三极管击穿电压（击穿电压检测）
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三极管击穿电压
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。常用管约20V~2000V。BVcbo ： E极开路，C-B极反向击穿电压。BVcbo比BVceo略大。BVebo ： C极开路，E-B极反向击穿电压。BVebo的数值很小，一般的三极管5V~20V。
击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。
V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。
三极管击穿时、饱和时各集电压关系
击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。
三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定，即使电源电压不变，如果集电极电阻改变，饱和电流也会改变，当集电极电阻增大时，三极管的饱和电流减小，当集电极电阻减小时，三极管的饱和电流增大。
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
三极管13007的参数是多少?
三极管13007是一种硅NPN型大功率三极管，经常用于各种放大和开关电路中。其最大耗散功率为100W，表明该三极管可以承受较大的功率损耗，适用于高功率应用的场合。同时，它的最大集电极电流为15A，这意味着在正常工作条件下，它可以安全地处理较大的电流。此外，三极管13007的击穿电压参数也是其重要特性之一。
三极管13007的参数主要包括：集电极-基极电压（VCBO）为700V，集电极-发射极电压（VCEO）为400V，发射极-基极电压（VEBO）为9V，集电极电流（IC）为0.8A，耗散功率（PC）为30W，工作温度为-55℃～+150℃，封装类型为TO-220。
正视。从左向右 B，C，E：三极管的B是基极、C是集电极、E是发射极。
三极管的反向击穿电压
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。
加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。
三极管三个集的击穿电压的大小...
1、击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。
2、注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。
3、三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
为什么说三极管的三个击穿电压?
1、三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
2、“ 如果每个脚都两两加压，一共有6种解（接）法 ”---这6种接法中有3种接法是正向接法，不存在“反向击穿”的说法，另3种接法属于反向接法，如下：三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。
3、其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值；其二集电极—发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。
4、问题一：三极管击穿的原因 三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。
