大的肖特基开启电压（肖特基的三个引脚）
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肖特基二极管型号有哪些
A正向电流肖特基二极管常用型号：东沃电子提供多种1A正向电流肖特基二极管型号，涵盖DO-4SOD-12SOD-123FL、SOD-32DO-214AC（SMA）、SMA-W、SMAF、DO-214AA（SMB）封装类型。
肖特基二极管有许多不同的型号，每个型号都有不同的特性和应用范围。以下是一些常见的肖特基二极管型号：a. 1N5817 - 这是一款常用的通用肖特基二极管，适用于一般的低电压、高速开关的应用。b. 1N5819 - 这是一款高电流肖特基二极管，适用于大功率应用。
在5A电流的应用中，肖特基二极管系列SS52至SS520是常见且广泛使用的型号。其中，SS52~SS520系列由东沃电子生产，包括贴片肖特基二极管，具备20V~200V的反向电压、5A的正向电流等特性，具有低漏电流、高可靠性、符合ROHS标准和多种封装形式（SMA、SMB、SMC），支持小批量试产，且提供免费样品。
肖特基二极管常见型号肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
- SS110：电流1A，压降0.85V，封装SMA。- SS110-Q：电流1A，压降0.85V，封装SMA。- DSS110：电流1A，压降0.85V，封装SOD-123FL。- DSS110L：电流1A，压降0.75V，封装SOD-123FL。同时，东沃电子还提供了电流为2A、3A、5A和8A的100V肖特基二极管型号，具体型号和参数请参考产品手册。
肖特基二极管的常见封装类型包括SOD-12SOD-123FL、SOD-32SOD-52DO-214AC （SMA）、SMA-W、SMAF、DO-214AA （SMB）、SMB-W、SMBF、DO-214AB （SMC）、DO-4DO-1DO-2R-TO-277B等。其中，SMA-W和SMB-W封装形式的肖特基二极管在工业应用中尤为常见。
肖特基二极管结电容大为什么能在高频整流?
1、肖特基二极管（Schottky二极管）之所以在高频整流应用中表现出色，与其结构和工作原理有关，其中结电容是一个关键因素。肖特基二极管的结电容远远小于常规的PN二极管。这是因为它的结由一个金属与半导体（通常是硅）之间的接触组成，而不是PN结。这个金属-半导体接触不会形成PN结的额外电荷层，因此减小了结电容。
2、结电容一般和PN结的面积有直接的关系。用于低频整流，结面积大，结电容大，PN结上电流密度小，有利于减少发热，所以低频整流结电容大反而好。用于高频整流，结面积大，结电容大，电容效应强，通过结电容漏过的电流大，发热大，反而不好。
3、肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A以下，反向恢复时间在10～40ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中，是比较理想的。
4、肖特基二极管的优点包括低正向导通压降、快速恢复时间、低结电容和高电流密度，使其在高速开关、射频应用和电源管理中大显身手。但需要注意的是，它也有反向电流较大和最大反向电压较低的缺点。在实际应用中，肖特基二极管被用于整流、信号调节、电源管理和保护电路，如射频混频器、功率整流、电压钳位等。
5、肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路，作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用，肖特基二极管在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
肖特基二极管的区别
1、主要区别 结构与原理：肖特基二极管采用肖特基势垒结构，而普通二极管多为PN结结构。肖特基二极管以金属和半导体之间的接触形成势垒，产生单向导电性；普通二极管依靠PN结处的电荷分布实现单向导电。
2、肖特基二极管与普通二极管区别如下：正向压降数值不同：直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。
3、工作原理的差异：肖特基二极管利用金属与半导体之间的接触势垒来实现整流效应，这种结构使得它具有较高的开关速度和较低的导通电压。而普通二极管则依赖于PN结的整流作用，通过半导体内部的电子和空穴的运动来产生电流，其开关速度相对较慢。
4、肖特基二极管与普通二极管的区别：内阻不同，压降不同。内阻不同：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
