pn结导通电压(pn结导通电压怎么计算)

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为什么pn结需要导通电压而不是一加电压就导通

由此就可以知道,PN结的导通条件可以是加正向电压(即p区加正极N区加负极),以削弱PN结而使PN结处于导通状态。也可以直接中PN结上加反向高压以击穿PN结而导通。

实际中,发射结的导通压降略大于集电结的导通压降。而且PN结导通不是一下子导通的,一开始电流慢慢增大,到后来就很快了,可以看看PN结的伏安特性曲线和电流方程。

空穴和电子都向界 面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和 电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过。这就是PN结的单向导性。

pn节启动电压怎么看

pn节启动电压为0.3~0.7v为0.3~0.7v。在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大,电流急剧暗加。

Pn结正常电压是0.5-0.8,他的意思是属于电压值,这种电压只属于一个参考值,所以它不超出这个参考值,他是属于安全的。

一般LED灯的PN节应只有0.5~0.7伏就能开通,5伏电压,你应串联一个电阻限流。可以算出电阻的功率:电流700mA,电压5伏-0.7伏=3伏。

主要看c极和e极的电压,哪个比哪个高。电流是从高电位流向低电位,PNP的电流是从e极流向c极,NPN的电流是从c极流向e极。再看晶体管的偏置电压。晶体管在正常工作时,e结正偏,(PNP管UbUe,NPN管UbUe);c结反偏,(PNP管UbUc,NPN管UbUc)。

和基板与渗入材质有关,也就是PN节材质,比如锗管是0.3V,硅管0.7V。

PN结导通后的电压是多少?不是PN结的导通电压

根据导通程度和型号的不同,NP结正向导通后的电压可以在0.6~2V之间变化(硅管),如果你说的是三极管的集电结,那个变化范围就更大了,从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

B、导通电压:由公式做出伏安特性曲线,可知,因为Is特别小,所以当V不是很大的时候,I仍是很小的值;当V较大时,I的变化才明显起来。所以工程上定义导通电压Von。认为:当VVon时,二极管导通,I有明显变化;当V硅的导通电压:0.6~0.8V 锗的导通电压:0.2~0.3V。

PN结是一种特殊的结构,它是在一块半导体材料上将P型半导体和N型半导体结合而成的。当P区连接到正电压,N区连接到负电压,两者之间的电位差达到一定值时,电流可以从P区流向N区,这种现象被称为正向导通。此时的连接方式被称为正偏。值得注意的是,PN结的正向导通电压通常小于1V。

不同材料的pn结,二极管,三极管导通电压不同,硅材料三极管,硅材料二极管,硅材料pn结导通电压为0.5-0.7伏左右,锗材料pn结,锗材料二极管,锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

什么叫PN结、正向导通、正偏电压、反偏电压?有没有遇到8V以上的电压...

PN结是一种特殊的结构,它是在一块半导体材料上将P型半导体和N型半导体结合而成的。当P区连接到正电压,N区连接到负电压,两者之间的电位差达到一定值时,电流可以从P区流向N区,这种现象被称为正向导通。此时的连接方式被称为正偏。值得注意的是,PN结的正向导通电压通常小于1V。

PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域。当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时,电流可从P区流向N区,这就是正向导通。这样接法就是正偏,PN结正向导通电压小于1V。

正偏、反偏是对于PN结而言的。在开关电路中,三极管工作在饱和导通族雹前与截止两种状态。正偏即两极间加的电压与PN结的导通方向一致,即饱和状态,就是两个P-N结都处于正偏的导通状态;截止状态,就是两个P-N结都处兆清于反偏的截止状态。

pn结的正偏指p端的电势相对n端的要高。比如2V对1V ,1V对0V,0V对-1V等 正向导通是指在正偏的情况下两端电压(电势差)达到或超过pn结的导通电压,形成电流通路,也就是你说的硅管正向导通电压0.7V,而锗管的是0.3V左右。

所说的正向袭闭导通,就是在PN结的P区加高电位,N区加低电位,PN结就会导通,对于三极管来说,不管是什么型的,不管是哪个结,只要P区加上高于N区的电位(硅管高0.7,锗管高0.3)就为正偏。

PN结正偏的含意:(1)、当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(2)、在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。

PN结上为什么加正向电压可以导通?

PN结加正向电压时,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。

由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。

当PN结外加正向电压时,外电场的方向与内电场相反,外电场削弱了内电场,使阻挡层变薄;当外电压继续增强时,会使阻挡层完全消失,PN结开始正向导通,形成PN结正向电流;当正向电压继续加大(0.7V),电流急剧增加,若不加限制,将烧毁PN结。

所以,一定数值的正电压抑制内电场,形成电流剧增,导通pn结。

这时PN结内的电流由起支配地位的扩散电流所决定。在外电路上形成一个流入P区的电流,称为正向电流IF。当外加电压VF稍有变化(如O.1V),便能引起电流的显著变化,因此电流IF是随外加电压急速上升的。这时,正向的PN结表现为一个很小的电阻。

PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过。

PN结的导通电压是多少?

B、导通电压:由公式做出伏安特性曲线,可知,因为Is特别小,所以当V不是很大的时候,I仍是很小的值;当V较大时,I的变化才明显起来。所以工程上定义导通电压Von。认为:当VVon时,二极管导通,I有明显变化;当V硅的导通电压:0.6~0.8V 锗的导通电压:0.2~0.3V。

不同材料的pn结,二极管,三极管导通电压不同,硅材料三极管,硅材料二极管,硅材料pn结导通电压为0.5-0.7伏左右,锗材料pn结,锗材料二极管,锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

PN结在正向电压情况下导通,但不是理想的开关,上面会有0.7V左右的电压。

根据导通程度和型号的不同,NP结正向导通后的电压可以在0.6~2V之间变化(硅管),如果你说的是三极管的集电结,那个变化范围就更大了,从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

你说的0.6-0.7V是三极管基极导通电压。根据PN结的特性,在正向导通后,PN结电压与电流基本上呈现指数关系,在一定条件下可以认为PN结电压恒定为0.7V左右,PN结通过的电流只与外电路相关。在这个图中,你只需要知道三极管的BE之间为0.7V,BE的电流需要根据外电路和这个0.7V来计算就可以。

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