反向电压的计算（反向电压的计算公式）

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关于整流二极管的最高反向电压URM的问题

1、电压表读数U=0.9u2=27V，电流表读数I=27/200=0.135A。二极管ID=（1/2）I=0.65mA，二极管承受的最高反向电压URM=√2x30=443V。

2、最大反向电压：URM，指不至于引起二极管击穿的反向电压，工作电压峰值不能超过URM，否则反向电流增大，整流特性变坏甚至烧毁二极管。这是为了二极管的正常工作，人为规定的一个数据。二极管有一个参数叫击穿电压：UB，指使二极管反向电流急剧大幅增大，产生击穿的电压，这是二极管本身的属性，是“天生”的。

3、Urm是最大反向工作电压， Udrm是晶闸管的断态重复峰值电压，通常把晶闸管的UDRM和URRM中较小的值标作该器件的额定电压。

4、普通二极管的主要参数包括最大整流电流（ICM）、最高反向工作电压（URM）、最大反向电流（IRM）以及最高工作频率。而稳压二极管的参数则包括稳定电压（UZ）、稳定电流（IZ和IZ（max）以及电压温度系数等。此外，晶体二极管的直流电阻涉及直流电压和电流的比值，以及动态电阻，它随工作点变化而变化。

桥式整流器二极管的反向峰值电压(PIV)?

1、桥式整流器二极管的反向峰值电压（PIV）是以下参数：正半周时电流从Vs1上端出发经D1供负载消耗后回流到Vs1下端（中心抽头），D1承受正向电压为Vs1（MAX）。直流输出电压约等于0.45倍Vs1（半波整流）。

2、桥式整流器的纹波系数值为0.48PIV（峰值反向电压）峰值反向电压或 PIV 可以定义为当二极管在整个负半周期内以反向偏置条件连接时来自二极管的最高电压值。桥式电路包括四个二极管，如 DDD3 和 D4。在正半周期中，两个二极管（如 D1 和 D3）处于导通位置，而 D2 和 D4 二极管均处于非导通位置。

3、半波整流二极管承受的反向峰值电压2×41U，较不接滤波电容时增大一倍，原因是管子因反向截止时，电容器两端的电压与电源电压相加造成的。

4、桥式整流电路的参数包括纹波系数、PIV（峰值反向电压）和效率。纹波系数衡量输出直流信号的平滑度，PIV则涉及二极管承受的最大反向电压。桥式整流器的效率最高可达82%，但功率损耗相对于中心抽头全波整流电路略高，因使用了四个二极管导致电压降增加。

光电效应的正向电压和反向电压是怎样的?

在光电效应中，正向电压和反向电压主要是指外加电场的方向。为了区分它们，你需要考虑金属板和光束的方向以及电子的移动方向。 正向电压：当金属板与光束平行放置，外加电场的方向与光束方向一致，即电子从金属板移动到阳极（正极），这种配置被称为正向电压。

在光电效应中，正向电压和反向电压是指施加在金属板上的外部电场的方向。为了区分它们，需要考虑金属板、光束以及电子的移动方向。 正向电压：当金属板与光束平行放置时，外部电场的方向与光束方向相同，电子从金属板向正极（阳极）移动。

当金属板接电源负极，使得光电子加速，此时光电管两端的电压为光电效应的正向电压。当金属板接电源正极，使得光电子减速，此时光电管两端的电压为光电效应是反向电压。

在光电效应中，正向电压和反向电压是用来控制光电管的电压，以调节光电子发射的行为。它们的区分主要体现在对电子流动的影响和电子发射的方向上： 正向电压（正偏压）：当光电管的阳极（阴极与阳极之间形成电场，促使光电子向阳极运动。在正向电压的作用下，光电子容易被电场加速，从而更容易流动到阳极。

光电管正向电压是指在光电管正极加正电压、负极加负电压的情况下，光电效应所产生的电子可以顺利流过光电管的电路，从而使光电管工作。反向电压是指在光电管正极加负电压、负极加正电压的情况下，光电效应所产生的电子不能流过光电管的电路，因此光电管不会工作。

在光电效应中从金属板（阴极）发射光电子，当金属板接电源负极，电子加速，此时光电管两端的电压为正向电压。当金属板接电源正极，电子减速，此时光电管两端的电压为反向电压。

二极管的反向电压、电流如何计算或测量

1、二极管的反向电压、反向电流不是你能计算的，是厂家出厂的产品规格的一种参数。你应该查其参数。不同规格反向电压不同，反向电压就是我们通常说的耐压，但是在不超过反压时，反向电流都是差不多，微安一下，超过毫安，只能说明是不合格的管子。-- 如果要测量也简单。

