负电压关断（负电压关断igbt）

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为什么视频监控的VGS管不能用负电压关断

1、管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采内用负电压，可以增容加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。在视频监控设备日益增多的今天，VGS在监控系统中的应用，必然更加有利于帮助用户快速掌控前端设备运行情况，轻松运维大型视频监控系统。

2、pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。

3、Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：|VGS||VTP （PMOS）|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。

4、亲，对于NMOS，bulk衬底端B跟S通常都连接到一起接地。这是为了防止BS之间的二极管正向导通。另外你说的也没错，阈值电压VT的确受SB间的电压影响，V_SB越高，VT越大。模拟电路设计中要注意的问题之一就是源极S电压对阈值的影响。

5、可控硅只能控制通断，可控硅接通后不能自动截断，必须有个负电压才能截断。场效应管不太清楚，这是网上的资料：场效应管与三极管的各自应用特点 场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

6、因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

负电压存在的意义与作用是什么呢?

在中国电路设计中，负电压还被巧妙地用于自毁电路的保护机制。许多芯片内部的保护电路对负电压不设防，因此通过施加适当的电流，即使低电压也能引发保护动作，防止芯片被恶意损坏，确保系统的安全性和稳定性。

综上所述，负电压在电力电子领域中的应用主要体现在加速器件关断过程、提高电路性能和稳定性等方面。它为设计高效、可靠的电力电子系统提供了有力的工具，推动了电力电子技术的持续发展。

正负电压的用处是在功率放大器上，或者电源逆变器上，用作正弦电信号的放大电源。电压在国际单位制中的主单位是伏特（V），简称伏，用符号V表示。 1伏特等于对每1库仑的电荷做了1焦耳的功，即1 V = 1 J/C。强电压常用千伏（kV）为单位，弱小电压的单位可以用毫伏（mV）微伏（μv）。

MOS管中Vgs是什么意思

1、Vgs是栅极相对于源极的电压。当MOS管开始导通时，这个电压值较小，当栅极和源极间的电压值达到一个值时，MOS管才能完全导通。加载这两端的电压值也有个极限，不能超过给出的最大值，这个最大值指的就是Vgs。

2、漏源电压（VDSS）：此参数确保MOS管在正常工作条件下不会因电流过大而损坏，起到了一道安全屏障的作用。 栅源电压（VGS）：保护栅极氧化层，防止过电压损坏，确保栅极控制的精确性。 连续漏电流（ID）：电路性能的直接指标，受结温限制，对散热设计有重要影响。

3、Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当未形成反型沟道时，MOS管处于截止区，其电压条件是：|VGS||VTP（PMOS）|，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路适合在低速、低频领域内应用，采用-24V电压供电。

请问IGBT的驱动为何要负电压?如果负电压太低会有什么后果?

根基你描述的问题就是开通时没有问题，就是门极的正电压是可以的，但关闭是有一个4V的杂波，大于IGBT的门限电压，导致误触发，使IGBT直通炸管。

IGBT具有电压控制装置，没有输入电流和低输入损耗，栅极驱动电路简单且便宜，降低了栅极驱动的要求。通过施加正电压可以很容易地打开它，通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它，具有非常低的导通电阻。

低电压下可切换高电流。电压控制装置，没有输入电流和低输入损耗。简单的栅极驱动电路，降低了栅极驱动要求。通过正电压易于导通，通过零电压或稍微负电压易于关断。低导通电阻。高电流密度，使其具有更小的芯片尺寸。比BJT和MOSFET更高的功率增益。比BJT更快的开关速度。使用低控制电压切换高电流水平。

导致不必要的电流或电压波动。R11和R12的存在进一步提高了电路的稳定性和可靠性，确保IGBT在任何情况下都能安全运行，避免过载或其他潜在风险。通过合理配置这些元件，IGBT驱动电路能够实现高效、精确的控制，这对于许多需要精确电流控制的应用至关重要，如电动机驱动、电力电子设备等领域。

为什么pmos管的vgs有正负之分?

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。

Vgs，即栅极相对于源极的电压，是PMOS晶体管工作中的关键参数。它在PMOS的导通过程中起着决定性作用，类似于NMOS的反型沟道形成过程。当PMOS处于截止状态时，其电压条件为|VGS| |V_{TP}|，并且需要注意的是，VGS对于PMOS来说是负值。

N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。区分：首先，先判定MOS的三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。S极，两根线相交的极就是S极。

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