二极管截止时电压（二极管截止时电压多大）
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为什么二极管截止时电压是VCC,导通时是0?
1、其实不难理解，当二极管截止时回路电流为零，上拉电阻上的压降亦为零，输出自然就等于电源电动势Vcc，而输入低电平Vil=0时，二极管导通此时Vo=Vcc-VR=0.7V，可见除二极管正向压降之外的电压都落在上拉电阻上了。
2、vi = vcc 时，因为电阻R存在压降，所以二极管具有一个反向偏压而截止。电源电压全部提供给外接电路，因此外接电路电压 vo ≈ vcc。vi = 0 时，当右边接有外接电路且阻抗不为0时，二极管具有一个正向偏压而导通。电源相当于通过二极管接地，因此外接电路电压 vo = 0。
3、晶体管T为电压反向器，输入端为正时T导通，输出电压为0，输入端没有电压时T截止，输出电压为Vcc。因此vi =1V时，vo1=1V，vo2=-15V，二极管不通，T没有输入截止，Vo=Vcc。vi =5V时，vo1=5V，vo2=+15V，二极管导通，T正输入电压导通，Vo=0。
4、在传输特性图中，BJT的三个工作区域被标出。对于饱和型反相器而言，输入信号需满足以下条件：当输入逻辑0时，BJT截止，输出电压接近电源电压VCC，即逻辑1；当输入逻辑1时，BJT饱和导通，输出电压约为0.2～0.3V，即逻辑0。这种关系展示了反相器输出与输入之间的非逻辑关系。
二极管的截止电压是什么
1、当二极管D承受4V的反向电压时，它处于截止状态，此时输出电压为-2V。 D1二极管在承受6V的正向电压时导通，而D2二极管则在接受12V的反向电压时截止。因此，输出电压U由D2的二极管正向压降决定，为0.7V。
2、在二极管中，截止电压是指正向电压大于零，但小于截止电压时，二极管处于截止状态，在这个状态下，电流非常小。在晶体管中，截止电压是指控制电压小于截止电压时，晶体管处于截止态，在这个状态下，电流无法从集电极流向发射极。
3、二极管截止，Uao = -6V 二极管导通，Uao = -3V（假设二极管为硅管，有0.7V压降） VD1不导通，VD2导通，Uao = -0.7V（假设二极管为硅管，有0.7V压降）解释：假设不加二极管（以o点为0点位点），那么左右的电压分别为-3V和-6V，左边的电位比右边的高，所以加上二极管也不会导通。
4、V。并联电路中二极管截止电压为1200V，截止电压大于1200V的元件串联时，才有必要外加一个并联电阻。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。
并联电路中二极管截止电压为多少
1、V。并联电路中二极管截止电压为1200V，截止电压大于1200V的元件串联时，才有必要外加一个并联电阻。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。
2、二极管正向串联在供电回路中，当电路闭合形成回路后，二极管两端为正常的导通压降，约在0。7V左右。二极管反向串联在供电回路中，当电路闭合后，二极管反向截止，两端压降为电源电压4V。
3、V电池正极所串接的二极管必须是负极与9V电池正极并联，此时二极管截止，没有电流通过6V电池，6V电池电压低也就不能通过二极管输出电流，电压为9V电池的电压。如果6V电池正极所串接的二极管是正极与9V电池正极并联，9V电池的电流经二极管流向6V电池，与所述情况相同。
4、发光二极管在 并联 使用时电压一般是恒定的，电流变化比较大。比如：一个LED是15MA，两个是30MA，三个就是45MA………。所以并联时电流一定要够，否则就会光暗或不亮。
5、D2阴极－2V，D1的阴极是0V，这两个并联，所以阳极必然被导通需要电压更低的D2钳位到－3V，这样D1截止，D2导通，Uo=-3V，至于另一个2V和电阻R，由于R的限流、分压作用。对电路的电压不起影响。
6、二极管是截止。140K和10K的A点分压是1V；25K和5K的-点分压是5V，由于正负两端是10V，所以10V的正端是15V，18K和2K分压的B点是1V+5V=5V。B点电压高于A点电压，所以D截止。15V一路经140K和10K进地，再一路经25K和5K进地，即15V是两路是并联流入地。10V经18K和2K进入负极。
二极管反向截止电压
二极管的反向截止电压是指在反向电压作用下，二极管不导电的状态。当这个电压达到一定值时，即使反向电压略有增加，反向电流也不会显著增大。 在二极管的正向导通区，当正向电压超过死区电压，正向电流迅速上升，二极管的正向电阻急剧下降，此时二极管开始导电。
二极管反向截止的条件是正向电压电压低于阀值电压，或者外加反向电压不超过结区击穿电压。简单地说，二极管截止状态指它在没有导通，也没有反向击穿的条件，它的重要特点为没有任何电流通过它。二极管的类型太多，但是它主要分为N型材料和P型材料制成的半导体二极管。
当二极管D承受4V的反向电压时，它处于截止状态，此时输出电压为-2V。 D1二极管在承受6V的正向电压时导通，而D2二极管则在接受12V的反向电压时截止。因此，输出电压U由D2的二极管正向压降决定，为0.7V。
防止反向电流过大导致电路损坏。二极管的导通区是指当二极管的正向电压大于死区电压后，正向电流迅速增长，二极管正向电阻变得很小，二极管正向导通。导通后，正向电压微小的增大会引起正向电流急剧增大，电压与电流的关系近似于线性，这一段称为正向导通区。导通后二极管两端的正向电压称为管压降。
二极管正向导通时，正极电压高于负极电压约0.7伏。二极管反向截止时，正向电压小于反向电压，相当于隔离了。二极管的两端电压相同时，也处于截止状态，相当两边是隔离的。
二极管的死区电压是多少?
1、对于硅二极管，死区电压通常在0.5到0.7伏特之间，最常见的数值是约0.6伏特。这个范围可以根据制造工艺、温度和其他因素而略有不同。对于锗二极管，其死区电压较低，一般在0.2到0.3伏特之间。
2、理想状态下，死区电压应为零，正向压降也应为零。然而，在实际应用中，不同类型的二极管具有不同的死区电压和正向压降。硅二极管的死区电压通常为0.5V，正向压降则在0.6至0.7V之间。相比之下，锗二极管的死区电压约为0.1V，正向压降则在0.2至0.3V之间。
3、二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
4、通常情况下，锗管的死区电压约为0.2V，而硅管的死区电压约为0.5V。这两个数值反映了不同材料在导通特性上的差异。死区电压在不同的应用场合下也有不同的称呼，例如在某些情况下它也被称作开启电压。硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，其中硅管使用更为广泛。
5、实际二极管：硅二极管的死区电压为0.5V，正向压降为0.6~0.7V 锗二极管的死区电压约0.1V，正向压降为0.2~0.3V 反向击穿电压，二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
