏电流这项指标比较重要，因为它们在工作中经常会处在电压反偏置状态下。
反向电流IR 它是指发光二极管两端加上规定的反向电压时，发光二极管内的反向电流。该电流又称为反向漏电流。发光强度IV 它是一个表示发光二极管亮度大小的参数，其值为通过规定的电流时，在管心垂直方向上单位面积所通过的光通量，单位为，mcd。
此电流大小与温度和反向电压成正比。其次，隧穿效应。在高反向电场下，载流子可以通过量子力学的隧穿效应穿越势垒，导致逆向漏电流增加，特别是在高反向电压条件下更为显著。逆向漏电流的大小受多种因素影响，包括二极管的制造工艺、材料特性、温度和反向电压等。
慢慢增加电流及电压，I/V特性曲线就出现在你面前了。然后你就根据半导体图示仪上的曲线读数就是了。如果是先进点的数字型图示仪的话，那就更方便了，将扫描点放到IF=20mA上读VF，然后用VF/IF就是电阻，漏电流就是坐标轴负方向的I/V突变点处的电流，具体操作起来就很简单了。回答完毕，祝你成功。
