mos管阈值电压（MOS管阈值电压和沟道长度的关系）
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MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
1、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、当然会了，电器产品在设计之初，都会有自己有效使用年限，在超出最佳环境的情况下使用，会加快老化。
3、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
阈值电压的计算公式
在波形图上测量到gm（max）=26u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]。单限比较器阈值电压可以通过以下公式求得：Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]其中，Vth表示阈值电压值，Vref表示参考电压值，R1和R2分别为比较器的两个电阻。
正确的计算方法是，根据线性区的电流方程： 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。
然而，尽管理论公式揭示了阈值电压的物理含义，但在实际操作中，电流的转变并非线性，IV曲线往往难以精确找到转折点。这就引出了JEDEC推荐的计算方法——恒电流法和外推法。
单值比较器的输出电压可以通过以下公式计算：Vout=-Vref（Vin-Vth），其中，Vout表示比较器的输出电压，Vref表示参考电压，Vin表示输入电压，Vth表示阈值电压。当输入电压Vin大于阈值电压Vth时，输出电压Vout为参考电压Vref；当输入电压Vin小于阈值电压Vth时，输出电压Vout为-Vref。
mos管栅源极阈值电压什么意思
1、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、在MOS管中，阈值电压定义为背栅和源极连接形成沟道所需的栅极对源极的偏置电压。如果这个电压小于阈值电压，沟道无法形成，因此MOS管无法导通。而对于晶体管放大电路，偏置电压则是确保其在放大状态下的必要条件。直流偏置电压是指在基极-射极正偏和集电极-基极反偏的情况下，晶体管进入放大工作的电压设置。
3、它指的是在传输特性曲线中，输出电压经历显著转折，从稳定状态向非线性区域转变时对应的输入电压点。不同类型的器件，如MOS管，其阈值电压体现了器件从耗尽型向反型态转变的转折点。当MOS管的栅电压达到这个值时，它会从截止状态转变为导通状态，这是MOSFET性能的一个重要标志。
