三极管反向电压的简单介绍
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...发射结加上正向电压。集电结加反向电压,反向电压是不是加负极电压...
集电结加反向电压并不一定是加负电压，只是相对于集电结来说电压是之处于反偏置状态，对于PNP管集电极是加负电压，对于NPN管集电极是加正电压。
npn三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。
你说错了，应当是发射结加正向电压，集电结加反向电压。“结”与“极”是不同的概念。“结”是PN半导体交界的地方。上述的意思就是：对于NPN三极管，集电极要加上较高的正电压，基极加上较低的正电压，发射极电压最低，这样就使集电极处于反向电压状态，发射结处于正向电压状态，这样三极管才能工作。
三极管反向连接,电压多少算正常呢?
VT≈26mV。三极管的核心是PN结，是两个背对背的PN结。可以是NPN组合，也或以是PNP组合。由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例。三极管不是两个PN结的简单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的。
集电极、发射极反向偏置，基极、发射极正向偏置，硅三极管发射极和集电极反向偏置，电压超过0.3伏，基极、发射极正向偏置0.5伏以上；锗三极管集电极与发射极反向偏置，电压超过0.3伏，基极、发射极正向偏置0.3伏以上，就可以工作。
NPN管的基极接负电压能使三极管可靠地截止，只要接负压的限流电阻足够大（100K就够了），不用担心烧三极管。事实上对于小功率NPN三极管的射基PN结来说，它的反向击穿电压一般在7V，只要能够限制它的击穿电流，它的工作是安全的。我常用它来应急替代稳压管使用，当然它的稳压性能不如专用管好。
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
硅管e极正向在0.6-0.7时，电流就可达到额定或设计值，但电压继续上升，电流显现快速上升，上升规律为e的指数函数。当代电流达到最大功率或IcM时，就要烧毁。反向一般在6V以上，不同的管子电压不同。无论正向还是反向，烧坏管子的机理与二极管一致。
“比如我B极不加电压，只在CE之间加压，一直往上升，加到多少可以击穿？ ”---不同型号的三极管，击穿的电压数不同，常用的三极管，低至约20V，高至约2000V。
为什么说三极管的三个击穿电压?
1、三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
2、“ 如果每个脚都两两加压，一共有6种解（接）法 ”---这6种接法中有3种接法是正向接法，不存在“反向击穿”的说法，另3种接法属于反向接法，如下：三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。
3、问题一：三极管击穿的原因 三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。
4、其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值；其二集电极—发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。
