热电压（热电压vt）
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rbe是什么
1、rbe是晶体管的交流输入电阻，它代表了从放大电路的输入端看进去的等效电阻。它由三个部分组成，分别是基极体积电阻rbb、发射极体积电阻和基极与发射极之间的结电阻。其中，基极体积电阻rbb的值一般在数十至二三百欧之间，这部分电阻相对较大。而发射极体积电阻由于非常小，所以在计算rbe时可以忽略不计。
2、rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。
3、一般rbe，是晶体管接成共发射极方式，π形等效电路中，从基极看去过的基极—发射极交流电阻。
请问晶体管的UT是什么参数,为什么常温下取值26mV?
总的来说，晶体管的UT参数并非孤立存在，而是温度、量子物理与电路工程的交叉点，它在常温下看似微不足道的26mV，实则蕴含着电子世界的精密与奥秘。深入理解这个参数，对于我们揭开电子世界面纱，推动科技发展具有深远的意义。
题主是否想询问“ut等于26mv吗”？等于。UT是温度电压当量，常温下UT=26mv，则ID为静态电流。ut的静态电流ID越大，rd将越小。
UT是温度电压当量，常温下UT=26mv（T=300K）。在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。
请问题中26mv是如何得出的?
1、这里的26mV是一个叫温度电压当量的电压量的计算值。温度的电压当量UT：闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压（Thermal voltage）。也称为温度电压当量。温度电压当量关系是与热力学温度成正比的。
2、Vbeq为发射结的静态压降=0.7V，就是硅PN结的导通压降即0.7V。rbe计算式中出现的26mV，该量是“温度的电压当量”VT，常温（300K，即285℃）时VT=26mV。
3、当我们将这些基本物理量代入公式，我们便能得到UT的数值。在常温27C下，热电压Vt大约为26毫伏（mV），这个数值看似微小，但在晶体管的开关动作和电路设计中却发挥着至关重要的作用。它影响着晶体管的开启电压，决定着电路的阈值，从而决定了电子信号的传输效率和稳定性。
4、这里的“交流电阻”的意思是“在市电（220V正弦交流电）作用下的等效电阻”。交流电阻 = UT/Id，其中UT是个常数26mV（与温度和材料特性相关）。因此交流电阻 = 26mV÷1mA = 26Ω。26mV这个常数是要背下来的。
5、晶体管输入电阻一般用符号rbe表示，其中26是温度的电压当量UT，在室温时UT=26mV，分母电流应该是发射极电流Ie，这个估算公式应该写为：rbe=300+（1+β）26（mV）/Ie 其中300表示体电阻，单位是Ω。
