包含三极管的开启电压的词条

频道：其他 日期： 浏览：3

本文目录一览：

三极管8050的开启电压是多少?

1、三极管作开关电路用时”发射极应该接负极（也就是线路中的地）。三极管的发射极出现9V电压，而且高于三极管集电极的5V，即说明是线路连接错误。基极用5V”控制时，要加限流电阻即可解决。

2、在上述条件下，8050在导通时的UCE约为0.1~0.3V，这个数值是制造时就确定了的，我们要求越小越好。截止时的UCE为109V，这个电压由两个电阻的分压决定。

3、集电极与发射极饱和电压（VCE（SAT）：约0.2V（Ic=0.5A， VCE=10V）。三极管8050是一种常用的硅NPN型三极管，具有高输入阻抗和低噪声等特点，因此在电子电路中有着广泛的应用。

4、大概0.7V。三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。

5、为700毫安，功率为200毫瓦，特征频率也有所不同。而CS8050同样具备190 *K的特征频率，但它的最大电流和功率与PE8050相同，均为5安培和1瓦特。总的来说，这些8050系列的三极管各具特点，适用于不同的电子设备和应用场景，选择时应根据具体需求考虑其电流、电压、功耗和频率特性。

三极管开关状态的条件和特性是什么

三极管处于开关状态的条件，三极管处于饱和和截止状态，相当于开和关状态，以NPN管为例，偏置电压状态是Ube0，7V，Uc=电源电压，此时处于截止关状态，Ube0.7V，Ub=Uc，此时处于饱和开通状态。

基极与发射极间正向偏置：使得基极与发射极之间的电压为正，并且大于一定的电压阈值（通常约为0.7V）。集电极与基极间正向偏置：同时确保集电极与基极之间的电压也为正，且大于一定的电压阈值。当这些条件满足时，NPN三极管就会处于导通状态。

半导体三极管有三种工作状态：放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。当发射极和集电极的电压超过一定数值后，Ic=βIb，晶体管具有电流放大作用，处于放大区，发射极处于正向偏置，集电极处于反向偏置。当Ib=0时，Ic=0。

三极管应该处于饱和导通状态了，正常的三极管放大的时候IC的电流受IB的电流控制，饱和导通时，电流不受控制了。只有三极管工作在饱和状态和截止状态时，具有开关特性。（1）放大区 在IB=0的那条特性曲线上，各条特性曲线起始的陡斜部分右侧的区域为放大区。

静态特性 晶体三极管由集电结和发射结两个PN结构成。根据两个PN结的偏置极性，三极管有截止、放大、饱和3种工作状态。动态特性 晶体三极管在饱和与截止两种状态转换过程中具有的特性称为三极管的动态特性。 三极管的开关过程和二极管一样，管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。

三极管的开启电压和电流是多少,

1、三极管的开启电压一般在0.6～0.8V之间，由于基极的电流是非常小的，一般是不以计算的，仅计算集电极或发射极的电流，具体的计算方法要根据电路的参数来确定。

2、如果是PNP基极电压应该在0.7伏关闭（截止），在-0.7开启（导通），如果是NPN型就是相反的。基极输入电流：开启时一般选取1毫安-5毫安即可，关闭时电流为0.三极管放大倍数20以上。

3、三极管的工作状态分析涉及三极管的三个区域：截止区、饱和区和放大区。在截止区，基极电压小于开启电压（约0.6~0.7V），或基极电流不足以开启。在饱和区，注入基极的电流超过需求，供大于求。在放大区，基极电流上升，集电极电流成比例增加，达到供需平衡。

4、锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。 导通电压以下，到0点之间的电压，叫“开启电压”，也叫“死区电压”二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

5、因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃胜作于截止（cut off）区。同理，当Vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃胜作于饱和区（saturation）。

模拟电路中三极管是不是工作在开启电压和导通电压之间

1、锗 0.3的样子）。三极管的B、E极的电流就是调节三极管“阻抗”的控制电流，它的大小可以改变三极管C、E极间的“阻抗”。但是，B、E间的电压必须达到一定的工作电压才可以使三极管工作。这个电压就是开启电压（硅0.7 锗 0.3）。达到这个电压后三极管开始工作在放大状态。

2、通常在数字电路中，三极管工作在开关状态，也就是你所说的饱和区和截止区，而不工作于放大区（线性区）。因为数字电路只有两种状态，要么是1，要么是0，也就对应着三极管的导通和截止。三极管在开关状态下应用，不需要严格的计算偏置电路参数，并且管耗也较小。

3、三极管做开关时是使其工作在饱和和截止区域的。

4、NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域：截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时iB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的iCEO+在1uA以下，锗管的iCEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。

5、模拟电路中的三极管工作在线性放大区，是一个放大元件；数字电路中的三极管工作在饱和或截止状态，起开关作用。三极管有基极b、集电极c、发射级e三极，在数字电路中三极管一般都做“开关”用，做开关时“基极b”的电压如高于“发射级e”0.7V就导通，我们叫“Vbe0.7V”导通。

6、一般来讲，基极设置有偏流电阻的，就是放大电路，没有设置偏流电阻的，就是开关电路。判断三极管的作用是放大还是开关的方法：从工作原理分，开关作用工作在数字电路，放大作用工作在模拟电路。

npn硅三极管的开启电压是多少

硅半导体PN结的伏安特性曲线是一条类似于I=U*U（向下稍有平移）的二次曲线（如图），它的初始导通电压其实并不到0.7V，0.7V是充分导通状态了，通常工作在放大状态下的三极管的基极电流很小，发射结达不到充分导通状态，当发射结进入充分导通状态时，三极管可能进入饱和状态了。

硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

三极管处于开关状态，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。例如：基极偏置电阻为5K，集电极电阻为10K，供电电源为12V，一定是工作在开关状态。

对于NPN型硅三极管，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极0.3V左右，处于饱和状态。

对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。