nmos的阈值电压（nmos阈值电压随温度变化）
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阈值电压的求法
正确的计算方法是，根据线性区的电流方程： 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。
Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]。单限比较器阈值电压可以通过以下公式求得：Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]其中，Vth表示阈值电压值，Vref表示参考电压值，R1和R2分别为比较器的两个电阻。
-0.7-3）/2R1 X R1 +3V 这就是输出高电平时，反相端要达到的阈值电压。
一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。
Vth_lin是用所谓的固定电流法得来，常用的判据是0.1uA*W/L，Vds置于Vdlin，扫Vgs从0-Vgg，当Ids等于前述判据时即认为Vgs=Vth_lin Vth_sat与前述Vth_lin用同样方法得来，只不过提取时Vds置于饱和电压Vdd。具体的内容请参考Narrain Arora的《用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践》。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
1、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
3、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
怎样让MOS管工作在亚阈值区
根据查询中国工业网得知。由于MOS管的阈值电压不同，需要选择合适的MOS管。MOS管的输出电流非常微弱，采用合适的电路设计方法。控制输入电压，即可调到亚阈值区。
以nmos为例，其阈值电压（Vth）=0.7V，而亚阈值区就是使mos管沟道中形成反型层但是还没有形成强的反型层，即当所加栅源间电压VgsVth，但是Vgs不能太小，不然mos管就截止了。
亚阈值斜率或亚阈摆幅（S）是MOSFET在亚阈区工作性能的关键参数，它反映了输出饱和电流减小10倍时所需改变的栅-源电压的大小。减小S值、提高MOSFET的亚阈区工作速度的措施包括减小界面态、降低衬底的掺杂浓度、加上衬偏电压以及限制器件温升等。
0.13um工艺中Pmos和Nmos的阈值电压一般为多少
1、光刻工作与环境 和光色（大都为黄光 紫蓝光） 无尘室 有机溶剂 有关 若是厂房与主管对於安全卫生要求 都可以达到国家标准 减少 错误操作与使用设备与各种材料 对人体伤害极小 也就是可以避免伤害 制於薪资多少各单位核薪不同 无统一标准。
