mos管电压电流曲线（mos管电流走向）
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一文详解NMOS管的特性曲线(二)——转移特性曲线
转移特性曲线描绘了MOS晶体管在固定VDS值下，源漏电流IDS随栅源电压VGS变化的轨迹。提取阈值电压有多种方法。恒电流法是在转移特性曲线上寻找电流I等于宽度与长度乘积乘以100亿分之一时的栅极电压。
转移特性曲线描绘了在保持VDS值不变的情况下，MOS晶体管的源漏电流IDS如何随栅源电压VGS变化的图形。
本文详细解析NMOS管的特性曲线，重点关注输出特性曲线。输出特性曲线描绘的是固定栅源电压VGS（大于阈值电压Vth）时，NMOS管的源漏电流IDS随栅漏电压VDS变化的关系。阈值电压Vth定义为当半导体层处于临界反型状态时，施加于MOS管栅电容两端的电压值。输出电流电压关系表达式描述了电流与电压之间的数学关系。
N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样，其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。
且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。对于P沟道增强型MOS管，无论是结构、符号，还是特性曲线，与N沟道增强型MOS管都有着明显的对偶关系。其衬底是N型硅，漏极和源极是两个P+区，而且它的uGS、uDS极性都是负的，开启电压UTP也是负值。
MOS管的导通过程及损耗分析
MOS管在导通过程中存在导通损耗，即Rds（on）与Id的乘积。在导通过程中，MOS管会经历米勒平台阶段。这是由于Vgs的增加导致栅极电荷增加，从而对栅极与源极之间的寄生电容Cgd进行充电。这一阶段Vgs保持不变，直到栅极电荷达到足以显著影响Cgd充电过程的程度。
MOS管导通过程分析 MOS管和三极管的特性曲线分别如图1和图2所示，它们各自区间的命名有所不同，其中MOS管的饱和区也称为恒流区、放大区。其中一个主要的不同点在于MOS管有个可变电阻区，而三极管则是饱和区，没有可变电阻区的说法。
MOS管导通后存在导通电阻，导致在电阻上消耗能量，这部分能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOS管可以减小导通损耗。MOS管在导通和截止过程中并非瞬间完成，存在电压下降和电流上升的过程，这一过程中产生的电压和电流的乘积称为开关损失，通常开关损失比导通损失大得多，且开关频率越高，损失越大。
电路设计过程中，必须避免线性工作状态，兼顾频率响应和散热。选择MOS管时，需关注Qgs（栅极充电电荷）、Qgd（米勒平台总电荷）和Qg（总充电电荷）等关键参数，同时，导通内阻Rds（on）越小，损耗越小。过流、过压和静电是可能的损坏原因，而开关速度和米勒震荡效应则是需要精细处理的复杂过程。
米勒平台为什么是从t0开始
米勒平台从t0开始，说明是MOS管开关电路导通过程中MOS管电压电流的变化曲线。在t0~t1时间段内，Vgs小于阈值电压Vgs（th）时，MOS管处于截止区关断，漏极电流Id=0，漏源极电压差Vds为输入电压Vin。
MOS管的导通过程包含以下阶段：当VGS达到开启电压时，开始进入可变电阻区。 在t0到t1阶段，VGS以指数形式从0V升至开启电压Vth，驱动MOS管开通，G极电压通过RGATE。 t1到t2阶段，随着VGS的增加，ID逐渐饱和，形成CGD放电回路，且VDS承受较大损耗。
米勒效应对MOSFET开关过程的影响显著。此效应令输入输出间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，增加等效输入电容值。此现象导致MOSFET栅极驱动过程中形成平台电压，引起开关时间延长，损耗增加，对MOS管性能产生不利影响。MOS管的开通与关断过程及米勒平台的形成被详细分析。
MOS管的C-V电容变化曲线
1、通过0.18工艺的5V MOS管，可仿真MOS电容：执行ac仿真，Gate上电压交流信号幅度为1，扫描直流电压V，频率固定为一定值1/2π。电容值通过以下公式计算，电流I等于电容值。 当source、drain与背栅连接。
2、电容的定义是电荷对电压的微分，因此C-V曲线的计算正是从Q-V曲线求导计算出来的。
3、首先，我不懂什么CV曲线和极谱分析，就好奇的搜索，真找到与你的问题相关的文章，也不知道是否对你有用，你自己去看，在百度文库里两篇文章搜索关键字“CV曲线分析”，“MOS C-V技术讲座演示稿”，有用你就看看，没用只能说“对不起，耽误您时间了”。
4、MOSFET的电容特性随栅压变化，从多子积累、平带、耗尽到反型，电容值相应变化。在高频交流信号下，反型层的电子供应受限，电容表现可能与氧化层电容并联。实际MOSFET会受到功函数差、电荷和界面态的影响，导致C-V特性与理想情况有所偏差，这通过调整平带电压和阈值电压的计算公式来体现。
电力mos管为什么有损耗
图3 MOS管导通曲线 我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。
MOS管的损耗主要包括开关损耗和导通损耗。开关损耗主要发生在米勒平台阶段，与米勒平台的时间长度和Cgd的大小成正比。导通损耗则与Rds（on）和流过MOS管的电流成正比。在同步BUCK拓扑电路中，MOS管的开关损耗可以通过考虑导通和关断过程中的电压和电流变化来估算。
开关损耗。根据查询相关公开信息显示，开关损耗通常MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。MOS，是MOSFET的缩写，MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。
MOS管的损耗主要在两个方面，导通损耗，这个很好理解，就是本身 内阻的损耗。开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。 频率越高，开关的次数就越多，所以它的损耗就越高。
