栅极电压小于阈值电压（栅极电压大于源极电压）
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mos管栅源极阈值电压什么意思
1、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、在MOS管中，阈值电压定义为背栅和源极连接形成沟道所需的栅极对源极的偏置电压。如果这个电压小于阈值电压，沟道无法形成，因此MOS管无法导通。而对于晶体管放大电路，偏置电压则是确保其在放大状态下的必要条件。直流偏置电压是指在基极-射极正偏和集电极-基极反偏的情况下，晶体管进入放大工作的电压设置。
3、MOS管的阈值电压等于背栅（backgate）和源极（source）接在一起时形成沟道（channel）需要的栅极（gate）对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
mosfet工作原理
因此，MOSFET的工作原理可以简要地概括为：利用栅极对源极和汇极之间通道区域产生的电场控制电流的流动。
MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的导电。当栅极和源极之间的电压达到一个阈值时，会引起场效应，使得通道中的电子受到在栅极附近形成的电场力的作用而形成电流。通道中电子阻力很小，能够快速地响应控制信号，使得MOSFET在高频条件下能够实现高精度的控制。
MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是一种常用的电晶体管，其作为开关时工作原理如下：当MOSFET处于关断状态时，其中间的漏极与基极之间没有电流。这是因为，在MOSFET的控制极（也称为网络极）上施加负电位时，漏极和基极之间会形成一层叫做“欧姆屏蔽层”的电荷层。
- 半导体（Semiconductor）：主体是半导体材料，常用硅。 工作原理 - 在没有电压施加到栅极时，MOSFET中的沟道是截至的，不导电。- 当在栅极上施加电压时，形成的电场改变了半导体中的电荷分布，使得在半导体中形成一个导电通道。- 这个通道的导电性质由栅极电压控制，从而调控了电流的流动。
MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种重要的半导体器件。它的结构和工作原理基于半导体物理中的场效应原理。工作原理 MOSFET通过控制输入端的电压或电流来控制输出端的电流。
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为二极管的原理： MOSFET是由金属、氧化物和半导体材料构成的器件，与二极管不同，它是一种场效应晶体管。 MOSFET的工作原理主要基于电场控制，而非多数二极管所依赖的PN结导通特性。
cmos截止电压的定义是什么
1、CMOS截止电压是指在CMOS器件中，MOSFET的截止阈值电压，即栅极电压低于该值时，MOSFET处于关闭状态，导电能力非常低。 对于N型MOSFET（NMOS），截止电压是指栅极与源极之间的电压（Vthn）。当栅极电压低于Vthn时，NMOS处于关闭状态，几乎不导电。
2、CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管构成，NMOS管V1作为驱动管，PMOS管V2作为负载管。NMOS管栅源开启电压UTN为正值，PMOS管栅源开启电压为负值，范围在2~5V之间。为确保电路正常运行，电源电压UDD需大于（UTN+|UTP|），UDD可工作在3~18V之间，适用范围较广。
3、开启电压大概是指数值上相等。 而且PMOS的VGS也是负的. 当VGS的绝对值大于VTH的绝对值时，PMOS开始导通。低电平时PMOS的VGS的绝对值很大，NMOS的VGS的绝对值很小，所以pmos导通，NMOS截止。
4、对于开关电路，一般情况下导通时电压降约0.3V（代表0），截止时的电压由电路设计决定。一般采用3V－5V（代表1）。
5、比如与芯片类型有关，74hcxx输入高低电平分界在0.3-0.7vdd之间，如果电源电压为5v，分界在5v到5v都算合格。所以低于5v肯定是输入低电平，高于5v肯定是输入高电平，而5v到5v则不能确定。所以ttl芯片不能直接驱动高速cmos，而高速cmos可以直接驱动ttl。
