开启电压夹断电压（开启电压夹断电压什么意思）

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场效晶体管开启电压和夹断电压的意义?UGS(th)和夹断电压UGS(off)

1、正确答案：对于耗尽型绝缘栅场效晶体管，使其到底沟道出现夹断所需的栅源电压UGS称为夹断电压UGS（off）；对于增强型绝缘栅场效晶体管，使其不导通变为导通时的临界栅源电压UGS称为开启电压UGS（th）。

2、夹断电压（VP或UGS（off）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（VGS），可用万用表或晶体管图示仪测得。实测时，为便于测量，规定VP对应的最小漏极电流值。

3、开启电压UGS（th） （或UT）开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值， 场效应管不能导通。 UDS一定， iD 0。（2）夹断电压UGS（off） （或UP）夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为零时的UGS值 。即当UGS=UGS（off） 时，漏极电流为零（微小电流）。

4、相比之下，NMOS耗尽型的开启电压称为ugs（off），即夹断电压。这个值通常是一个负值。只要栅源电压UGS大于夹断电压ugs（off），NMOS管就可以导通。值得注意的是，ugs（off）的值是不确定的，它可以是负数、零，也可以是正数。

5、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

夹断电压和开启电压的区别

1、该操作和开启电压的区别在于定义不同、作用不同。定义不同：夹断电压是指当电压达到一定值时，为了保护设备或电路，通过控制电路断开电源的电压。通常用于防止设备过载、短路等故障，以保证电气系统的正常运行。开启电压是指使晶体管或其他器件开始导通所需的最小电压。

2、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

3、正确答案：对于耗尽型绝缘栅场效晶体管，使其到底沟道出现夹断所需的栅源电压UGS称为夹断电压UGS（off）；对于增强型绝缘栅场效晶体管，使其不导通变为导通时的临界栅源电压UGS称为开启电压UGS（th）。

4、UP—夹断电压：指使结型或耗尽型绝缘栅场效应管中的漏源刚截止的栅极电压。 UT—开启电压：指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源刚导通的栅极电压。 gM—跨导：表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

什么是场效应管的夹断电圧和开启电压?

夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

有两种类型的场效应管：增强型和耗尽型。增强型的在栅源电压小于一定值时是没有导电沟道的（宽度为0），大于该值时才导电，这就是开启电压。耗尽型的在栅源电压=0时就已经存在非0宽度的导电沟道，而随着栅源电压的降低，沟道宽度越来越小，当沟道宽度=0时对应的栅源电压就称为夹断电圧。

N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?_百度...

1、总的来说，NMOS增强型和耗尽型在开启电压上的差别主要体现在UGS（th）和ugs（off）的定义以及它们的取值范围上。了解这些差异有助于更好地选择和应用这两种类型的NMOS管。

2、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

3、首先，导电沟道的形成方式不同。增强型MOS管的导电沟道是通过外加电压形成的，当外加电压达到一定值时，沟道区域的电荷浓度增加，形成导电沟道。而耗尽型MOS管的导电沟道在制造过程中就已形成，没有外加电压时也存在一定数量的自由电子或空穴。其次，工作原理不同。

4、P沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。

5、**导电沟道形成方式**：增强型MOS管的导电沟道是通过外加电压形成的，当外加电压达到一定值时，沟道区域的电荷浓度增加，形成导电沟道。而耗尽型MOS管的导电沟道在制造过程中就已经形成，即使没有外加电压，沟道区域也存在一定数量的自由电子或空穴，形成导电沟道。

6、阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。控制方法不同。（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。（2）、增强型必须使得UGSUGS（th）才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。

场效应晶体管的夹断电压UGS(off),指的是什么?它是哪种类型MOS管的参数...

夹断电压（VP或UGS（off）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（VGS），可用万用表或晶体管图示仪测得。实测时，为便于测量，规定VP对应的最小漏极电流值。

开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值， 场效应管不能导通。 UDS一定， iD 0。（2）夹断电压UGS（off） （或UP）夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为零时的UGS值 。即当UGS=UGS（off） 时，漏极电流为零（微小电流）。

相比之下，NMOS耗尽型的开启电压称为ugs（off），即夹断电压。这个值通常是一个负值。只要栅源电压UGS大于夹断电压ugs（off），NMOS管就可以导通。值得注意的是，ugs（off）的值是不确定的，它可以是负数、零，也可以是正数。

什么叫场效应管的开启电压和夹断电压?

1、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

2、场效应管的夹断电压，就是栅极与源极的电压，从场效应管导通后，逐渐降低栅极电压，直到场效应管关断为止，此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。

3、夹断电压（VP或UGS（off）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（VGS），可用万用表或晶体管图示仪测得。实测时，为便于测量，规定VP对应的最小漏极电流值。

4、Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。

5、IDSS—饱和漏源电流：指在栅极电压UGS=0时，结型或耗尽型绝缘栅场效应管中的漏源电流。 UP—夹断电压：指使结型或耗尽型绝缘栅场效应管中的漏源刚截止的栅极电压。 UT—开启电压：指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源刚导通的栅极电压。