mos管栅源击穿电压（mos管栅极击穿）
本文目录一览：
贴片mos管型号大全
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。单沟道增强型：它的正向漏极电流密度达200a/dt以上。
贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道，产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案，产品型号（PartNo.）：9926A。贴片8脚的mos管型号还有：型号SO-8N，型号：SI4336SO-8N，型号：IRF7831SO-8N，型号：IRF7832。
常见贴片MOS管封装外观及尺寸包括：TO-26TO-25PDFN5*SOT-2SOP-8等。铭智宏MZH半导体提供全面的MOS管封装服务，从设计研发到制造、仓储物流，实现一体化服务，确保细节到位，致力于成为MOSFET功率器件领域的领军企业。
各行业应用较多的是TO-220F（塑封），TO-220AB（铁封），TO-3P，TO-247。因为芯片大小关系，电流小的一般用TO-220，而电流较大会用TO-247的。
现在锗三极管非常少，贴片的更少，何不用MOSFET？现在电池管理器件都是用MOSFET做电池开关的。
mos管的击穿电压是多少
MOS管的击穿电压与其制造工艺、材料质量以及结构设计密切相关。不同的MOS管型号会有不同的击穿电压规格。例如，一些高压MOS管可能具有数百甚至上千伏的击穿电压，而一些低压MOS管可能只有几十伏的击穿电压。因此，在选择MOS管时，必须根据具体的应用场景和电压需求来选择合适的型号。
过去的MOS管击穿电压一般都只有10几V，很容易就击穿了，而现在MOS管的击穿电压很多都到上百V了，只要不是静电太厉害的，问题都不大。当然，如果是做产品，很多企业有严格规定，不能随便摸得。你要拆东西，也问题不大，操作之间，摸一下水龙头等金属体，把静电电荷泄放一些掉即可，一般问题不大。
直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。
N60是一种高压N沟道MOS管。20N60 MOS管具备以下特点和参数：最大漏源电流：20A，这意味着该管子能够处理的最大电流为20安培。漏源击穿电压：600V，表明该管子能够承受的最大电压差为600伏特。
mos击穿后是短路还是开路
1、该情况即可能短路也可能开路。mos击穿后，多数情况下会形成短路，当mos管的栅极电压超过其击穿电压时，栅极与源极和漏极之间会发生永久性导通，使得mos管失去了绝缘性能，mos管相当于一个短路。
2、开路。MOS击穿后是出现开路状态，当MOS击穿时，出现高电压或过电流，会导致绝缘层破坏，形成电流流过，从而导致器件的通路打开。
3、原来导通的，由于电流过大，承受不住发热产生高温而烧断，是过流。原来不通的，由于耐压不够或耐热不够而导通了，是击穿，被电流穿透的意思。击穿因局部漏电致局部温升、温升加剧漏电形成雪崩而造成。击穿的结果状态一般是导通；过流的结果状态一般是断路。
4、约？资芡饨绲绱懦』蚓驳绲母杏Χ？？又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式；一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。
5、电压型静电击穿发生在MOS管栅极的薄氧化层发生击穿，导致栅极与源极或栅极与漏极之间形成短路。其特点如下：（1）击穿点软，击穿过程中电流逐渐增大。这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。同时，耗尽层的扩展还容易引发DIBL效应，导致源衬底结正偏时电流逐渐增大。
6、由于其高输入电阻和小栅-源极间电容，MOS管极易受到外界电磁场或静电的感应而带电。在静电较强的环境中，由于难以有效泄放电荷，极易引发静电击穿。静电击穿有两种方式：电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，导致栅极和源极间或栅极和漏极间短路；功率型，即金属化薄膜铝条熔断，造成栅极或源极开路。
mos管的主要参数
漏源电压（VDSS）：此参数确保MOS管在正常工作条件下不会因电流过大而损坏，起到了一道安全屏障的作用。 栅源电压（VGS）：保护栅极氧化层，防止过电压损坏，确保栅极控制的精确性。 连续漏电流（ID）：电路性能的直接指标，受结温限制，对散热设计有重要影响。
极限参数是确保MOS管不损坏的最低要求，也称为最大额定值，超过这些极限值时，MOS管就可能失效损坏，主要参数有：漏源电压Vds，栅源电压Vgs，连续漏极电流Id，瞬时漏极电流Idm，功耗Pd，结温Tj。
开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
- VGS： 最大栅源电压，通常在-20V~+20V之间。- Tj： 最大工作结温，通常为150℃或175℃，设计工作条件时需避免超过此温度并留裕量。- TSTG： 存储温度范围。 静态参数 - V（BR）DSS： 漏源击穿电压。场效应管正常工作时能承受的最大漏源电压，为极限参数，加压应小于V（BR）DSS。
MOS管的重要参数包括耐压值和额定电流值，这些是描述其性能的基础参数。 除了基础参数外，MOS管的其他关键参数还包括导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。 在参考MOS管的电流参数时，应当注意厂家提供的连续电流、短时电流和峰值电流等信息。
MOS管电压型静电击穿特点
1、电压型静电击穿发生在MOS管栅极的薄氧化层发生击穿，导致栅极与源极或栅极与漏极之间形成短路。其特点如下：（1）击穿点软，击穿过程中电流逐渐增大。这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。同时，耗尽层的扩展还容易引发DIBL效应，导致源衬底结正偏时电流逐渐增大。
2、针对MOS管被击穿的原因，主要有以下几点：1） 输入电阻高、栅源极间电容小，导致MOS管容易受到静电感应和电压冲击；2） 没有在MOS电路输入端适当加入保护二极管或保护电阻，以限制可能过大的瞬态输入电流；3） 保护电路的瞬态能量吸收能力有限，对过高的静电电压或大信号无能为力。
3、MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
4、MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
5、MOS管容易被击穿的原因主要在于其高输入电阻和极小的栅-源极间电容。外界电磁场或静电的感应极易使MOS管带电，即使极少量电荷也能在电容上形成高压，导致损坏。尽管MOS管输入端有抗静电保护，但依然需要小心处理。
