反向偏置电压（反向偏置电压和反向击穿电压的区别）
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三极管的正向偏置电压和反向偏置电压有什么区别
三极管基极与发射极加入一定的电压，如果集电极与发射极导通，则这种基极电压（主要是极性）就称为正偏电压，这种状态被称为三极管正偏，或基极正偏。如果在基极与发射极加入一定的电压后，集电极与发射极截止（不导通），则这种基极电压就称为反偏电压，这种状态被称为三极管反偏，或基极反偏。
正偏反偏的意思正偏是指PN结加正向电压，反偏是指PN结加反向电压。正偏就是正向偏置，其实三极管的构造是PN结，二极管的构造也是PN结，二极管P接高点位，N接点位的时候会正向导同，三极管里就叫正偏。
二极管正偏反偏你总能明白吧，电压：+→PN→- 就是正偏，反偏就是加反相电压。NPN你可以理解为两个二极管背靠背装在一起了（但三极管比二极管结构复杂多了，由于杂质离子和结的宽度不同使三极管具有了电流放大功能），三极管就是在集电结反偏发射结正偏是工作在放大区。
NPN管，正向偏置电压是指B 极电位比E极电位高0.7V，也就是B－E间有电压且B正E负，这样可以有电流由B流向E。反向偏置电压是指B 极电位比E极电位低。PNP管与NPN管刚好相反。
、截止区： 三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。
与反向偏置电压的区别：与正向偏置电压相反，反向偏置电压会使电子器件的电流受到抑制。在三极管中，如果基极与发射极或集电极之间的电压为反向偏置，那么器件将截止，即电流无法流通。因此，控制正向偏置电压的大小和方向对于控制电子设备的性能至关重要。
什么是反向偏置电压
1、NPN管，正向偏置电压是指B 极电位比E极电位高0.7V，也就是B－E间有电压且B正E负，这样可以有电流由B流向E。反向偏置电压是指B 极电位比E极电位低。PNP管与NPN管刚好相反。
2、偏置是指电路中某点施以一定电压，使该点电位从零电位点偏移至预定的正电位或负电位。以NPN型三极管为例，处于放大状态时要求集电极Vbc反偏，发射极Vbe正偏。正常bc间PN结是b点电位c点电位，现在要求反偏，因此集电极c点电位要高于基极b点电位，Vcb就是反偏电压。
3、反向偏置电压就是集电结的P端接低电平、N端接高电平，对于PN接来说这就是接的反向电压。反向偏置电压并不是集电极电阻提供的，是三极管的工作电源通过集电极电阻提供的，集电极电阻只是提供一个通道而已。
4、反向偏置是指二极管在反向电压作用下的导电状态。在这种状态下，由于外加电压的反向作用，二极管的被掺杂区会扩大，形成一个较宽的禁带。因此，二极管的电阻非常大，只有少量的反向漏电流。反向偏置时，二极管内部的结构使得其电阻增大，形成较高的反向电压，只有少量的反向漏电流。
5、正偏反偏的意思正偏是指PN结加正向电压，反偏是指PN结加反向电压。正偏就是正向偏置，其实三极管的构造是PN结，二极管的构造也是PN结，二极管P接高点位，N接点位的时候会正向导同，三极管里就叫正偏。
什么是三极管集电结反向偏置电压
1、三极管工作在放大状态外部条件是发射结正偏，集电节反偏 这里要求输入回路也就是BE回路中b级电压要高于e级电压；电子技术上说的偏置是指 将电路中某点施以一定电压，使这一点上的电位从零电位点偏移至预定的正电位或负电位点。
2、三极管的工作原理是.基极与发射极之间的PN结称为发射结，基极与集电极之间的PN结称为集电结。当三极管工作在放大状态时，我们定义正向偏置电压是PN结电压，所以发射结是正向偏置电压；NP结相对PN结是反向，所以集电结是反向偏置电压。
3、反向偏置电压就是集电结的P端接低电平、N端接高电平，对于PN接来说这就是接的反向电压。反向偏置电压并不是集电极电阻提供的，是三极管的工作电源通过集电极电阻提供的，集电极电阻只是提供一个通道而已。
4、如果在基极与发射极加入一定的电压后，集电极与发射极截止（不导通），则这种基极电压就称为反偏电压，这种状态被称为三极管反偏，或基极反偏。正偏、反偏是对于PN结而言的。
当外界有反向电压偏置时有什么反应?
当外界存在反向电压偏置时，电路系统内的电流行为发生显著变化。具体表现为，外部电场与内部自建电场相互作用，使得两者强度进一步增强。在特定的反向电压区间内，电路系统展现出与反向偏置电压值无关的特性，即反向饱和电流I0。反向饱和电流I0的产生，是基于PN结二极管的物理特性。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
