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三极管击穿电压
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。常用管约20V~2000V。BVcbo ： E极开路，C-B极反向击穿电压。BVcbo比BVceo略大。BVebo ： C极开路，E-B极反向击穿电压。BVebo的数值很小，一般的三极管5V~20V。
击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。
V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。
什么是三极管集电结反向偏置电压
三极管工作在放大状态外部条件是发射结正偏，集电节反偏 这里要求输入回路也就是BE回路中b级电压要高于e级电压；电子技术上说的偏置是指 将电路中某点施以一定电压，使这一点上的电位从零电位点偏移至预定的正电位或负电位点。
三极管的工作原理是.基极与发射极之间的PN结称为发射结，基极与集电极之间的PN结称为集电结。当三极管工作在放大状态时，我们定义正向偏置电压是PN结电压，所以发射结是正向偏置电压；NP结相对PN结是反向，所以集电结是反向偏置电压。
反向偏置电压就是集电结的P端接低电平、N端接高电平，对于PN接来说这就是接的反向电压。反向偏置电压并不是集电极电阻提供的，是三极管的工作电源通过集电极电阻提供的，集电极电阻只是提供一个通道而已。
如果在基极与发射极加入一定的电压后，集电极与发射极截止（不导通），则这种基极电压就称为反偏电压，这种状态被称为三极管反偏，或基极反偏。正偏、反偏是对于PN结而言的。
三极管工作和不工作时基极与发射极之间的电压为什么会相反?我不知道这...
产生这种现象的原因是，频率较高且反馈到三极管输入端的振荡信号在be结产生半波整流效应，其整流电压的平均值抵消了基级的正常偏压。
三极管在振荡时，发射结（基极与发射极之间）处于正偏反偏交替状态，就是说，基极相对于发射极来说，一时为正一时为负交替变换，所以基极电压很小甚至为负压。这是判断三极管是否处于振荡状态的依据之一。当人为破坏振荡条件，比如短路振荡电容，这时测得基极电压上升，说明振荡正常。
两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
这是一个电势的问题，发射极和集电极的电势是相反的，当基极无信号时，管子截止。集电极是加到电源正极，所以此时它是高电势，发射极是低电势。
PN结的反向击穿电压是多少?二极管三极管和稳压管是否一样呢?
射基结、集基结都是PN结，可以当作二极管用，但当稳压管用一般只用射基结（反向使用，不可以短接哦）。一般小功率的三极管射基PN结的反向击穿稳定电压大约为6V到7V（正向使用时导通电压约为0.7V），电流应限制在10毫安以下，以防过载。
利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。
因为三极管的击穿电压相比于二极管要大了五倍，三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，希望我的回答对你有帮助。
