场效应管的开启电压（场效应管的开启电压是多少伏）
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什么是场效应管的夹断电圧和开启电压?
1、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。
2、有两种类型的场效应管：增强型和耗尽型。增强型的在栅源电压小于一定值时是没有导电沟道的（宽度为0），大于该值时才导电，这就是开启电压。耗尽型的在栅源电压=0时就已经存在非0宽度的导电沟道，而随着栅源电压的降低，沟道宽度越来越小，当沟道宽度=0时对应的栅源电压就称为夹断电圧。
场效应管开启电压不一致
不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5V，高的5-10V，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管的G极比S极高2V这一特性意味着，当栅源电压增加2V时，G极（栅极）的电流就会增加到S极（源极）电流的两倍。这是因为当栅源电压为正时，栅极会向S极开启一个电流路径，从而增大S极电流。此外，G极的电流和栅极电压之间呈现出一种指数关系，因此其增长速度极快。
两种方案：方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。
当场效应管（MOS管）被关闭（关断）或开启（开通）时，因为MOS管在开启和关闭的过程中，其输入电阻会不断变化，从而导致D-S（DraintoSource）间的电荷和电流发生变化，从而产生交变电压。这种现象被称为“开关过渡区域的电荷注入”，或称作“Miller效应”。
场效应管一般用于什么场合,起什么作用,它的导通需要什么条件?
1、一般应用在开关电源中 起快速开关作用，使初级电能量变成磁能量，再由磁能量转变为需要电压大小的电能量。导通条件是：开启电压VT 开启电压：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压 开启电压也可以理解为栅极相对于源极的一个电压。
2、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。
3、场效应管在电路中起到放大、开关和调节电流的作用。具体来说，场效应管可以实现以下功能：信号放大：场效应管可以作为放大器件，通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流，从而实现信号的放大。在放大器电路中，场效应管可以将输入信号放大到更大的幅度，以实现信号增强和传输。
4、MOS场效应管（MOSFET），即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。MOSFET的主要作用在于电压的提供、开关和隔离。在主板或显卡上，MOSFET主要为配件提供稳定的电压，一般位于CPU、AGP插槽和内存插槽附近。
5、场效应管的作用主要有以下几点：放大信号 场效应管作为一种电压控制器件，具有放大信号的功能。在电路中，它可以接收微弱的信号并将其放大到所需的幅度，广泛应用于各类电子设备中的信号放大环节。开关作用 场效应管还常被用作开关元件。利用其开关特性，可以控制电路的通断，实现电流的开关作用。
场效应管的开启电压是哪个极
栅极对源极电压大于开启电压，源极对漏极就会导通，导通程度决定于栅-源电压。
G极是场效应管的栅极，主要是控制场效应管的开启与关闭。以N沟道场效应管为例，只有在G极上加上合适的电压，场效应管的漏极D和源极S之间才能导通，电流才能从D进S出。其实电路图中G极给的是控制信号。
场效应管的夹断电压，就是栅极与源极的电压，从场效应管导通后，逐渐降低栅极电压，直到场效应管关断为止，此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。
场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极（G）接控制信号，源极（S）接负载电源负极（模拟地），漏极（D）接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
一般场效应管的开启电压Vi
场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
开启电压：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压 开启电压也可以理解为栅极相对于源极的一个电压。
可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。
PD最大耗散功率35W。ID最大漏源电流5A。V（BR）DSS漏源击穿电压600V。RDS（ON）Ω内阻2Ω。VRDS（ON）ld通态电流8A。VRDS（ON）栅极电压10V。VGS（th）V开启电压2~4V。VGS（th）ld（μA）开启电流100μA。
