产生负电压的芯片（可以产生负电压的芯片）

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IR2130概述

IR2130是一种专为MOS和IGBT功率器件设计的栅极驱动芯片，其独特的自举电路设计赋予了它强大的性能。它巧妙地实现了对低压侧和高压侧功率元件的驱动，使其在电机控制、伺服驱动以及不间断电源（UPS）等应用领域展现出了广泛的优势。

IR2130是MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片，通过自举电路工作原理，使其既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件，又能驱动高压侧的功率元件，因而在电机控制、伺服驱动、UPS电源等方面得到广泛应用。

本书注意理论与实际的结合，重视解决工程实际问题，并力求做到突出重点，层次分明，语言易懂，以便于读者自学。

请问有没有负电压输出的LDO电源管理IC呀?

1、负电压输出的LDO电源管理IC只有79XX。一般是用DC-DC做。电流小的也可以用charge pump TI的TPS723xxMAXIM的MAX1735静态电流也不算很小。但和79XX比还是小很多。IC，即集成电路是采用半导体制作工艺。在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件。

2、LTC3260是一款具有广泛电压输入范围的电源管理解决方案，支持5V至32V的VIN。其独特的设计亮点在于内置的负输出充电泵，能够产生高达-VIN的电流，这对于需要负电压应用的场合非常实用，最高输出电流可达100mA。为了保证电路的低噪声性能，LTC3260配备了两个低噪声LDO稳压器。

3、是有的。稳压IC就是指那些专门来用对电源电压进行稳压的集成电路。稳压IC包含：DC/DC升压芯片5V、3V、3V、升压IC输出电压可调、LDO稳压6206系列、带使能端系列LDO，低电压检测复位IC、背光驱动芯片、LED驱动IC、MOS管等。

icl7600怎么产生负电压

1、通过电平位移。ICL7600是一款专用的负压产生芯片，价格很贵，在需要使用负电压时才会使用，在单片机电子电路中，常用的负压产生电路有电平位移和电荷泵两种。

2、产生负电压 如果负载比较大，用两个5V电源，一个电源的正端连到另一个电源的负端。

3、阁下算是问对人了，一般运放都是采用双电源供电，若你只有一组正电源，可以采用一些常用的电源处理集成电路接一个负压发生器，它可以将正电源转换成与正电源相当的负电压，并且电压也很稳定。若您的电路需要的电流不大，你可以采用常用的ICL7660。

4、通常需要使用负电压时一般会选择专用的负压产生芯片，但这些芯片都比较贵，比如ICL7600，LT1054等。差点忘了MC34063了，这个芯片使用的最多了，关于34063的负压产生电路这里不说了，在datasheet中有的。下面请看我们在单片机电子电路中常用的两种负电压产生电路。

把正5v得电压转化为-6v的电压,请问都有什么芯片,输出电流大概在100mA...

1、晶体管：可以用PNP晶体管或P沟道MOSFET。前者经济，使用简单，后者能提供更大电流，且转换效率较高，但往往需要较高的输入电压（通常要求 +5V或 +5V以上）。如使用2SC8550三极管，可以提供较大的输出电流。

2、LM78L06：这是一款输出电压为6V，最大输出电流为100mA的6脚稳压芯片。LM2940：这是一款输出电压为5V，最大输出电流为1A的6脚稳压芯片。LM317：这是一款可调输出电压的6脚稳压芯片，可以通过外部电路调整输出电压，最大输出电流为5A。

3、方案一：使用三端稳压器（如LM7805）或开关电源芯片（如LM2596）从9V电池输出得到5V的稳定正电压。 方案一继续：接着，可以使用开关电源芯片（如MC34063）将正电压转换为-5V，从而获得所需的正负5V电压。 方案一说明：此方案能够提供较大的负电压电流。

mos管隔离驱动电路如何输入负电压

用Buck芯片产生出负压。用AOS通用的一款Non-synchronous Buck AOZ1284PI实现正输入负输出的电压变换，此芯片为高压BUCK芯片，最高输入电压达到36V，带载能力达到4A，用Buck芯片产生出负压。

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。（2）、增强型必须使得UGSUGS（th）才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。

对的。p沟道增强型mos管的开启电压为负值是对的，因为栅极和衬底间被二氧化硅绝缘层所隔离，在栅极和源极之间加上电压vGS后，虽然会发生电子的迁移，导电沟道截面积的改变，但是不会有栅极电流流通，可以认为栅极电等于零。栅极和源极之间的输入电路没有电流，也就不存在所谓的输入电流的特性曲线。

这两个假设都是同一结果，可以形成回路。由于VMOS管的漏源间存在本体二极管，N沟道D=K， S=A，P沟道 D=A，S=K。所以反向加上电压后，本体二极管正向导通，会将你说的负电压钳位在0.6~1V左右。