mos管的尖峰电压（开关mos电压尖峰消除）
本文目录一览：
设计开关电源时,开关管的耐压(VDS)如何取值?
1、Bulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于414*Vin N为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。MOS的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险。
2、工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。这几个条件满足了，基本没问题。
3、漏源极电压（VDS）可达600V，这意味着它能够承受较高的电压差，适用于一些对电压要求较高的电路，比如开关电源等。栅源极电压（VGS）范围一般在 -20V到 +20V之间，在这个电压范围内，场效应管能正常工作并实现对电流的控制。
4、n60场效应管的参数包括：电压参数方面，其漏源极电压（VDS）可达600V，这意味着它能够承受较高的电压，适用于一些对电压要求较高的电路，比如开关电源等。电流参数上，连续漏极电流（ID）为10A，这个数值决定了该场效应管能够正常工作时允许通过的最大电流。
5、影响性能的主要几个参数：VDS：1500V （漏源电压，即耐压）、ID：2A （漏极电流）、RDS：9 （通态电阴）、Ciss：990pF（输入电容）。高频开关电源（也称为开关型整流器SMR）是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。
如何选择开关电源上的MOS管
1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
2、MOS管驱动 与双极性晶体管相比，MOS管导通时不需要电流，但需要足够的GS电压。MOS管的驱动实质上是对寄生电容的充放电过程。设计驱动电路时，需注意能提供足够的瞬间短路电流。对于高端驱动，栅极电压需大于源极电压，这就需要考虑升压电路。选择合适的电容可以确保足够的短路电流。
3、选在MOSFET一般有两个标准，一个温度，一个耐压。具体选择还要根据实际的电路情况。比如跟问题温度有关系的参数就包括，通过MOSFET的电流、散热情况、使用环境。电流的计算可以用输入功率除以输入最小电压除以占空比就可以。耐压相对就比较简单了，只要实际电路中MOSFET上的反压低于MOSFET的额定值就可以了。
4、一般需要考虑几个因素，（不保证完全对）1：导通/截止时间，对于三极管，开关频率极限40KHz，开关管导通时间小于5uS，关断时间1uS。（缪的字母不会打，用U代了），MOS管已经达到NS级的时间，150KHz频率以下一般的开关电源都不需要考虑。
MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压
1、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。
2、MOS管在承受过大电流时，由于电流过载，导致芯片内部的温度急剧升高，使得芯片内部的结构和联系因热应力而出现微小的损坏，这些微小的损坏会使得MOS管的电压突然反转，出现尖峰电压。
3、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。电机、电容器和功率转换设备（如变速驱动器）是产生尖峰电压的主要因素。
