mosfet栅极电压（mos管栅极电流大小）
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nMOS管栅极电压
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
NMOS管的工作状态主要分为以下几类：截止状态： 当NMOS管的栅极电压低于阈值电压时，NMOS管处于截止状态。在此状态下，栅极和漏极之间的通道断开，导致漏极和源极之间没有电流流动。
N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。在测量DS时候，最好将G与S短接，或者GS之间接一个电阻，或者放置在防静电的工作台上。由于MOS过于脆弱，一定保证人体无静电。从你测量的结果看，明显的G存储了电荷并导致DS导通，G的电荷释放后DS又恢复了正常。
MOSFET栅极驱动电路应用说明
MOSFET的栅极在施加电压时开始积累电荷。图中展示了栅极充电电路和波形，说明了与并联的二极管的反向恢复电流和MOSFET栅极电压的影响。栅极驱动功率 MOSFET栅极驱动电路的功率与其工作频率成正比增加。图和公式展示了栅极驱动电路的功耗，包括驱动电源电压、栅极电流和栅极电荷的计算。
电压驱动：无直流电流流入栅极。栅极阈值电压：开通MOSFET需施加高于此电压的电压。稳态下功耗低：处于开启或关闭状态时，基本无功耗。栅极电荷：与MOSFET的状态相关，影响驱动电路设计。MOSFET通常用于频率在几千赫兹到几百千赫兹的开关应用，其优势在于较低的栅极驱动功耗。此外，还提供低电压驱动设计的MOSFET。
首先，一种基本驱动电路清晰展示了各组件，并需考虑栅极电压高于阈值Vth，MOS管导通，反之关断，同时需确保输入电容有效充电。R1影响开关速度及损耗，R2在输入信号开路时拉低栅源电压至0V。接着，采用逻辑电路或微控制器驱动MOS管，以有效降低电子设备功耗。
mos管导通条件
MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
当MOS管的栅极电压大于0V时，MOS管可以导通。详细 MOS管的基本工作原理 MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制电流的器件。它的核心结构是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成的。
n沟道mos管导通条件 导通时序可分为to~tt1~tt2~tt3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
P沟道MOS管导通的条件是在栅极G加触发电压，使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中，当栅源电压差大于阈值电压时（即VGSVth），会形成一个由正负载流组成的导通路径，使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
