电压雪崩（解释雪崩过程和起始电晕电压）

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雪崩击穿到底能不能恢复?

总的来说，雪崩击穿是可以恢复的，但需要正确的处理方法和步骤。及时断开电源，检查和评估受损情况，采取适当的修复措施，并进行测试以确保系统的正常运行，这些都是恢复过程中必不可少的步骤。

该效应不可恢复。在雪崩击穿效应中，由于电子与晶格不断相互碰撞，产生大量的电子空洞对，达到一定程度后出现了“雪崩”效应，导致绝缘体失效。一般认为，雪崩击穿是不可逆的，因为经历了雪崩击穿的局部区域永久损坏，不可能恢复。

二极管稳压管就是利用雪崩击穿和齐纳击穿来工作的，当加于稳压管两端电压撤除后，又自动恢复到击穿前的状态，就可反复使用。

雪崩击穿电压是什么?

1、PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

2、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。

3、一般对于硅材料的PN结，6V电压以上以雪崩击穿为主，6V以下以齐纳击穿为主；电压很高几乎就是雪崩击穿，电压很低就是齐纳击穿。相同之处是：电压低于击穿点时通过PN结的电流很小，电压超过击穿点后，通过PN结的电流急剧增大，若外部电路不加限制，将使PN结很快烧毁。

4、雪崩电压一般是MOSFET定义的Drain-source breakdown voltage （BVDSS）的110%～150%之间，击穿电压具有正温度特性。还有一点非常有趣，可能你也留意到了，在定义雪崩能量时，通常都会有一个备注：Single pluse。这就引出了我们的第二个话题：热载流子注入（Hot Carrier Injection）。

5、雪崩击穿发生在反向电压接近击穿电压UB时，空间电荷区内电场增强，载流子能量增加。在反向电压作用下，载流子与空间电荷区的中性原子发生碰撞电离，产生电子-空穴对。这些新产生的载流子在电场作用下再次获得能量，碰撞其他原子并产生更多电子-空穴对。

解释雪崩过程和起始电晕电压

1、临界电压、积雪太厚。起始电晕电压起始电晕电压又称临界电压，是开始发生电晕放电时的电压。造成雪崩的原因主要是山坡积雪太厚，积雪经阳光照射以后，表层雪 溶化。

2、起始电晕电压是指开始发生电晕放电的电压。3．荷电尘粒的运动和捕集 粉尘荷电后，在电场的作用F，带着不同极性电荷的尘粒分别向极性相反的电极运动，沉积并被捕集。

3、工作原理 在两个曲率半径相差较大的金属阳极和阴极上，通过高压直流电，维持一个足以使气体电离的电场，气体电离后所产生的电子：阴离子和阳离子，吸附在通过电场的粉尘上，使粉尘获得电荷。荷电极性不同的粉尘在电场力的作用下，分别向不同极性的电极运动，沉积在电极上，而达到粉尘和气体分离的目的。

4、放电电压和电晕放电时间 在旋转驱动平台上放置三块试样，平台转动后，在其上方20mm处针电极开始电晕放电。

5、电压继续升高时，会出现雪崩式电离，即碰撞产生的电子积累足够的动能，引发新的碰撞电离，形成电子崩。电子崩使空间中电子和离子急剧增加，碰撞电离增强，光电离出现，形成流注。在均匀电场中，如果出现流注，它将迅速发展，形成贯穿整个间隙的火花放电。

6、这些带电粒子在电场中获得能量后进一步碰撞其他气体分子，从而引发雪崩式的电离过程。最终，这个过程导致电流的急剧增大和光的产生，形成辉光放电现象。辉光放电的应用领域 辉光放电在许多领域都有实际应用。例如，在电子设备中，它可以用于高电压指示器或开关的触发机制。

TVS管的参数反相雪崩电压是什么意思呢?

1、雪崩电压就是它的击穿电压。只要电压达到雪崩电压值，TVS管就会以极快的速度提供一个瞬间大电流通道，把电压钳位在它的雪崩电压值，对整个电路起到保护作用。

2、TVS二极管的主要参数有：反向转折电压、击穿电压、峰值脉冲电流、箝位电压、脉冲峰值功率、结电容等。断态电压---称呼应该是反向关断电压，专业称为反向转折电压，也可说是可承受的反向电压。转折电压---楼主应该问的是击穿电压，也是反向崩溃电压。

3、你所指的18V是反向关断电压，也就是可承受的反向电压，这参数不是击穿电压。具体参数看如下解释：TVS（Transient Voltage Suppression）是一种限压保护器件，是利用器件的非线性特性将过电压钳位到一个较低的电压值实现对后级电路的保护。

4、TVS管器件的主要电参数包括以下几点：（1） 最小击穿电压VBR，指TVS流过规定电流时两端的电压。此电压在25℃时为TVS管呈低阻抗通路的阈值。低于该电压，TVS管不会发生雪崩击穿。（2） 额定反向关断电压VWM，为TVS管正常状态时可承受的电压。

mos管雪崩电压失效,soa电流失效重点分析及预防措施是什么?

在预防雪崩电压失效方面，首先，从器件层面需保留一定电压降额，一般为70%至90%。其次，从系统层面考虑，通过优化变压器反射电压、使用RCD吸收电路、合理散热、减小布线寄生电感和限制di/dt等方法，综合提升MOS管的热管理能力。

MOS管的失效主要集中在雪崩电压失效和安全工作区（SOA）失效两个方面，预防措施涉及降额使用、变压器优化、电路设计和散热管理。下面是对这两个重点的详细分析和建议。雪崩电压失效：MOSFET由于寄生NPN结构，当电压过高、电流大时，可能导致雪崩击穿。

雪崩失效分析主要关注电源板上电压叠加导致的MOSFET失效模式，通过合理设计降额、优化变压器反射电压、采用RCD及TVS吸收电路、减少布线寄生电感和选择合适的栅极电阻等手段，可以有效预防雪崩失效。SOA失效关注电源运行时异常大电流和电压叠加，导致的瞬时局部发热或持续发热超过氧化层限制的问题。

SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。SOA失效的预防措施：（1）确保在最差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。

预防措施包括提高栅极驱动电路的阻抗，并在栅极和源极之间并联一个阻尼电阻或稳压器。SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压叠加在MOSFET上，导致瞬时局部发热或热积累，从而导致热击穿。预防措施包括确保所有功率限制条件在SOA限制线以内，并精确细致地设置OCP功能。

关键词：电压雪崩