肖特基导通电压（肖特基二极管导通特性曲线）
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肖特基二极管的耐压较低,反向漏电流较大,---较差
肖特基管只是耐压值低一些，其漏电流同硅管一样甚小。该填空题可能有误吧？假设真是肖管漏电流较大的话，那答案就是“工作可靠性”较差了。
肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用矽及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随著温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。
肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用矽及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50，而反向漏电流值为正温度特性，容易随著温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。
稳压二极管与肖特基二极管有什么区别?
1、①、首先这肖特二极管一般是整流用的。②、这稳压二极管是专门用于稳压，③、以上两二极管的性质不一样，这就 是两二极管的区别。
2、稳压二极管与肖特基二极管的区别在于：肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4v，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。
3、肖特基二极管是问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。和稳压二极管的外形可能相似。
4、齐纳二极管又称稳压二极管，肖特基二极管不是稳压二极管，它是整流二极管的一种。稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。
肖特基二极管与普通二极管有啥区别
主要区别 结构与原理：肖特基二极管采用肖特基势垒结构，而普通二极管多为PN结结构。肖特基二极管以金属和半导体之间的接触形成势垒，产生单向导电性；普通二极管依靠PN结处的电荷分布实现单向导电。
肖特基二极管与普通二极管的区别主要体现在以下几个方面： 工作原理的差异：肖特基二极管利用金属与半导体之间的接触势垒来实现整流效应，这种结构使得它具有较高的开关速度和较低的导通电压。而普通二极管则依赖于PN结的整流作用，通过半导体内部的电子和空穴的运动来产生电流，其开关速度相对较慢。
肖特基二极管与普通二极管的区别：内阻不同，压降不同。内阻不同：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
正向压降数值不同：直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。
肖特基二极管和普通二极管的主要区别在于其结构、特性及应用领域。结构差异 肖特基二极管是一种带有特殊结构的二极管，其结构主要由金属和半导体接触形成。这种特殊的结构使得肖特基二极管具有较低的电压降和较高的开关速度。而普通二极管则主要由PN结构成，具有更为传统的半导体特性。
肖特基二极管与普通二极管的主要区别在于其结构、特性及应用领域。结构差异 肖特基二极管，也称为瞬态二极管或热载流子二极管，其结构特点是采用金属与半导体接触形成的势垒作为整流元件。这种结构使得肖特基二极管的反向恢复时间极短，开关速度非常快。相比之下，普通二极管的主要结构是基于PN结。
导通压降最低的二极管
导通以后压降最低的二极管，目前是肖特基二极管。常用的有IN5819（最大电流1A），电流大些的用SB260、SR360等。
按参数比较，1N5817的导通压降为0.45V（450mV），比它更低的起码有同样是肖特基二极管的MBR0520（0.31V）、MSR0320（0.27V）、MBR120（0.34V）、MBRM110（0.28V）、MBRA120（0.35V）、MBRS410（0.33V）等，另外，锗二极管的正向导通电压一般也低于0.45V。
压降最低的是锗材料做的二极管，一般可达0.3V，但耐压更低，一般在100V以下，电流也不大；如过想得到电流几A，耐压几十V，压降0.3V的二极管有一个办法，用3AD30、3AD18等老式的锗大功率管C、B极代替，C是二极管正极，B是负。
该二极管为肖特基二极管。肖特基二极管是一种金属与半导体接触形成的二极管，它的特点是正向压降非常低，通常只有0.15V到0.45V左右，比普通的硅二极管低很多。肖特基二极管常用于低电压、高频的电路中，例如电源转换器、高频放大器、无线电接收机等。肖特基二极管与普通二极管的区别在于其结构和原理。
肖特基二极管和普通二极管的区别
主要区别 结构与原理：肖特基二极管采用肖特基势垒结构，而普通二极管多为PN结结构。肖特基二极管以金属和半导体之间的接触形成势垒，产生单向导电性；普通二极管依靠PN结处的电荷分布实现单向导电。
肖特基二极管与普通二极管的区别主要体现在以下几个方面： 工作原理的差异：肖特基二极管利用金属与半导体之间的接触势垒来实现整流效应，这种结构使得它具有较高的开关速度和较低的导通电压。而普通二极管则依赖于PN结的整流作用，通过半导体内部的电子和空穴的运动来产生电流，其开关速度相对较慢。
肖特基二极管与普通二极管的区别：内阻不同，压降不同。内阻不同：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
肖特基二极管与普通二极管区别如下：正向压降数值不同：直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。
肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。
肖特基二极管与普通二极管的主要区别在于其结构、特性及应用领域。结构差异 肖特基二极管，也称为瞬态二极管或热载流子二极管，其结构特点是采用金属与半导体接触形成的势垒作为整流元件。这种结构使得肖特基二极管的反向恢复时间极短，开关速度非常快。相比之下，普通二极管的主要结构是基于PN结。
