齐纳电压与雪崩电压（齐纳电压与雪崩电压的区别）

本文目录一览：

• 1、电磁兼容(EMC):雪崩击穿与齐纳击穿的区别
• 2、二极管的击穿原理是什么,齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别?
• 3、二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?
• 4、PN结击穿特性
• 5、雪崩和齐纳击穿有什么用
• 6、问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?

电磁兼容(EMC):雪崩击穿与齐纳击穿的区别

两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。

齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。

性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

总结来说，雪崩击穿和齐纳击穿是两种不同的击穿机制，分别对应于不同的半导体材料和掺杂浓度。在实际应用中，需要根据具体的需求和条件选择合适的半导体器件和击穿机制。

发生的位置不同：雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。产生的机理不同：雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的，而齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。

二极管的击穿原理是什么,齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别?

击穿的原理就是电场强度（能量）达到一定程度，使原来不能参与导电的电荷变成自由电荷而且数量急剧增长。齐纳击穿与雪崩击穿只是其两种不同的表现形式而已，原理不赘述，课本上都有。回复楼下：别乱讲，只要限制电流与功耗，任何“击穿”都是可恢复的！实际上掺杂浓度决定了击穿类型。

两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。

齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。

雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。

二极管的击穿有两种击穿：齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。

二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?

1、雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。

2、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。

3、PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

PN结击穿特性

雪崩击穿：在掺杂浓度较低的PN结中，当阻挡层的电场增强，载流子速度加快，足以撞出共价键中的价电子，形成自由电子-空穴对。这个过程会引发连锁反应，导致阻挡层中载流子数量急剧增多，如同雪崩。击穿电压相对较高。

【答案】：当加于二极管两端反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，反向电压很小的变化就会产生很大的电流变化，而且有恒压特性，若此时反向电流不加限制，就会因管耗过大而损坏。

PN结的击穿特性 击穿现象通常发生在反向电压过高的情况下，分为齐纳击穿与雪崩击穿。齐纳击穿发生在掺杂浓度较高时，反向电压过大导致内电场增强，共价键中的电子被“拽出”，形成空穴对，导致反向电流急剧增大，瞬间半导体过热烧毁。

PN结的击穿特性 如图所示，当加在PN结上的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然急剧增大，PN结产生电击穿一这就是PN结的击穿特性。发生击穿时的反偏电压称为PN结的反向击穿电压VBR PN结的电击穿是可逆击穿，及时把偏压调低PN结即恢复原来特性。电击穿特点可加以利用 （如稳压管）。

pn结击穿：随外加反向电压增加，使pn结内部电场过强，破坏共价键而把电子强行拉出，产生大量的电子空穴对，使少数载流子急剧上升而击穿，这种情况称齐纳击穿。强电场使电子高速运动与原子碰撞，产生新的电子空穴对，连锁反应引起载流子数目剧增而击穿，这种情况称雪崩击穿。

雪崩和齐纳击穿有什么用

1、雪崩击穿和齐纳击穿的作用：雪崩击穿的具体作用：材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。

2、齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。

3、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。

问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?

1、齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。

2、性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

3、两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。

4、－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。