雪崩击穿反向电压（雪崩击穿电流）
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二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?
1、在实际应用中，PN结的反向击穿通常同时包含齐纳击穿和雪崩击穿两种形式。但在不同电压范围内，两种击穿形式占据主导地位。具体而言，在低于5至6伏特的电压下，齐纳击穿为主要形式，此时稳压管的稳压值具有负的温度系数。而在电压超过5至6伏特的情况下，雪崩击穿成为主要形式，这使得稳压管的温度系数变为正。
2、雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。
3、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
4、反向击穿当二极管反偏电压过大时，可能发生雪崩击穿或齐纳击穿。雪崩击穿起因于电子动能的增强，导致链式反应；而齐纳击穿则在高掺杂半导体中，由于极高的电场强度引起原子电离。通常，雪崩击穿电压高于6V，齐纳击穿电压小于4V。
5、称为雪崩击穿。雪崩击穿电压较高，大于6V，且具有正温度系数。由高浓度掺杂材料制成的PN结很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子一空穴对，使反向电流急剧增加，称为齐纳击穿。齐纳击穿电压较低，小于6V，具有负温度系数。
齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数
1、齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。
2、杂质大电荷密度就大）PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。
3、当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子—空穴对，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧增加，故这种击穿被称为雪崩击穿。
4、所以齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。这种结的阻挡层很宽，随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快，动能增大。
何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点?
【答案】：当加于二极管两端反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，反向电压很小的变化就会产生很大的电流变化，而且有恒压特性，若此时反向电流不加限制，就会因管耗过大而损坏。
雪崩击穿：在掺杂浓度较低的PN结中，当阻挡层的电场增强，载流子速度加快，足以撞出共价键中的价电子，形成自由电子-空穴对。这个过程会引发连锁反应，导致阻挡层中载流子数量急剧增多，如同雪崩。击穿电压相对较高。
PN结的反向击穿通常包含雪崩和齐纳两种形式，低电压时以齐纳击穿为主，而高电压则主要表现为雪崩击穿。比如，稳压管在5-6V电压范围内，两种击穿现象较为平衡，这也是许多电路设计中选择这个电压范围的原因。稳压管在此区间内反应适中，适合对速度要求不高的场合。
雪崩击穿特点：材料掺杂浓度较低的PN结中，空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，获得的能量在电场作用下增加。齐纳击穿特点：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，在碰撞电离机理中，不仅与场强有关，而且与载流子碰撞的累积过程有关。
雪崩击穿是PN结在反向电压增大到特定数值时，载流子的增加像雪崩一样急剧加速的现象。在高反向电压下，强电场破坏共价键，使束缚电子分离，形成电子-空穴对，从而产生大反向电流。以电除尘器为例，电子加速运动并与气体原子碰撞引发电离，自由电子数量以指数级数增加，形成“电子雪崩”。
齐纳击穿与雪崩击穿是半导体器件中两种重要的击穿现象。齐纳击穿发生在PN结两边掺杂浓度很高的情况下，阻挡层变薄，碰撞机会少，场致激发产生大量载流子，导致反向电流突然增加，表现为反向击穿现象，因此称为齐纳击穿。这种击穿通常发生在低反压、高掺杂的条件下。