2、在电路工作过程中，可以通过万用表测量二极管的反向电压。反向电流，准确来说是反向漏电流，实际上非常小，仅在几uA的量级。万用表无法直接测量反向电流，因此需要采用其他方法。二极管所承受的反向电压通常是由电池两端的电压决定的。若电路图中未明确给出，可能需要利用叠加原理进行计算。

3、二极管串联一个电流表，和一个限流电阻R，连接一个连续可调电源，二极管反向连接，二极管两端连接一个电压表。升高电压，电流表有I=U/R的电流时，加在二极管两端的电压就是方向击穿电压。

4、首先，漏电流的大小是由反向饱和电流和施加的反向电压共同决定的。理想情况下，两者相等，但现实中的二极管，PN结内部可能存在其他泄漏路径，如表面污垢等，这使得实际漏电流往往大于饱和电流。

5、当二极管的反向电压增加到某一个程度的时候，反向电流会急剧增加，这时，就可以根据二极管的伏安关系来确定二极管的最高反向电压。最高整流电流可以理解为：当二极管工作在正向偏置时，随着电压的增加，电流是呈指数上升的，但达到某一电压点后，电流几乎不在变化，且，二极管伴有发热不稳定现象发生。

知道最大初动能求反向电压

首先要弄明白遏止电压是怎么来的。当光照射到金属上发生光电效应时，出射电子的最大初动能Ek=hv-W，只与入射光的频率有关（W是逸出功，对某金属是一定值，h是常量，v是入射光子频率）。

在光电效应实验中，截止电压（也称为反射电压）指的是当光电子的最大初动能达到一定值时，再增加反向电压，光电子也无法到达电源正极，电路中因此不再有电流流动。这个特定的电压值就是截止电压。此时，光电子的动能等于电子的电荷与所加电压的乘积，即 eU = E_k。

遏制电压，又称截止电压，是指在光电效应中，为了阻止光电子到达阳极，所需施加的反向电压。这个电压值与光电子的最大初动能直接相关。根据动能定理，遏制电压U与光电子的最大初动能E_km的关系可以表示为：eU_c = E_km 其中，e是电子的电荷量。

即反向电压。 根据基本电动力学原理，qU = Ek，其中q是电子的电荷量，U是遏止电压。这表明遏止电压U的大小恰好等于电子的最大初动能Ek。 由于最大初动能Ek仅取决于入射光的频率v，因此遏止电压U也随着入射光频率的增加而增加。这一关系揭示了光电效应中遏止电压与遏止电势之间的直接联系。

W是金属的逸出功。 逸出功W对于特定金属是一定的，因此最大初动能Ek只与入射光的频率有关。 当给逸出的电子施加一个反向电压以减速至停止时，所需的电压称为遏止电压。 根据电场力学的公式qU=Ek，遏止电压U与电子的最大初动能Ek成正比，因此，遏止电压随着入射光频率的增加而增大。

反向截止电压与光电子的最大初动能相关，由公式eUc = Ekm初表示。根据光电效应方程hv = Ekm初 + W0，对于给定的材料，逸出功W0是固定的。因此，入射光频率v越高，光电子的最大初动能Ekm初也越大，进而导致反向截止电压Uc增加。需要注意的是，这是在入射光频率足够高以引发光电效应的前提下成立的。

电路中串联两个相反电压功率如何计算

两个电压反向串联，输出电压为两电压的差值，输出功率为电流乘以差值电压。

流过每个电阻的电流相等，因为直流电路中同一支路的各个截面有相同的电流强度。总电压（串联电路=两端的电压）等于分电压（每个电阻两端的电压）之和，即U=U1+U2+……Un。这可由电压的定义直接得出。总电阻等于分电阻之和。

串联电路的电功率计算公式为 P=I*（R1+R2+R3+...+Rn），其中电功率P与电阻RRR3+...+Rn成正比。在并联电路中，电功率的计算公式为 P=I*（1/R1+1/R2+1/R3+...+1/Rn），电功率P与电阻RRR3+...+Rn成反比。

U1∶U2∶U3=IR1∶IR2∶IR3=R1∶R2∶R3。P1∶P2∶P3=I2R1∶I2R2∶I2R3=R1∶R2∶R3。电流I电压U电阻R功率W：串联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1，R2串联）①电流：I=I1=I2（串联电路中各处的电流相等）。②电压：U=U1+U2（总电压等于各处电压之和）。

总功率等于各部分电路各自的功率和 在串联电路中各自的功率与他们的电阻成正比。因为他们的电流相同，此时应该使用公式 P=I^2*R。也可以理解为电阻大的部分有较大的端电压。在并联电路中各自的功率与他们的电阻成反比。

关键词：反向电压的计算