阈值电压功耗（阈值电压公式）
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如何计算功耗?
功耗计算公式：P＝W/t。电功率的计算公式：功率＝功除以时间，即P＝W除以t。机械功率计算公式：功率＝功除以时间，即P＝W除以t，这个公式计算的是平均功率；功率＝力乘以位移，即P＝FV，这个公式计算的是瞬时功率。
功耗计算公式是 P＝W/t，其中： 电功率的计算公式表示为 P＝W/t，即功率等于功除以时间。 机械功率计算公式有两种：平均功率为 P＝W/t，瞬时功率为 P＝FV，其中 F 是力，V 是速度。功率的分类包括电功率和机械功率，两者计算公式不同，使用时应根据实际情况选择合适的公式。
功耗等于电压乘以电流。对于功耗的计算，有几个方面会影响到计算结果；一是电压，中国的居民用电是两百二十伏左右，近似计算的时候可以两百二十伏为准，由于电网电压会有波动，如果要计算，应该用万能电表测电压，以实测电压为准。
功耗等于电压乘以电流。公式：Ptotal = Pdynamic + Pshort + Pleakage Pswitch = A * C * V2 * F Pshort = A （B/12） （V-2Vth）3 * F * T Pleakage = （Idiode + Isubthreshold） * V 功耗的由来：功耗一般分两种：来自开关的动态功耗，和来自漏电的静态功耗。
功耗的计算公式是：功耗 = 电流 × 电压。功耗是电子设备在运行过程中消耗的功率。计算功耗时，需要知道设备的电流和电压。通过简单的物理公式，可以将这两个参数相乘得到设备的功耗。这一公式广泛应用于各种电子设备，包括家用电器、工业设备以及电子产品的计算。
电子元器件功耗是如何计算的??
电子元器件的功耗计算基于电压和电流的乘积。公式表示为：Ptotal = V * I，其中Ptotal代表总功耗，V是电压，I是电流。 动态功耗（Pdynamic）由电容充放电产生，以及P/N MOS晶体管同时导通时形成的短路电流（Pswitch）。
功耗等于电压乘以电流。公式：Ptotal = Pdynamic + Pshort + Pleakage Pswitch = A * C * V2 * F Pshort = A （B/12） （V-2Vth）3 * F * T Pleakage = （Idiode + Isubthreshold） * V 功耗的由来：功耗一般分两种：来自开关的动态功耗，和来自漏电的静态功耗。
电阻功率计算 电阻两端的压降：因为，压降=r*a，所以，0.00026x40=0.0104V（压降，就是电阻两端的电压）；电阻的功耗：因为，功率=VxA，所以，0.0104x40=0.416W 。电瓶功率计算 电池容量通常用“安/时”表示。如：20A/H，就是放电1安培，可以维持20小时，放电2安培可以维持10小时。
但是只要乘上已知的电压值就得到了（或者是电流的平方再乘以电阻）。在很多场合下知道负载电流是特别重要的，有很强的指导意义。也就是好多需要选定的电子元器件的主要技术指标都 是与电流值相关的。如果知道了负载电流，大部分的器件就好选定了。我想你是知道功耗（功率）等于电流乘以电压的。
RS动态功率（RS Dynamic Power）是指在电子元器件或集成电路工作过程中，由于信号变化而导致能量消耗的功率。RS动态功率包括瞬态功耗和交替功耗两种。瞬态功耗是指由于信号变化的瞬间功率消耗，交替功耗是指由于信号的周期性变换而引起的平均功率消耗。
功率MOSFET的主要参数有哪些?
功率MOSFET的主要参数包括阈值电压（Vth）、比较大漏极电流（Idmax）、比较大漏极-源极电压（Vdss）和开启电阻（Rds（on）。阈值电压是指MOSFET导通时需要施加到栅极上的电压。较高的阈值电压意味着需要更高的电压才能使MOSFET导通。
选择MOSFET时，应考虑的主要参数包括：电压等级、导通电阻、栅极电荷、优值系数、额定电流和功率耗散。 电压等级：电压等级是MOSFET的一个关键特性，指的是漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流为250μA时，MOSFET能够承受的最高电压，以确保不损坏。
功率MOSFET的直流特性深受温度影响。以N沟道MOSFET为例，其关键参数如击穿电压BV、导通电阻Rdson、阈值电压Vth、反偏漏电流Ids和体二极管正向导通电压Vsd，均表现出显著的温度依赖性。BV，即漏源间体二极管在雪崩击穿时的电压，工业测试通常设定在栅极电压为0，漏源电流1mA或250uA时。
