通态电压（通态电压和断态电压）

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1、Is = 10/√2 = 071 A Ur = Is * R = 2113V Uc = Is * Zc = 2884V 单位要断网一会儿，有空再做。

2、串联电路电流处处相等，∵Xc=R ∴电容两端的电压等于电阻两端的电压，假设均为U1 U是电容两端电压和电阻两端的电压的向量和。

3、电路电抗X=ⅩL-Xc=16-10=6Ω 电路模Z=√（R^2+X^2）=10Ω 电路电流有效值I=220/10=22A 电感电压UL=XLxⅠ=16x22=352Ⅴ 总电压与电流的相位角为arctgX/R=art6/10=39度，电压超前电流。

4、解：直流电压源单独作用时，加流电压源短路。同时，在直流电路中，电感相当于短路、电容相当于于开路。左图。因此：uR=Us=4V。交流电压源单独作用时，直流电压源短路。右图。

5、解：（1）Uab=240V，则相电压：Ua=Uab/√3=240/√3=1356（V）。（2）由于电源为三相对称电源、负载为三相对称负载，所以中线电流为零。线电流I=相电流Ia=Ua/|Za|=1356/4=364（A）。φ=60°，则：cosφ=cos60°=0.5。S=√3UI=√3×240×364=14400（VA）。

硅二极管的正向最低导通电压为0.7v那么它的的正向最大导通电压是多少呢...

二极管不给出正向最大导通电压，只给出在额定电流下的最大通态电压。这个通态电压是越小越好。“导通”的意思是有这么高电压才能通，“通态”的意思是在已经导通的状态下。至于非要阳极必需比阴极大0.7V吗，对的，这是材料的固有特性，若小于0.7V，只有微微的漏电流，基本不导通。

硅二极管正向导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

受参杂浓度、制作工艺、温度、半导体材料等因素影响VF并非固定不变的，经计算，硅在300K下，一般在0.6--0.7v左右。通常我们取0.7v（也有的书取0.6v）就可以了。从上面的公式看出当温度升高时，对应的VF也升高，所以说当温度较高时，VF是可能大于0.7v的。

答硅二极管的正向导通压降压大约为0.6V~0.8V，。二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。 正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

对于VDVD2和VD3三支二极管单独而言，都是承受的正向电压，都是有可能导通的。但是，由于三个支路并联，必然只有一条支路导通，且二极管所承受电压最大的那只支路导通。所以VD3导通，因为硅二极管导通电压为0.7V，所以：Uo=0.3+0.7=0（V）。此时，VDVD2承受了反向电压，所以都是截止的。

iegt如何实现低通态电压并具有高耐压特性?

在电力电子器件的领域中，IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）作为一种突破性的设计，其耐压能力达到了惊人的4KV以上，是IGBT系列的重要成员。其核心原理在于采用增强注入结构，成功降低了通态电压，这对于大容量电力设备的性能提升起到了决定性作用。

IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。

IEGT是耐压高、性能优秀的IGBT改进型，通过电子注入技术降低通态电压，具有低损耗、高速度和高耐压特性。集成电力电子模块（IPEM）和PEBB（电力电子积木）则实现了模块化和智能化，简化了系统设计，提高了效率和可靠性。超大功率晶闸管尽管面临新技术的竞争，但其高电压、大电流特性在特定领域依然重要。

通态平均电压是越大越好还是越小越好?

通态平均电压是在规定环境温度、标准散热条件下，可控硅（晶闸管）通以半波额定电流时，阳极与阴极间管压降的平均值，此值越小越好，可降低电路损耗和减少元件发热量。

首先，断态重复峰值电压（VDRM）是指晶闸管在关断状态时，能够承受的最高瞬时电压，它决定了设备在极端情况下是否能保持可靠的安全性。其次，通态平均电流（IT（AV），即在正常工作状态下，允许流过的平均电流，这是衡量晶闸管负载能力的重要指标。

、通态平均电压值是衡量晶闸管质量好坏的指标之一，其值（ A ）。A、越大越好 B、越小越好 C、适中为好14 、高压电动机常采用（ C ）保护装置作过负荷的保护，常采用（ A ）保护装置作相同短路保护。A、电流速断 B、定时限过电流C、反时限过电流 D、热过载15 、真空断路器的触点常采取（ D ）。

最大通态压降（VTM）：这是功率管在通态时两端的电压降，越小越好，因为这意味着功率管的导通损耗越小。n1600的VTM为5V。最大关断时间（tq）：这是功率管从通态转为关态所需的时间，越短越好，因为这意味着功率管的响应速度越快。n1600的tq为100us。

通态峰值电压怎么理解?

1、就是晶闸管导通时的管压降，通态峰值电压就是晶闸管导通且通过峰值电流时的管压降。

2、通态就是导通状态。峰值电压就是在电话的电压中最高的那个电压。例如：某个开关器件在导通的状态下所能承受的最高电压。

3、VRRM代表反向重复峰值电压，指的是可控硅在反向电压重复峰值条件下能承受的最大电压。IDRM则是断态重复峰值电流，描述的是可控硅在断态时，重复峰值电流的大小。ITSM指的是通态一个周波不重复浪涌电流，即可控硅在通态下，一个周期内不重复出现的最大电流值。

4、VTM为通态峰值电压，表示在可控硅正常工作状态下的最大电压。这一参数是确保设备稳定运行的基础。IGT是门极触发电流，即在控制信号作用下，门极需要的最小电流以引发可控硅导通。这直接影响到设备的开关速度。VGT代表门极触发电压，表示在门极上施加的最小电压以触发可控硅导通。

5、通态峰值电压（VT M）：选择低VT M以减少热损耗。维持电流（IH）：考虑结温影响，IH值会随温度升高而减小。电压上升率抵制：确保dv/dt值在安全范围内，防止误触发。只需根据具体的应用和设备参数，选择满足要求的双向可控硅型号即可进行替换。无需参考额外资料，直接对比型号规格即可进行替换操作。

IGBT通态压降为多少

1、VCEsat 一般2-4V。（同样的管子集电极电流越大VCEsat越大，同样的管子驱动电压越高VCEsat越小）。

2、由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2~3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。IGBT 的转移特性与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th） 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。

3、通态电压Uds（on）和通态电流Ids可以通过相应的公式进行计算，其中，N+区域的存在可以降低通态压降，使得IGBT在1000V耐压下通态压降仅为2~3V。动态特性包括开通过程和关断过程。在开通过程中，IGBT大部分时间作为MOSFET运行，直到漏源电压Uds下降，PNP晶体管从放大区转至饱和区，增加了一段延迟时间。

4、IGBT的通态压降在1-2V左右，这样通态损耗功率就在200-400W，四只管子的损耗就相当于一个电饭锅了。还有开关损耗也必须考虑。建议你如果对电机低速性能和平稳性快速性要求不高的话，尽量用低一点的频率，在1-3KHz左右，尽量降低开关损耗。

5、IGBT的通态压降较小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。在断态下，只有很小的泄漏电流存在。动态特性包括IGBT在开通过程中的行为，大部分时间作为MOSFET运行，但在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管从放大区过渡至饱和区，增加了延迟时间。

关键词：通态电压