mos管反向电压（mos管反向电压如何耗尽）

频道：其他 日期： 浏览：10

本文目录一览：

mos管的gs最大反向电压

1、V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。

2、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

3、是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

4、最大额定参数规定了MOS管在特定条件下的性能极限，例如温度为25℃时的性能指标。VDSS，最大漏-源电压，指的是在栅源短接、漏-源额定电压下未发生雪崩击穿前允许的最大电压。实际雪崩击穿电压可能低于额定值，详细信息可见静电学特性。

5、输出电容（Coss）：典型值70pF（最大110pF），反向传输电容（Crss）：典型值20pF（最大30pF）。D3004MOS管是一种N沟道增强型MOSFET，主要用于开关和放大电路。其最大漏极电流为3A，意味着在正常工作条件下，该管子可以承受的最大电流为3安培。

...其栅源之间必须加反向电压?为什么耗尽型MOS管的栅源电压可正,_百度...

结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域，即恒流区。

结型场效应分N，P沟道，对应不同的沟道，所加电压方向也是不同的。当产生预夹断后，管子工作在恒流区，预夹断的产生是依靠PN结加反偏压使耗尽层变宽从而夹断漏源极间的通道。

为保证N沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压（即uGS0），以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间加正向电压uDS，以形成漏极电流。

工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型，即耗尽型场效应管。当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型，即增强型场效应管。

沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS0，VPvGS0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。

一般MOS管的反向压降是多少伏?

所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～5V。

MOS管导通后，反向时主要是流过沟道，因为体二极管本身有比较大的二极管压降，约为0.7V，沟道相当于把体二极管给短路了。

mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管DS之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

IGBT是或MOSS管的反向阻断特性是什么呀?能不能详细讲解一下,谢谢了...

1、譬如可控硅，在正向电压时，它能够进行开关工作（存在正向阻断电压，有两个状态）；而在反向电压时，通过的反向电流很小，即是阻断的，不能工作。

2、如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th） 时，IGBT 处于关断状态。

3、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种适用于强电流高压应用的高效功率控制器件。IGBT结合了功率MOSFET和双极晶体管的优势，具有低导通电阻、高开关速度和高工作温度等特性。与传统的功率MOSFET相比，IGBT能够更好地管理导通和关断过程中的损耗，特别是在高电流和高电压条件下表现出色。

5、绝缘栅双极晶体管（IGBT）的静态特性包括伏安特性、转移特性和开关特性。伏安特性描述了以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系。输出漏极电流受栅源电压Ugs控制，Ugs越高，Id越大，与GTR的输出特性相似。IGBT在截止状态下的正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。

6、在正向导通特性中，IGBT可以按照“第一近似”和功率MOSFET驱动的PNP晶体管建模。图3展示了理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件（寄生元件不考虑在内）。动态特性是指IGBT在开关期间的特性。鉴于IGBT的等效电路，要控制这个器件，必须驱动MOSFET元件。

电力mosfet能否反向导通?

1、功率MOSFET反向导通有两种情况，一种是门极不加控制，等效电路为内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，但因其特性较差，通常避免使用。另一种情况是门极控制下的反向导通，也可用一与温度和门极驱动电压有关的电阻等效，此工作状态为MOSFET的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中重要的工作状态。

2、MOSFET内有一个二极管，称为体二极管。其正向指向由D指向S，方向与正向相反，正向不导通，反向导通。体二极管具有钳位电压，实际钳位电压与流过电流有关。电流越大，钳位电压越高。体二极管的功耗称为续流损耗，其功率P=0.7V*I，同样受负载影响。

3、可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

4、当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。电力MOSFET的基本特性 （1）静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。

关键词：mos管反向电压