半导体的导通电压（半导体导通电压跟什么有关）
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如何判断三极管的导通状态?
1、Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。
2、截止状态：当发射结电压小于PN结的导通电压时，三极管失去放大作用，基极和集电极电流均为零，集电极与发射极之间如同开关关闭，即处于截止状态。
3、导通的三极管（NPN型）：如果基极-发射极间电压超过门槛电压，那么它就处于导通状态。但是，如果它的发射极连接到第二个截止状态的三极管的集电极，而这个第二个三极管并没有提供路径让电流通过，那么实际上不会有电流通过导通的三极管的集电极-发射极路径。
4、一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。三极管处于开关状态，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。
半导体二极管(硅管)的导通电压是多少?
正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。
半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。
硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。 锗管：锗二极管的导通电压较低，一般在0.2-0.3伏特之间。
半导体二极管正向电流和电压的关系
半导体的伏安特性曲线展示了PN结两端施加电压与通过二极管的电流之间的关系。该曲线主要分为两个部分： 正向特性：当电压（u）为正，即正向偏置时，电流随着电压的增加而增加，二者之间呈现出一致的关系，如图所示。 反向特性：当电压为负，即反向偏置时，我们称之为反向特性。
硅二极管的导通电压一般在0.6-0.7V之间，这个只是导通电压的一个波动范围，如果说0.5v以上就导通，是不专业的说法，也不规范 二极管的正向导通电流是毫安级的，正向工作电流一般都是安培级的，具体的看型号而定。
半导体二极管是一种电子器件，具有单向导电性，即只允许电流从一个方向流过。当我们讨论二极管的正向伏安特性时，我们指的是在二极管正向偏置的情况下，其电压与电流之间的关系。
二极管伏安的正向特性，理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管，加正向电压的时候，需要克服PN结内电压，所以电压要大于内电压时，才会出现电流。这个最小电压称作开启电压。小于开启电压的区域，叫做死区。 当电压大于开启电压，那么电流成指数关系上升。
半导体二极管正向伏安特性曲线的在正向电压作用下，二极管开始导通，随着电压的增加，电流迅速上升，呈现出指数增长的趋势。当电压达到一定值时，电流的增长速度放缓，并逐渐趋于饱和。这个过程可以通过正向伏安特性曲线来描述。首先，当正向电压施加在二极管上时，它开始导通。
理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。但是实际的二极管，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
半导体二极管(硅管)的导通电压是多少
1、半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。
2、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。
3、硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。 锗管：锗二极管的导通电压较低，一般在0.2-0.3伏特之间。
三极管中硅管和锗管的区别有哪些?
1、三极管中的硅管与锗管在多个方面存在差异： 导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。
2、三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。
3、早期的晶体管多数是由锗单晶制成的，包括二极管和三极管。后来随着硅材料及其制造工艺的解决使得硅管得到发展和普及应用。其主要区别是结压降不同，锗管的正向压降较低约0.3伏特，硅管的正向压降较高约0.7伏特。另外，由于硅材料资源广和制造工艺适宜大规模生产所以得到广泛使用而成为电子器件的主角。
4、区分三极管是硅管还是锗管的两种方法：让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。看型号上标明的是硅管还是锗管。三极管的工作原理如下：半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
5、制造NPN的硅管比PNP的要容易得多，而锗管是PNP要比NPN容易，因此，市面上的NPN硅管比PNP多得多，而PNP的锗管要比NPN的多得多，尤以锗管为甚。凭此，当拿到一个与众不同的管子时（以前的锗管基本都是金属外壳园柱型封装直径5mm长10mm三个脚的），基本可按PNP锗管来测。
6、用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。测量死区电压。硅管为0.5V，锗管为0.1V。
