pn结的击穿电压（pn结的电击穿包括哪两类）
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pn结反偏的特征
1、pn结正向存在一个导通电压，反向存在一个击穿电压，所加正向电压小于导通电压时pn结呈现很大的电阻，即通过的电流很小，一旦高于导通电压，正向电流迅速增加；在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，当一旦高于击穿电压时，反向电流即迅速增加。
2、PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，形成较大的正向电流；PN结反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。通常的说法是在不加外电压时，这个PN结中P区的多子是空穴，N区的多子是电子（通常只考虑多子），因为浓度差，载流子必然向浓度低的方向扩散。在扩散前，P区与N区的正负电荷是相等的，呈电中性。
3、、与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。简单来说：二极管有N，P两个极。将电源正极与二极管P极相连就是正相偏置，二极管处于导通状态；反之正极接N极就是反向偏置。
4、是促进P区少子移动，当E小的时候，无法克服多子漂移，所以少子电流很弱，表现为反向截止。
5、反偏时：势磊增大，漂移增强，P区中空穴远离空间电荷区运动，留下不可移动的负离子，PN结宽度增大，漂移电流大于扩散电流，此时产生反向电流，但是电流非常小。当电压到0.几伏时，电流不再变大，此时电流叫做反向饱和电流。
6、对于NPN晶体管基极电压为-0.几伏，就为反偏，基极与发射极电压0.1V以上都为正偏。PNP管正好相反。
为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低?
齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成电子一空穴对，从而产生大量的载流子。
雪崩击穿：在掺杂浓度较低的PN结中，当阻挡层的电场增强，载流子速度加快，足以撞出共价键中的价电子，形成自由电子-空穴对。这个过程会引发连锁反应，导致阻挡层中载流子数量急剧增多，如同雪崩。击穿电压相对较高。
这个过程称为场致激发。随着温度的升高，被束缚在共价键上的价电子具有较高的能量状态，因而，在电场作用下，比较容易挣脱共价键的束缚，产生自由电子—空穴对，形成场致激发。所以齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。
电压承载（耐压）能力。集电极和基极的PN结可以承受高的逆向电压，但是发射极和基极PN结并不是不是用来承载高电压的，所以如果把发射极做为集电极使用，会导致三极管的耐压下降，容易击穿。这也是集电极的掺杂水平不能太高的原因。载流子的区别。
PN结的掺杂浓度越高，反向饱和电流I0就越大，反向击穿电压越低。可以用一个三极管来测量一下：集电结的掺杂浓度低，与掺杂浓度较高的发射结相比，反向饱和电流小，反向击穿电压高。这方面找一个锗管来测量更明显一些。
击穿电压的含义
击穿电压的含义介绍如下：使电介质击穿的电压。定义 ：PN 结发生临界击穿对应的电压为 PN 结的击穿电压 BV，BV 是衡量 PN结可靠性与使用范围的一个重要参数，在 PN 结的其它性能参数不变的情况下，BV 的值越高越好。概述 使电介质击穿的电压。
击穿电压是指使电器元件达到其耐压值后，超过此值元件即会损坏的电压。这是电介质在足够强电场作用下，由绝缘状态转变为导电状态，即电介质击穿时对应的电压。电介质击穿的电场强度称为击穿场强。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。击穿场强与电容器介质和两极板的距离成正比。
击穿电压：达到这个值，电容器就会损坏。（肯定高于最高工作电压，是能损坏电容器的最低电压。）电容器上标的电压：额定电压 电容器：通常简称其容纳电荷的本领为电容。“装电的容器”电容器种类很多，用途广泛。
击穿电压（Uaw，Ua）：击穿前能连续加在保护器指定端的最高瞬间时电压值.过压保护在下列情况下被击穿： a）如果流过电阻元件的电流峰值超过1mA； b）如果过压引起流过保护器的电流峰值超过1mA.CCEE安全认证：CCEE安全认证标志又称长城标志，为电工产品专用认证标志。
在一些高反压晶体管的规格书上，有些反向击穿电压以BVcer和BVcbr来表述。此种表述的含义是： BVcer——基极与发射极之间，接有一只KΩ量纲的电阻，其它测试原理、测试条件与BVceo相同。同样，BVcbr在测试晶体管的C-B结的反向击穿电压时，其晶体管的发射极不是悬空，而是通过一只KΩ量纲的电阻接到“零电位”。
影响击穿电压的因素有?
1、影响液体电介质击穿电压的因素：杂质：杂质会影响液体电介质的均匀度，影响其击穿电压。温度：温度会影响液体电介质的结构和分子运动，影响其击穿电压。电场的均匀程度：电场的均匀程度会影响电场强度的分布，影响液体电介质的击穿电压。
2、影响击穿电压的因素主要有：（1）电极的形状，电极的曲率半径越小，击穿电压越低，越容易放电。（2）电极的极性，棒状电极对平板电极放电时，当棒状电极带负电时，击穿较困难，击穿电压高，带正电时，击穿电压较低，容易发生击穿。
3、影响击穿电压的因素有水分。说明：水分是影响击穿电压灵敏的赃物，因为水是一种极性分子，在电场力作用下，很容易被拉长，并沿着电场方向排列，从而在两极间形成导电“小桥”，使击穿电压剧降。另外，击穿电压的大小不仅取决于含水量，还取决于水在油中所处的状态，通常乳化水对击穿电压影响大。
4、设备或材料的结构和材质是影响击穿电压的最重要因素。设计和制造工艺的不同，以及材料的耐电强度，都会对设备的击穿电压产生影响。 环境因素对击穿电压的影响：环境因素如湿度、温度、气压等也会对击穿电压产生一定影响。设计和使用电器设备时，需要考虑这些因素，以提高设备的可靠性和安全性。
5、影响固体电介质击穿电压的主要因素有：电场的不均匀程度，作用电压的种类及施加的时间，温度，固体电介质性能、结构，电压作用次数，机械负荷，受潮等。①电场的不均匀程度：均匀、致密的固体电介质在均匀电场中的击穿场强可达1～10MV/cm。击穿场强决定于物质的内部结构，与外界因素的关系较小。
电容器的击穿电压与额定电压有什么不同?
性质不同：击穿电压的PN结发生临界击穿对应的电压为 PN 结的击穿电压BV。额定电压是电气设备长时间正常工作时的最佳电压。特点不同：当电气设备的工作电压高于额定电压时容易损坏设备，而低于额定电压时将不能正常工作（如灯泡发光不正常，电机不正常运转）。
简单来说，额定电压是浪涌保护器在长时间运行下的最大电压，而击穿电压是电容器的极限电压，一旦超过这个值，电容器内部的介质会被破坏。在不超过额定电压的条件下，电容器的工作是安全可靠的，人们不应将电容器的正常工作条件仅限于额定电压。
击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿，额定电压是电容器长期工作时所能承受的电压，它比击穿电压要低，电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的，不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。
耐压值：电容不被击穿所能承受的最大电压，一到超过耐压值电容就会损坏。（在进行测试的时候会提供耐压值标定的电压，但是不会进行很长时间以防止长时间高压损坏电容。）额定电压：保持电容长期稳定工作的标准电压。
电容器的耐压值是指它允许加的电压的最大值（工作电压的最大值要小于等于耐压值才安全）。
问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?
齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。
性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。
两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。
－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
