闸极电压（电闸的极数和额定电流怎么看）
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栅极电压为
栅极通常加负电压，用来控制阴极发射出来电子的流量。栅极：是由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
电子束交叉点到荧光屏的距离为0.190米，栅极电压为0至-80V，灯丝电压为AC 3V，热丝电流为AC 0.15A±0.02A。水平偏转因数为26～40 V / cm，垂直偏转因数为12～23 V / cm，Y轴电偏转灵敏度大于0.7mm/V，Y轴磁偏转灵敏度大于0.3mm/mA，两对偏转板扫描线间垂直度为90±5°。
mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
当栅极电压为负电压时，PMOS处于导通状态，栅极电压为正电压时，PMOS处于截止状态。PMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为负值时，PMOS导通。PMOS用于在逻辑电路中实现逻辑功能，如负责逻辑门的电源。NMOS（N型MOS）：NMOS是一种N型半导体MOSFET，其主要由N型材料制成。
NMOS（N型MOS）：NMOS由N型半导体材料制成。栅极电压为正值时，NMOS导通；栅极电压为负值时，NMOS截止。当栅极电压与源极电压之差（VGS）为正值时，NMOS导通。NMOS同样在逻辑电路中应用，常与PMOS配合使用，以实现CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑。
mos栅极电压是多少
1、mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
2、电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。
3、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
4、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
5、大部分MOS管指定了最大栅源极间电压（±20V）。MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压（±20V）。如果超过这个限制，器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断，器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极，引起栅极电压超限的问题。
6、MOS管导通时栅极电压是5伏左右。20伏是极限电压。
mos管的栅极电压大于0v时就可以导通
1、MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过的电流也就越大。
2、MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
3、工作是什么意思？就是起作用，起到我们想要它实现得功能得作用，当然就是导通得意思。从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
电子管栅极有直流电压正常吗
1、正常。电子管栅极有直流电压是正常的，有些电子管使用自给栅负压，通过调整阴极电阻上的电压来获得，阴极电阻上的电压相对于栅极来讲就是负压，而供给功率管栅极偏压值（使用固定偏压），数值应接近栅压绕组交流电压值。
2、正常。因为805电子管栅极电压的正常取值范围为-30V至-8V，存在杂散场强、附加静电场和补偿静电场时栅极电压会有所偏移。
3、正常数值应接近负载的直流电阻值。测量电压放大、推动到。栅极通常加负电压，用来控制阴极发射出来电子的流量。第一阳极又叫加速极，应该加正电压，吸引电子，给已经穿过栅极的电子流加速，奔向荧光屏。电解电容串联两个电容串联总耐压为两个电容之和。
4、栅极通常加负电压，用来控制阴极发射出来电子的流量。栅极：是由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
5、栅负压是供给栅极的直流电压，确保电子管正常工作的关键。栅负压的供给有两种方式：自给式和固定式。自给式利用电子管屏流通过阴极电阻产生的电压降来提供栅负压，这种方式通常用于屏流稳定的甲类放大电路。
6、栅源电压是指场效应管的栅极（G）与源极（S）之间的电压。场效应管是类似于电子管性能的一种半导体器件，是电压控制型的器件，输入阻抗很高，栅源电压影响输出电流的变化，场效应晶体管的英文简称为FET，中文简称为场效应管或者单极型晶体管。
JFET的栅极电压如何影响电子或空穴的运动?
1、在N沟道JFET中，当漏极电压相对于源极为正时，电子从n型半导体流向p型半导体，形成电流；而在P沟道JFET中，空穴则在相反方向流动，即当漏极电压相对于源极为负时。
2、当栅极电压（VGS）增加时，半导体表面的多数载流子（通常是空穴）减少，耗尽层扩展，而电子积累在表面，形成导电沟道。当源漏电极之间加上电压（VDS）时，沟道中会有电流流过；金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）。MOSFET由一个金属层（通常是铝）制成的栅极和一个二氧化硅绝缘层隔离的源极和漏极组成。
3、JFET的栅极电压通过控制沟道的电阻来调节源极和漏极之间的电流。在MOSFET中，栅极电压通过改变氧化物层下面的沟道中的电荷浓度来控制源极和漏极之间的电流。 JFET和MOSFET的结构也有所不同。JFET的结构类似于一个PN结，它有一个P型或N型半导体材料的沟道，以及两侧的源极和漏极。
4、当晶体管的发射极和基极之间加上正向电压时，基极的空穴会受到电场的作用向集电极运动，同时带动集电极的电子一起运动。这样，晶体管的集电极电流就会受到基极电流的控制。
MOS管栅极电压选择技巧
1、电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。
2、mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
3、MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。一般情况下，电阻的额定功率应为 MOSFET 的额定功率的两倍。
4、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出2~5倍的电压余量。
5、首先，确定沟道类型。在低压侧开关中，应选择N沟道MOS管，而在高压侧开关中，P沟道MOS管更为合适，这取决于驱动电压的需求。其次，确认额外电压。必须确保MOS管的额外电压大于实际工作电压，以提供足够的保护，防止由于温度变化导致的失效。
6、选择MOS管时需考虑以下关键参数：栅极阈值电压（VGSth）、漏源导通电阻（RDS（on）、连续漏极电流（ID）、脉冲漏极电流（ID脉冲）、栅源电压（VGS）、漏源电压（VDS）、功耗、工作和储存温度、热特性、动态特性、栅极平台电压（Vplateau）、雪崩能量、安全工作区、电流应力、电压应力。
