场效应管无电压（场效应管电源电路）

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场效应高放管没有电压

外部电路导通不良：如果场效应高放管的负载电路存在问题，可能会导致该管没有电压，检查外部电路中是否存在任何导通不良的部分。电源问题：检查电源是否为该管提供了正确的电压，可能需要检查电源电路，包括电压稳压器和滤波器，以确保它们正常工作。

定义：在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压，观察其PN结的电流变化情况，当PN结的反向电流出现剧烈增加时，此时施加到此PN结两端的电压值，就是此PN结的反向击穿电压。

这个应该是电源管，它要是坏了，就会没电输出。直流12V。在没有任何发映的情况下先查这个管子上有没有电压输出。如果没有，就是这个管子坏了或之前的电路有问题。你还是先学学基础再说吧。

现代的晶体管电视机通常采用正向AGC，而由场效应管组成高、中放电路则倾向于使用反向AGC。这种选择主要基于设备的具体应用和性能需求。AGC电压的形成方式有多种，包括信号平均值式、峰值检波式、键控式以及延迟式等。

不过，高频头里面负责高频放大的场效应管却没有办法保护，它还是很容易被击穿，尤其是在打雷时，场效应管很容易损坏。 给我们的感觉就是：“打雷把电视机烧了。” 数字电视时代为什么不怕雷？ 有线电视接收及机顶盒的使用 如今，有线电视接收终端，网络有机顶盒。它们都输出HDMI或者AV信号给电视机。

存储的那个纽扣电池没电了你储存的电台频道没有了，是因为德生收音机里面关于存储的那个纽扣电池没电了。你只要去维修点换一个电池就可以了。

场效应管导通之后去掉栅级电压还会一直导通吗,还有可控硅?

1、得有一定合适的栅极电压才会导通。没有栅极电压就不会导通。

2、场效应管，栅极输入阻抗特高，栅极加电后断开电源仍然可以保持导通，类似可控硅。栅极导通电压高，一般大于6V，极性看管子极性。三极管的测量三个脚，用1k档测量，当有一个脚接黑表笔，另两个接红表笔，都正向导通，黑表笔接的是基极。

3、不可以，两者不是同类型器件。场管是电压控制型，导通后没有控制信号就会断开；可控硅是电流控制型，导通后撤去控制信号仍会继续导通；可控硅可用于控制交流电路，而场效应管用于控制直流电路。

4、场效应管的夹断电压，就是栅极与源极的电压，从场效应管导通后，逐渐降低栅极电压，直到场效应管关断为止，此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。

5、MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10V左右。

mosfet工作原理

1、- 半导体（Semiconductor）：主体是半导体材料，常用硅。 工作原理 - 在没有电压施加到栅极时，MOSFET中的沟道是截至的，不导电。- 当在栅极上施加电压时，形成的电场改变了半导体中的电荷分布，使得在半导体中形成一个导电通道。- 这个通道的导电性质由栅极电压控制，从而调控了电流的流动。

2、电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。

3、MOSFET，即金属-氧化-半导体场效应晶体管，是一种关键的半导体器件，用于控制电流的流动。它通过改变栅极上的电场来调节电流，其基本工作原理如下： 结构概述：- 金属（Metal）：栅极由金属制成，负责接收控制信号。

MOS场效应管源极\栅极/漏极电压分别是多少伏?

1、MOS场效应管是一种常见的半导体器件，特别是N沟道MOS管，其能够承受的最大电压为75伏，最大电流为300安。在实际应用中，为了确保器件的安全与性能，工作电压不应超过75伏。MOS管的三个主要电极分别是源极、栅极和漏极。这些电极之间的电压关系对器件性能至关重要。栅极电压直接影响着MOS管的导通状态。

2、这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的，会击穿。

3、mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

场效应管的漏极与源极电压相同都是五伏,栅极没电压,漏极与源极的电压...

G没电压，Ds对地都是5V，可能管子击穿了。因你测G电压时，G对地已完成放电，正常时DS应截止。

场效应管的规格书提供了关于器件性能的详细信息。例如，SI2318DS-T1-E3是一款N型MOSFET，其最大漏源电压为40V，连续漏极电流为3A（25°C时），最大驱动电压为10V，最大栅极电荷为15nC，输入电容为540pF，最大栅源电压为±20V。

场效应管的试验测试包括了结型场效应管的识别和性能评估。首先，识别管脚：栅极与晶体管基极类似，源极和漏极对应于发射极和集电极。使用万用表R×1k档测量各对管脚的正反向电阻，若阻值相等，约为数千欧姆，即为源极S和漏极D，剩余一个为栅极G。对于4脚结型管，其中一极为屏蔽极，无需关注。

vds是场效应管漏极和源极间的电压，vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。

如果漏极和源极短路，是场效应管坏了……不过要确定栅极源极不存在电压——也就是把栅极源极短路一次后在测量；三个脚都短路，那更坏了。一般可用指针式万用表的电阻档（最好用R*1K档）测量，也可用数字万用表二极管档测量。

耗尽型管子VGS=0导通，VGS反偏则截止，结型场效应管都是耗尽型。

关键词：场效应管无电压