硅锗导通电压（锗和硅的导电能力）
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三极管中硅管和锗管的区别有哪些?
1、三极管中的硅管与锗管在多个方面存在差异： 导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。
2、三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。
3、早期的晶体管多数是由锗单晶制成的，包括二极管和三极管。后来随着硅材料及其制造工艺的解决使得硅管得到发展和普及应用。其主要区别是结压降不同，锗管的正向压降较低约0.3伏特，硅管的正向压降较高约0.7伏特。另外，由于硅材料资源广和制造工艺适宜大规模生产所以得到广泛使用而成为电子器件的主角。
4、出的载流子基本一样，都是电子和空穴，只是锗材料出载流子的能力比硅材料更强，在温度光照条件下，稳定性更差，所以振荡电路，选择锗材料的器件，更容易起振。完全可以，只要判断出PN结导通时候的压降就行，硅材料导通压降一般是0.6-0.7V，锗材料是0.2-0.3V。
5、锗管采用锗材料制作，其性能与硅管相似。然而，锗管在某些特定的应用场景下，如高频放大和快速开关应用，可能具有更好的性能表现。不过，由于锗的稀缺性和价格较高，锗管的应用不如硅管广泛。其他常用类型 除了硅管和锗管，还有一些其他类型的三极管在特定领域中也常用到。
6、锗管有PNP的，也有NPN的。那么为什么我们平时见到的硅管以NPN的为主，而锗管则是PNP的比较多呢？主要原因是硅管和锗管的制造工艺不同。硅管一般采用平面扩散工艺，比较有利于制造NPN型管，制造PNP相对麻烦些，而锗管因为材料性质与硅不同，比较适合合金法工艺，这种工艺相对比较适合制造PNP型管。
三极管的导通电压多大?
硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。
三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。
因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。
你说的0.6-0.7V是三极管基极导通电压。根据PN结的特性，在正向导通后，PN结电压与电流基本上呈现指数关系，在一定条件下可以认为PN结电压恒定为0.7V左右，PN结通过的电流只与外电路相关。在这个图中，你只需要知道三极管的BE之间为0.7V，BE的电流需要根据外电路和这个0.7V来计算就可以。
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三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。集电结加反向电压，就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来。
三极管的三个状态如何工作
1、三极管的三种工作状态分别是：截止状态、放大状态、饱和状态。 截止状态：当三极管基极电压低于一定阈值时，集电极和发射极之间无电流流动，相当于一个断路。对于NPN型三极管，截止的电压条件是发射结电压Ube小于0.7V，即Ub-Ue0.7V；对于PNP型三极管，截止的电压条件是Ueb小于0.7V，即Ue-Ub0.7V。
2、三极管的三种工作状态分别为截止状态、放大状态、饱和状态。三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。截止状态下，三极管各电极的电流几乎为0，集电极和发射极互不相通。
3、**放大状态（Active State）**：- 当三极管处于放大状态时，它被用作放大电流或电压信号的器件。在这种状态下，三极管的基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）之间有一定的电压和电流。通过控制基极电流，可以控制从发射极到集电极的电流，实现信号放大的功能。
4、三极管的工作状态主要分为三种。 截止状态：当三极管的发射结反偏，集电结也反偏时，三极管处于截止状态。在这种状态下，三极管的功能类似于被关闭的水龙头，其中水流无法流出。 放大状态：当三极管的发射结正偏，而集电结反偏时，三极管进入放大状态。
5、三极管，作为半导体器件中的一种，具有多种工作状态，分别是截止状态、饱和状态和放大状态。根据三极管的类型（PNP或NPN），具体的工作状态有所不同，但其基本原理和状态特征是相通的。截止状态是三极管的基本状态之一，此时三极管的基极相当于控制水流的阀门，若阀门未打开，则集电极的电流无法流向发射极。
6、VbS VBf[E]三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。
硅晶体管与锗晶体管有什么异同?
1、硅晶体管和锗晶体管都具有电流放大作用，所不同的是硅晶体管的死区电压比锗晶体管大；硅晶体管的导通电压约为0.7V，锗晶体管的导通电压约为0.3V；硅晶体管的反向电流比锗晶体管小得多；硅晶体管允许的最高工作温度比锗晶体管高；硅晶体管比锗晶体管稳定性好。
2、你好：——★由于采用的半导体材料不同，锗管和硅管两者的主要区别是：锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。
3、锗管耐压低，结受温度影响变化大，电流导通小，而硅管就不同了，结受温度变化影响极小，电流导通大，耐压高，除硅二三极管外，常用大电流二极管，可控硅管等，现代大规模集成电路，芯片，太阳能电池板等大量使用。
一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少
一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。
在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。
硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。
二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
