硅二极管开启电压（硅二极管工作电压）

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硅的死区电压和导通电压分别是多少V

硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。

硅二极管的死区电压通常为0.5伏，这是指二极管从截止状态转换到导通状态所需的最小正向电压。当二极管的正向电压达到0.7伏时，二极管开始导通，此时的电压被称为导通压降。相比之下，锗二极管的死区电压较低，一般为0.1伏。这意味着锗二极管在较低的正向电压下就能从截止状态转变为导通状态。

Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

二极管的起始电压是指什么?

1、恒流二极管的主要参数包括恒定电流（IH）、起始电压（VS）、正向击穿电压（V（BO）、动态阻抗（ZH）和电流温度系数（αT）。恒定电流通常在0.2到6毫安之间。起始电压表示管子进入恒流区所需的最小电压，通常为30到100伏特。动态阻抗定义为工作电压变化量与恒定电流值变化量之比，要求ZH值越大越好。

2、你说的应该是二极管的开启电压吧？二极管的开启电压指的是刚刚能使二极管开始导通的临界电压。一般硅管的开启电压约是0.5V，锗管约为0.1V。

3、起始电压表示管子进入恒流区所需要的最小电压。恒流二极管的正向击穿电压通常为30～100V。动态阻抗的定义是工作电压变化量与恒定电流值变化量之比，对恒流管的要求是ZH愈大愈好，当IH较小时ZH可达数兆欧，IH较大时ZH降至数百千欧。

4、二极管的开启电压就是正向电流增大（一般规定为1mA）时的正向电压。一般考试不会很为难你的话，他会把图上第一象限的起始部分画的非常接近X轴，然后电流突然开始增加。

5、起始电压表示管子进入恒流区所需的最小电压。正向击穿电压通常为30～100V。动态阻抗的定义是工作电压变化量与恒定电流值变化量之比，对恒流管的要求是Zh愈大愈好，当Ih较小时Zh可高达数兆欧，Ih较大时Zh降至数百千欧。电流温度系数由下式确定：αt=[（△Ih/Ih）/△T]*100%。

是怎么判断的非线性元件伏安特性的测量中普通二极管是硅管还是锗管?

在非线性元件伏安特性测量中，判断二极管是硅管还是锗管主要依据的是开启电压的大小。硅二极管的开启电压大约为0.7V左右，而锗二极管的开启电压则大约为0.2V左右。

要判断普通二极管是硅管还是锗管，其实并不复杂，仅需使用普通万用表即可。通常，硅管在正向测试时电阻约为5K欧姆，反向测试时电阻则为无穷大。而锗管在正向测试时电阻约为5K欧姆，反向测试时电阻约为500欧姆。通过上述数据对比，可以轻松识别硅管与锗管。

而且可知阻值小的一次和黑表笔所接的一头是二极管的正极；如果两次测量时万用表的指针摆动特别大则说明二极管是击穿的，如果阻值特别小则说明二极管是断路的。

模电重要知识点总结复习资料

1、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。

2、模拟电路基础知识 模拟电路是电子工程领域的重要部分，主要涉及连续变化的信号。其核心知识点包括： 电路分析：包括直流和交流电路分析，如电流、电压、功率的计算，以及欧姆定律、功率定律的应用。半导体器件：如二极管、晶体管的基本特性和工作原理。放大电路 放大电路是模拟电路的重要应用之一。

3、模电基本知识点总结：集成运算放大器是一种高增益直接耦合放大器，他作为基本的电子器件，可以实现多种功能电路，如电子电路中的比例，积分，微分，求和，求差等模拟运算电路。运算放大器工作在两个区域：在线性区，他放大小信号；输入为大信号时，它工作在非线性区，输出电压扩展到饱和值。

4、硅二极管门槛电压约为0.5V，锗二极管门槛电压约为0.1V。 二极管正向电阻小，反向电阻大。 二极管单向导电性，PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 二极管单向导电特性，稳压二极管与负载并联时，需加入电阻以维持稳定电压。

硅管比锗管的开启电压大的原因

1、该电场强度与本征载流子浓度成相反函数关系，锗材料由于原子半径大，束缚外围电子能力差，因而本征载流子浓度大于硅材料，导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。

2、与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。

3、电阻不同，电流不同。根据查询知乎网显示。电阻不同：在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。硅管的交流电阻小于锗管。电流不同：在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。开启后，锗管电流增加缓慢而硅管电流增加较快，硅二极管的反向电流远小于锗二极管。