漏源击穿电压（mos漏源击穿电压）
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mos管的主要参数
1、漏源电压（VDSS）：此参数确保MOS管在正常工作条件下不会因电流过大而损坏，起到了一道安全屏障的作用。 栅源电压（VGS）：保护栅极氧化层，防止过电压损坏，确保栅极控制的精确性。 连续漏电流（ID）：电路性能的直接指标，受结温限制，对散热设计有重要影响。
2、极限参数是确保MOS管不损坏的最低要求，也称为最大额定值，超过这些极限值时，MOS管就可能失效损坏，主要参数有：漏源电压Vds，栅源电压Vgs，连续漏极电流Id，瞬时漏极电流Idm，功耗Pd，结温Tj。
3、- VGS： 最大栅源电压，通常在-20V~+20V之间。- Tj： 最大工作结温，通常为150℃或175℃，设计工作条件时需避免超过此温度并留裕量。- TSTG： 存储温度范围。 静态参数 - V（BR）DSS： 漏源击穿电压。场效应管正常工作时能承受的最大漏源电压，为极限参数，加压应小于V（BR）DSS。
4、MOS管的重要参数包括耐压值和额定电流值，这些是描述其性能的基础参数。 除了基础参数外，MOS管的其他关键参数还包括导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。 在参考MOS管的电流参数时，应当注意厂家提供的连续电流、短时电流和峰值电流等信息。
5、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
如何选择MOSFET的参数?
选择MOSFET时，应考虑的主要参数包括：电压等级、导通电阻、栅极电荷、优值系数、额定电流和功率耗散。 电压等级：电压等级是MOSFET的一个关键特性，指的是漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流为250μA时，MOSFET能够承受的最高电压，以确保不损坏。
额定电流和功率耗散 此外，额定电流和功率耗散也是选择MOSFET时需要考虑的因素。不同的测试条件下，MOSFET在数据表里都有一个或多个的连续漏极电流。在确定电流等级时，需要考虑器件的工作温度和环境温度。对于连续的功率耗散，需要考虑温度和导通时间等因素。
在MOSFET的选型中，主要考虑以下几个参数：Id（最大漏源电流）、Idm（最大脉冲漏源电流）、Vgs（最大栅源电压）、V（BR）DSS（漏源击穿电压）、Rds（on）（导通电阻）、Vth（阈值电压）等。
场效应管漏源击穿电压为什么在Vgs=0的条件下进行测量的??求大神解答...
1、vds是场效应管漏极和源极间的电压，vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。
2、测量方法必须统一标准，所以，标准规定如此，否则，数据就没有比较意义了。
3、漏源击穿电压BVDS在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS，ID剧增的原因有漏极附近耗尽层的雪崩击穿和漏源极间的穿通击穿。栅源击穿电压BVGS在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
4、场效应管的工作原理可以这样理解：电流 ID（漏极-源极间）流经由栅极与沟道间pn结形成的反偏控制区，这个控制作用由栅极电压 VGS 所决定。具体来说，ID 流过沟道的宽度，即沟道截面积，会随着pn结反偏状态的变化，导致耗尽层的扩展，进而影响ID的大小。
5、直流输入电阻RGS是指在栅源极之间加的电压与栅极电流之比。MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。漏源击穿电压BVDS是指在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS。ID剧增的原因有：漏极附近耗尽层的雪崩击穿和漏源极间的穿通击穿。
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