雪崩击穿电压（雪崩击穿电压与掺杂浓度）
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问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?
1、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
2、发生的位置不同：雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。产生的机理不同：雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的，而齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。
3、性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。
二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?
在实际应用中，PN结的反向击穿通常同时包含齐纳击穿和雪崩击穿两种形式。但在不同电压范围内，两种击穿形式占据主导地位。具体而言，在低于5至6伏特的电压下，齐纳击穿为主要形式，此时稳压管的稳压值具有负的温度系数。而在电压超过5至6伏特的情况下，雪崩击穿成为主要形式，这使得稳压管的温度系数变为正。
雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。
PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
反向击穿当二极管反偏电压过大时，可能发生雪崩击穿或齐纳击穿。雪崩击穿起因于电子动能的增强，导致链式反应；而齐纳击穿则在高掺杂半导体中，由于极高的电场强度引起原子电离。通常，雪崩击穿电压高于6V，齐纳击穿电压小于4V。
称为雪崩击穿。雪崩击穿电压较高，大于6V，且具有正温度系数。由高浓度掺杂材料制成的PN结很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子一空穴对，使反向电流急剧增加，称为齐纳击穿。齐纳击穿电压较低，小于6V，具有负温度系数。
英飞凌为您解惑!IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么?
在这个过程中，IGBT依然有很大的电流流过，器件内部充盈着大量的电子和空穴。多余载流子变相降低了衬底的电阻率，使衬底的临界电场远低于静态条件下的临界电场，也就是动态下的雪崩击穿电压要远小于静态下的雪崩击穿电压。这时如果集电极出现比较高的电压就容易发生动态雪崩击穿。
首先，VCES（集电极-发射极阻断电压）是在结温范围内，允许在栅极-发射极短路状态下，IGBT在断态下承受的最大电压。手册中规定，VCES在25°C结温下给出，随温度降低会下降。在实际应用中，IGBT工作结温通常低于25℃，这里暂不详述。
英飞凌IGBT的最大额定值包括集电极-发射极电压VCE、集电极直流电流IC、集电极瞬态电流ICplus、共封装续流二极管电流IF和瞬态电流IFplus。这些参数定义了IGBT的运行条件和极限。
静态特性描述IGBT在不同条件下的工作性能，包括集电极-发射极击穿电压V（BR）CES、集电极-发射极饱和电压VCEsat、二极管正向电压VF、最小栅极电压VGE（th）、漏电流ICES和IGES以及跨导gfS。这些参数影响IGBT的电压、电流、热管理和电流驱动能力。
如果抬升的门极电压超过了阈值电压，会导致器件的非预期导通，这就是所谓的寄生导通现象。为了判断是否发生了寄生导通，可以进行实验观察。在双脉冲测试中，通过调整IGBT的关断电压，对比下管的开通波形，可以直观地发现寄生导通的影响。
