半导体二极管导通电压（半导体二极管的导电电压是多少）

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半导体二极管(硅管)的导通电压是多少?

1、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。

2、正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。

3、导通时二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。

4、锗二极管的导通压降在0.15-0.2V，硅二极管的导通压降在0.5-0.7V，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3V。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。

5、是的，稳压二极管按照半导体材料可以分为硅管和锗管。他们在各自的特性和应用中存在一些差异： 硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。

二极管导通电压怎么算?

1、二极管截止，Uao = -6V 二极管导通，Uao = -3V（假设二极管为硅管，有0.7V压降） VD1不导通，VD2导通，Uao = -0.7V（假设二极管为硅管，有0.7V压降）解释：假设不加二极管（以o点为0点位点），那么左右的电压分别为-3V和-6V，左边的电位比右边的高，所以加上二极管也不会导通。

2、先假设二极管不存在，或者说不导通，此时分别求出V+、V_，如果V+ V_说明二极管会导通，反之截止，这里是以B为参考电平点。

3、如果二极管截止，UA=-12V，UB=-6V，UBUA，所以二极管导通。所以输出电压：VAO=-6V-VD。VD=UBA，是二极管正向导通电压。如果是理想二极管，则：VAO=-6V。

4、在图a中， 首先求得A电电位为 10X2000/（2000+500）=8V， 8V-6V二极管D的导通电压， 所以此时二极管导通。 此时二极管的电流为其导通电流。图a中的6V只是表示二极管负极的电位为6V， 举个例子，如果A点电位也为6V的话，此时二极管D不会导通的， 通过二极管的电流就为0。

5、本友是先假设所有二极管都导通，来计算节点电压。然后计算二极管电流。若二极管电流真的正向流过，就判断是真的导通，否则就判断其截止。

什么是二极管的导通压降

1、二极管的导通压降指的是在二极管导通时，电流通过二极管时所产生的电压降。对于正向偏置的二极管（即P型半导体连接至正电源，N型半导体连接至负电源），导通压降通常在0.6V到0.7V之间。

2、二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

3、正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。

4、二极管的压降是指二极管在正向导通时，其两端所需的最小电压降。也就是说，只有当二极管两端的电压超过这个压降值时，二极管才会开始导通电流。详细来说，二极管是一种具有单向导电性的电子元件。它由P型半导体和N型半导体组成，这两种半导体的交界处形成了一个PN结。

二极管导通的时候二极管电压怎么算?

1、二极管导通，Uao = -3V（假设二极管为硅管，有0.7V压降） VD1不导通，VD2导通，Uao = -0.7V（假设二极管为硅管，有0.7V压降）解释：假设不加二极管（以o点为0点位点），那么左右的电压分别为-3V和-6V，左边的电位比右边的高，所以加上二极管也不会导通。那么输出电压就是-6V。

2、先假设二极管不存在，或者说不导通，此时分别求出V+、V_，如果V+ V_说明二极管会导通，反之截止，这里是以B为参考电平点。

3、因为二极管阳极电压为15-12=+3V，阴极通过电阻接到电源-极，所以为正向，导通状态，理想二极管压降为0，所以左边的电源-12V通过二极管到Uo。

4、所以输出电压：VAO=-6V-VD。VD=UBA，是二极管正向导通电压。如果是理想二极管，则：VAO=-6V。

5、本友是先假设所有二极管都导通，来计算节点电压。然后计算二极管电流。若二极管电流真的正向流过，就判断是真的导通，否则就判断其截止。

6、二极管中才会有电流流过。在图b中， 先假设二极管D导通， R2，R3的并联电阻为 5/3 ，那么求得A点电位为 10x（5/3）/（3+5/3）=57V 。

二极管的导通电压是什么意思

二极管的导通电压指的是二极管在正向导通时，两端产生的稳定正向压降。对于硅二极管，这一压降约为0.7伏特；而对于锗二极管，则约为0.3伏特。正向特性 在电子电路中，当二极管正极连接至高电位，负极连接至低电位时，二极管处于正向偏置状态并导通。

就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

意思是，二极管的通电电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。检测小功率晶体二极管：（a）观察外壳上的符号标记。

半导体二极管的导通电压是多少

正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。

锗二极管的导通压降在0.15-0.2V，硅二极管的导通压降在0.5-0.7V，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3V。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。

Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。